【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 耐久性とコストを両立する合板素材の振動板について、共振性能を向上させることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】 洗浄液を保持する洗浄槽と、洗浄槽に振動を伝播可能に設けられる振動板と、振動板を振動させる超音波振動素子とを具備する超音波洗浄装置であって、振動板は、第１素材により形成される第１板材と、第１板材に重ね合わされ第２素材により形成される第２板材からなり、第１板材の厚さをｔ_１、第２板材の厚さをｔ_２、第１板材の音速をｖ_１、第２板材の音速をｖ_２、超音波振動素子の発振周波数をｆ、自然数をｎとすると、
【数１】


の関係を満たすことを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６の温度を調整することにより、洗浄液１６を対流させるヒータ１３と、ＳｉＣ基板５０から脱落した付着物を捕集するフィルター１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の一方主面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板の他方主面を良好に洗浄処理する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに形成された液膜１１ｆを凍結させることによって、パターンＰＴの間隙内部に入り込んだＤＩＷが基板表面Ｗｆに付着するＤＩＷと一緒に凝固して凍結膜１３ｆの一部となり、凍結膜１３ｆによってパターンＰＴが構造的に補強される。そして、基板裏面Ｗｂに対して低温処理液を供給しながら基板裏面Ｗｂに形成される低温処理液の液膜１１ｂに対して超音波振動が付加されて基板裏面Ｗｂが超音波洗浄される。このように、凍結膜１３ｆによりパターンＰＴが補強された状態のまま基板裏面Ｗｂが超音波洗浄されるため、超音波洗浄によりパターンＰＴがダメージを受けることなく、基板裏面Ｗｂを超音波洗浄によって良好に洗浄処理することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６に対して磁界を加える電磁石コイル１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ブラシに付着した異物を十分に除去し得るブラシの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄に用いられたブラシ１４を洗浄槽２２内に貯留された洗浄液４４に浸漬し、洗浄液に超音波振動を印加するステップと、ブラシを洗浄槽内に設けられた洗浄用基板２４に接触させながら回転させるステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】 基板上の所望の部位を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 アルコール液供給部４０は、基板Ｗ上にアルコール液（例えば、イソプロピルアルコールやエタノール等）を含む処理液を供給し、基板Ｗ上には処理液の液膜ＬＦが形成される。超音波付与部７０は、基板Ｗ上に形成されている液膜ＬＦに伝達面を接液し、超音波振動を付与する。この場合において、処理液に含まれるアルコール液の比率、基板Ｗ上に液盛りされる液膜ＬＦの厚さ、超音波付与部７０から付与される超音波振動の発信周波数および発振出力等のパラメータが適切に調整されると、基板Ｗ上の超音波付与部７０の伝達面の対向部位ではパーティクルが良好に除去される。一方、対向部位以外の部位ではパーティクルの除去が抑制される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム１１は、メガソニックタンク式洗浄機１５および後続のスクラバ１７，１９を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール１３は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール２３は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール（入力、洗浄および出力）は、基板支持体２５を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ３３を有するオーバヘッド搬送機構３１によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離（Ｘ）で離間されている。 （もっと読む）

【課題】超音波を用いた枚葉式の洗浄装置において、洗浄速度に優れ、かつ、被洗浄物（ウエハ）の全面を均一に洗浄できる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１０に、超音波振動子２１から伝搬する超音波を照射する照射面２０ａを両側に備え、かつ、それら２つの照射面２０ａ内に洗浄液を噴出する噴出口２０ｂをそれぞれ備えた振動体２０と、照射面２０ａのそれぞれと対向するウエハ５０を平行に並べて保持するガイドローラ１１ｃとを設ける。照射面２０ａ内に配置された噴出孔２０ｂから洗浄液を噴出させつつ、超音波を照射面２０ａからウエハ５０に照射して洗浄を行うことで２つの被洗浄面を同時に洗浄できる。 （もっと読む）

本明細書で説明される実施形態は、半導体デバイス製造に関し、より詳細には、複数の基板を同時に洗浄するための垂直に配置されたデュアルメガソニックモジュールに関する。一実施形態では、複数の基板を洗浄するための装置が提供される。本装置は、少なくとも１つの側壁および底を含む、越流処理流体を収集するための外部タンクを備える。処理流体を含むように適合された第１の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第１の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持する１つまたは複数のローラ組立品を備える。処理流体を含むように適合された第２の内部モジュールは、外部タンクの中に部分的に位置付けされている。第２の内部モジュールは、基板を実質的に垂直配置で保持するように適合された１つまたは複数のローラ組立品を備える。各内部モジュールは、処理流体を通して基板の方へ振動エネルギーを送るように適合されたトランスデューサを含む。
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【課題】
枚葉式基板処理装置及び方法が開示される。
【解決手段】
本発明による枚葉式基板処理装置は、基板を化学的および機械的方法で研磨する研磨ユニットと、基板を洗浄する洗浄ユニットと、が一つの処理室内に備えられることを特徴とする。かかる特徴によれば、半導体基板の研磨工程と洗浄工程と、を一つの処理室内で枚葉方式で行える枚葉式基板処理装置及び方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー裏面のパーティクルに対して、ウェハーのダメージを抑えながら十分な洗浄効果を得ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハーｗ裏面に接触させる薬液を溜める薬液溜め１２と、この薬液溜め１２の壁面を構成するとともに、ウェハー裏面に対して摺動させるブラシ１１と、薬液溜め内に設置され、前記ウェハー裏面にキャビテーションを発生させるために前記薬液に超音波を照射する超音波照射機構１３と、薬液溜め１２内に薬液を供給する薬液供給機構１４と、薬液溜め１２の上方に設置され、ウェハーｗを保持し、回転させる機構１７、１８、１９を備える。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、フッ化アンモニウム、フッ化アミン、フッ化テトラアルキルアンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩；フッ化物塩以外のアンモニウム塩、フッ化物塩以外のアミン塩、フッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩以外の塩；並びに水を含み、フッ化物塩の濃度が５重量％以上、フッ化物塩以外の塩の濃度が３重量％以上、フッ化テトラアルキルアンモニウム及びフッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩の合計濃度が１５重量％未満であり、ｐＨが７〜９である残渣除去液。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体ウェーハの表面及び／又は裏面の中心位置に対して、所定の洗浄液を供給し、前記ウェーハを回転させながら洗浄を行う枚葉式の半導体ウェーハの洗浄方法であって、特に、大口径のウェーハに対して、洗浄液を極力少ない量で効率よくウェーハ表面（及び裏面）を洗浄することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】前記洗浄は、前記ウェーハ１０全体の表面上に、前記洗浄液からなる膜厚１〜10μmの水膜２０を形成するように制御して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減でき、洗浄後のシリコンウェーハが汚染や変質を受けにくい、洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽と、該洗浄槽内に少なくとも２本のスクリューコンベアが回転自在に装着されており、被洗浄シリコンウェーハは、スクリューコンベアに形成された螺旋状の溝にスクリューコンベアの本数に相当する個所で接触し、垂直状態に保持された状態で連続的に一端部から他端部に向けてスクリューコンベアの回転にともなって搬送されるシリコンウェーハ洗浄装置。螺旋状の溝は、軸に対する垂直断面が２段Ｖ字型の形状を有し、螺旋状の溝の少なくとも表面は、樹脂を主成分とする材料からなる。この装置を用いる洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高度に清浄化された表面を得ることが可能な半導体デバイス用基板用の洗浄液を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄液は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、鉄イオン、および下記一般式（１）で表される硫酸エステルのアンモニウム塩、および水を含有し、前記ナトリウムイオン、前記カリウムイオン、および前記鉄イオンの含有量がそれぞれ５００ｐｐｂ以下の半導体デバイス用基板用の洗浄液。
ＲＯＳＯ₃^-（Ｘ）⁺ （１）
但し、式（１）中、Ｒは、炭素数８〜２２のアルキル基、または炭素数８〜２２のアルケニル基であり、（（Ｘ）⁺は、アンモニウムイオン、第一級アンモニウムイオン、第二級アンモニウムイオン、または第三級アンモニウムイオンである。 （もっと読む）