酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣、エッチング後残渣及び／又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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基板表面から極性流体を超臨界流体を使って除去する方法について述べる。洗浄できる基板としては、マイクロ電子工学装置（集積回路、マイクロ電子機械装置、および光学電子装置など）が含まれる。こういった装置の表面には、誘電体材料として使用されるような発泡ポリマーを含めることができる。極性流体を除去する上で有用な超臨界流体としては、一般に、超臨界状態にある酸素含有有機化合物、が含まれる。超臨界流体を用いた極性流体の除去をする際に、超臨界流体を用いた他の洗浄方法を補って、基板表面から微粒子を除去するようにしてもよい。 （もっと読む）

水性清浄化媒体が前記半導体表面に供給され、清浄化媒体がコロイド状の形状で懸濁されている清浄化粒子を含んでなり、そして機械的振盪が粒子に印加されて、清浄化段階の間の少なくとも一部の時間除去される清浄化段階を含んでなる、表面を清浄化する方法が開示されている。 （もっと読む）

本発明は、物体、特に、半導体素子を超音波を用いて連続的に洗浄することに関し、被洗浄物体が液体中に配置されるものである。さらに、本発明は、本発明による方法を実施する装置に関する。本発明の基本概念は、液体で満たしたタンク（５）内の被洗浄物体（２）の表面が、タンク（５）内にある少なくとも一つの音源（８ａ）によって発せられた少なくとも一つの振動最大点を通過することである。一実施形態によれば、タンク（５）内に位置した音源フィールド（８）が搬送方向（４）に対して傾斜して配置される。 （もっと読む）

特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）

電極アセンブリ結合剤の可能性のある化学腐食を制御し、又は無くするシリコン電極アセンブリ汚染除去洗浄方法及び溶液は、フッ化アンモニウム、過酸化水素、酢酸、場合によっては酢酸アンモニウム、及び脱イオン水を含む。 （もっと読む）

洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）

新しい又は使用済みの静電チャックを洗浄する非破壊でかつ簡素な方法は、静電チャックの表面上に付着した汚染物質を除去する湿式洗浄プロセスを含む。 （もっと読む）

処理すべき円板状基板に重なり得る寸法と形状とを有する第１のプレート（１０）、円板状基板（Ｗ）を０．２から５ｍｍの距離で前記第１のプレートと平行に保持するための保持手段（２２）、前記第１のプレートに対して実質的に直角な回転軸線（Ａ）まわりに円板状基板（Ｗ）を回転させるための回転手段（３７）、処理中に前記第１のプレート（１０）と円板状基板（Ｗ）との間の第１の間隙（１１）内に流体を導くために第１の間隙内に第１の分配用開口（１６）を有する第１の分配用手段（１４）、及び前記第１の分配用開口（１６）の位置を第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）に移動させるための移動手段（３４）であって、前記第１の位置（Ｐ１）の回転軸線（Ａ）までの距離が前記第２の位置（Ｐ２）の回転軸線（Ａ）までの距離より小さい前記移動手段を備えた円板状基板の湿式処理装置が開示される。
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本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）

基板洗浄装置は、洗浄部材２に押し付けてこれを洗浄する当接部材１４、当接部材１４を駆動制御する駆動制御手段２１、及び洗浄液１１を収納し洗浄部材２と当接部材１４の当接部分を浸漬させる洗浄槽１２を含む洗浄装置１０、洗浄部材２の表面画像を取り込む画像取得手段１６、並びに画像処理装置１７を含み、洗浄部材２の表面状態をモニターしその交換時期を判断する。基板洗浄装置は、洗浄槽１２内の洗浄液１１中のパーティクル数及び／又は成分濃度を測定する測定手段１３を具備し、測定手段１３による測定結果を駆動制御手段２１にフィードバックし、洗浄部材２の汚染を防止する。
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処理効率及び／又は有効性を増大させつつ、処理中に基板装置へのダメージを最小限にすることのできる、音響エネルギ源にパワーを供給する方法及び装置。本装置及び方法は、音響エネルギ源を駆動するために使用する電気信号の振幅を変動させ、及び／又は振動数を変化させるというコンセプトを利用するものである。これにより、基板に適用される音響エネルギの振幅及び振動数が、対応する形で変動し及び／又は変化する。音響エネルギで基板を処理する方法は、ａ）少なくとも一つの基板を処理チャンバ内に支持する、ｂ）ベースとなる電気信号を生成する、ｃ）該ベースとなる電気信号をアンプに伝達し、該アンプが該ベースとなる電気信号を最大振幅を有する出力電気信号に変換する、ｄ）該出力電気信号をトランスデューサに伝達して、該トランスデューサ該は出力電気信号を対応する音響エネルギに変換する、ｅ）該音響エネルギを、前記処理チャンバ内に支持された前記少なくとの一つの基板上に適用する、ｆ）該出力電気信号の最大振幅を変動させる、ことから構成される。
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平坦シリコン基板上に、バッファ層と高K金属酸化物誘電体が形成される。基板の平坦度は、高K金属酸化物ゲート誘電体が柱状成長することにより低下する。基板表面は、成膜の前に、水酸基終端で飽和化される。
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集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）