【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を洗浄するための方法が開示されており、その方法は、液体媒質が、洗浄される基板の一部を実質的に覆うように、基板の表面に液体媒質を供給する工程を備える。音響エネルギを生成するために、１または複数の変換器が用いられる。生成された音響エネルギは、液体媒質に印加された音響エネルギが液体媒質内でのキャビテーションを防止するように、基板および液体媒質メニスカスに印加される。基板に印加された音響エネルギは、液体媒質内に導入される音波に最大の音波変位を提供する。基板および液体媒質に導入された音響エネルギは、基板表面からの粒子汚染物質の除去を可能にする。除去された粒子汚染物質は、液体媒質内に取り込まれ、液体媒質によって基板表面から運び去られる。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ後洗浄組成物およびそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】洗浄組成物において、その組成物のｐＨが９．５〜１１．５の範囲にあり、水、有機塩基、ならびにアミノポリカルボン酸およびヒドロキシルカルボン酸を含む複数のキレート剤を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】超微細パターンの溝を有する回路基板でも洗浄及び乾燥を効率よく行なうことができる回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】回路基板１４を保持する基板保持部１６を有するロータ１８と、上面に開閉蓋２２が配設され、側部に通気隙間２４を有する内側タンク２６と、超音波発信機３０と、分離可能なカバー３２を有する外側タンク３４と、回路基板１４を真空吸着するバキュームパッド３６を有する基板昇降機構４４と、回路基板１４を真空引きする真空ポンプ４６と、開閉蓋２２を磁気吸着するマグネットパッド４８を有する開閉蓋昇降機構５８と、内側タンク２６内に洗浄液を供給する洗浄液供給機構６２と、内側タンク２６内に窒素ガスを噴射するガス噴射機構と、内側タンク２６と外側タンク３４との間の空間を減圧化する真空ポンプ６６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 リンス流体の消費を抑え、洗浄・リンス・乾燥プロセスに要する総時間を削減する基板洗浄乾燥技術を提供する。
【解決手段】 線状の流体が基板表面に沿って吹き付けられて空気／流体境界線を形成し、線状の蒸気がマランゴニ乾燥を達成するためにこの境界線に供給される。好適な装置は、洗浄流体および／またはリンス流体のタンクを使用する。タンク流体の上方ではリンス流体源が基板表面にリンス流体を向け、基板が洗浄流体から持ち上げられるときに基板表面にメニスカスを形成し、乾燥用蒸気源が乾燥用蒸気をメニスカスに向ける。リンス流体タンクは、基板受取洗浄部分と基板リンス部分とを有する。リンス流体源と乾燥用蒸気源とはリンス部分上方の乾燥エンクロージャによって囲まれる。基板のローディング、洗浄、リンス、乾燥およびアンローディングが少なくとも部分的な時間的重複をもって実行される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で被処理体を容易に且つ確実にすることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、上部が開口された略直方体の箱状容器であって、その内部に洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、内部に水を貯留すると共に洗浄槽１０を収容する外槽１５と、洗浄槽１０の内部に配設され、洗浄すべき被処理体としての半導体ウエハＡを支持する支持部材２０と、外槽１５の外部に配設され、洗浄槽１０内部に超音波を発振する超音波発振装置６０を備える。洗浄槽１０は、超音波発振装置６０からの超音波を透過する側面部１２ｂと、側面部１２ｂに対向して配され、超音波発振装置６０からの超音波を反射する側面部１２ａとを有している。そして、超音波発振装置６０は、外槽１５に貯留された水を介して洗浄槽１０に超音波を発振し、且つ洗浄槽１０の側面部１２ｂから側面部１２ａに向かって超音波を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面に付着するワックスの均一的な除去を可能とし、洗浄中のパーティクルの再付着および洗浄槽のフィルター詰まりの問題を低減することが可能な、ワックスの除去方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を用いてウエハ表面に付着するワックスを除去する半導体ウエハの洗浄方法において、当該洗浄液がマイクロバブルを含むことを特徴とする、洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

ウルトラ／メガソニックデバイスを用いる半導体基板の洗浄方法は、チャックを用いて半導体基板を保持し、上記半導体基板に近接させて、ウルトラ／メガソニックデバイスを配置し、半導体基板上、および半導体基板とウルトラ／メガソニックデバイスとの間のギャップに、化学液を噴射し、洗浄プロセス中の上記チャックの各回転に対して、上記半導体基板とウルトラ／メガソニックデバイスとの間のギャップを変化させる。上記ギャップは、チャックの各回転に対して、０．５λ／Ｎ（ただし、λはウルトラ／メガソニックウェーブの波長、Ｎは２から１０００の間の整数。）増加または減少する。上記ギャップは、洗浄プロセスの間、０．５λｎ（ただし、λはウルトラ／メガソニックウェーブの波長、ｎは１から始まる整数。）の範囲で変化する。
（もっと読む）

【課題】 半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、適量の気体成分を洗浄水に添加することにより洗浄水のｐＨと酸化還元電位（ＯＲＰ）をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のｐＨ及び酸化還元電位の制御方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、気体成分を水溶液に添加することにより水溶液のｐＨと酸化還元電位を制御するものであって、半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水として水素添加水を用い、前記水素添加水に添加する前記気体成分としてアンモニアガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、レジストを用いて、下地基板上に開口部を有するマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層を酸性溶液が洗浄される（ステップＳ３）。そして、酸性溶液で洗浄するステップＳ３後に、下地基板およびマスク層を有機溶媒で洗浄される（ステップＳ４）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】洗浄用途や洗浄プロセスに応じて制御方式を容易に変更できる超音波発振器を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波発振器は、超音波素子に超音波振動用信号を発振させるための超音波発振器において、信号を発生させる信号発生回２ｄを有するプログラマブルマルチ制御回路２と、前記プログラマブルマルチ制御回路からの信号の出力を調整する出力調整回路５とを具備し、前記プログラマブルマルチ制御回路は、前記出力調整回路に電気的に接続された電力制御回路２ａと、前記出力調整回路に電気的に接続された位相比較回路２ｂと、前記位相比較回路に電気的に接続された周波数制御回路２ｃと、前記周波数制御回路に前記信号発生回路を介して電気的に接続された信号変調回路２ｅと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）