【課題】
ディスクなどの基板を洗浄する装置において、洗浄に要する純水の量を少なくし、且つ、装置を小型化して装置全体の床面積を小さくする。
【解決手段】
基板の両面に純水を供給しながらブラシを回転させて基板の両面をこすって洗浄するスクラブ洗浄ユニットと、スクラブ洗浄処理ユニットで洗浄処理された基板の表面を純水で洗浄するリンスユニットと、リンスユニットで洗浄処理された基板の表面を乾燥させる乾燥ユニットとを備えた洗浄装置において、スクラブ洗浄ユニットは、基板の両面に供給する純水に超音波を印加する超音波印加手段を有し、この超音波印加手段で超音波を印加した純水を基板の両面に供給しながらブラシを回転させて基板の両面をこすって洗浄するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の全域を均一に洗浄処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、基板Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる基板保持装置２０とを備えている。このうち基板保持装置２０は、個別に移動自在な第１基板保持部２０ａと第２基板保持部２０ｂとを有している。第１基板保持部２０ａおよび第２基板保持部２０ｂは、第１保持棒２１ａ、２１ｂと、基板Ｗの中心を通る垂直方向軸線に対して第１保持棒２１ａ、２１ｂとは反対側に設けられた第２保持棒２２ａ、２２ｂとをそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄時に、洗浄対象の特定の部位に洗浄処理流体ノズルを当てることで基板へのダメージや回路パターン倒れを防ぎ、高品位な基板洗浄処理を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の特定の部位の異物に対し、異物の種類や大きさに応じた洗浄処理を施す。このとき、洗浄処理流体ノズルと基板の回転を同期させることで遠心力を発生させ、基板表面から離脱させられた異物を速やかに排除し、基板表面の洗浄を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】安価で素早く高度な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、振動子２００を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に所望の濃度を有する気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、振動子２００より発振される超音波振動（圧力変動）から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、気体溶解部４００によって洗浄液７００に溶解する気体４１０の濃度を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

本発明は、第２のウェハ（１１０）に接合された第１のウェハ（１１６）の露出面に存在する材料の断片（１１８）を除去する方法に関し、この方法は、第１のウェハ（１１６）を溶液の中に入れること、及びこの溶液に超音波を伝えることから成るステップを含む。本発明はまた、多層構造体（１１１）を製造する方法に関し、この方法は、以下の連続するステップ、すなわち、第１のウェハを第２のウェハに接合して多層構造体を形成するステップと、この構造体をアニールするステップと、第１のウェハを薄くするステップとを含み、この薄くするステップは、第１のウェハを化学的にエッチングする少なくとも１つのステップを含む。この方法は、化学エッチングステップの後に、薄くした第１のウェハ（１１６）の露出面に存在する材料の断片（１１８）を除去するステップをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】従来懸念された洗浄残り（超音波未照射領域）の発生を低減してウェーハ全体の洗浄度を向上させる。
【解決手段】複数の超音波洗浄槽を用いてウェーハの超音波洗浄を行うに際し、各超音波洗浄槽の底に設置したウェーハ受け台におけるウェーハの受け溝の位置を、各超音波洗浄槽間で相互に異ならせ、もってウェーハに対する超音波の未照射領域をなくす。 （もっと読む）

【課題】枚葉式、バッチ式のいずれの超音波洗浄装置であっても、形状・材質に依存せずに、低出力から高出力まで、洗浄液に印加された超音波の音圧をスムースに制御、特に微調整することができることによって、被洗浄物の表面にダメージを与えることなく十分に清浄な表面を得られる超音波洗浄装置と、それを利用した被洗浄物の洗浄方法、並びに超音波の発振方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板を超音波を印加した洗浄液によって洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、超音波振動子で発振させた超音波を印加した洗浄液によって前記被洗浄物を洗浄するための洗浄機構と、前記超音波振動子から超音波を発振させるための主発振器とを具備し、前記主発振器は、発振波形としてバースト波を用いるものであることを特徴とする洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの超音波洗浄装置１００において、洗浄液６中の半導体ウェーハ４の上方に超音波反射板２０が傾斜して設けられている。超音波発生装置１から発振される入射超音波８が超音波反射板２０に反射される。超音波反射板２０は、反射面として平面２０ａを有しており、超音波反射板２０は、平面２０ａの法線方向に、影部分７が位置するように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】 超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラ（洗い残し）の問題を解消し、パーティクル除去を効果的に行うこのできる超音波洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を前記洗浄槽中の洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記超音波振動子から発生する超音波による被洗浄物の洗浄を、少なくとも２以上の超音波出力条件で行うことを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラを解消し、パーティクル除去を効果的に行うことのできる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を伝播槽中の伝播水を介して前記洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記伝播水として、脱気した純水に、溶存ガスを飽和濃度に対して３５〜７０％の濃度で溶解させたものを用いることを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】従来の、ウエハなどを対象とする、純水などの洗浄液を用いた超音波振動体方式の枚葉式超音波スピン洗浄装置は、洗浄によってウエハ表面に与えるダメージが小さいといった利点を持つが、汚染物質などの異物を除去するための洗浄時間が長いといった課題を有しており、これを短時間化する必要がある。
【解決手段】超音波振動を伝播させる振動体の超音波照射面と、ウエハ表面の間隔における洗浄液を積極的に攪拌するように、振動体自体を超音波照射面内の垂直軸中心に回転させる構造とする。このことで、超音波振動によりウエハ表面から遊離して洗浄液中に浮遊する異物を再度ウエハ表面に付着する確率が大きく低下し、汚染洗浄液を洗浄作用領域である間隔部分から速やかに流出させることにより、洗浄時間の大幅短縮が可能となった。 （もっと読む）

【課題】特殊な酸化剤を用いることなく微細突起の発生を抑制できる異方性ウェットエッチング方法およびＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを構成する赤外線センサＡは、シリコン基板１ａを用いて形成されており、シリコン基板１ａの一表面側において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成されている。ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 （もっと読む）

【課題】汚染物質の粒子の除去効率に優れ、洗浄による基板へのダメージも少ない洗浄方法の提供。
【解決手段】汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【解決手段】ガスを分散されて含む洗浄流体は、ガスを溶解されて含む液体をバブルマシン内で減圧して気液分散を発生させることによって、キャビテーションを誘発するための超音波エネルギの使用を回避している。洗浄流体は、ホルダと、超音波エネルギまたはメガソニックエネルギを物品に供給するための振動器とを含む装置を使用して半導体ウエハなどの物品を洗浄するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】疎水性表面を有するシリコンウェハの洗浄方法、洗浄液を提供する。
【解決手段】洗浄液として、ＨＦが０．０１〜０．０５重量％と、かつオゾンが含有されている洗浄液を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された液膜に超音波振動を付与する基板処理装置および基板処理方法において基板へのダメージを低減する。
【解決手段】基板表面Ｗｆ上にＨＦＥ液（第１処理液）の液膜ＬＦ１が形成され、さらにＨＦＥ液の液膜ＬＦ１上にＤＩＷ（第２処理液）の液膜ＬＦ２が形成される。そして、この液膜ＬＦ２に対して超音波振動が付与される。したがって、超音波振動の付与により液膜ＬＦ２で発生した衝撃波の全てが液膜ＬＦ１を介して基板表面Ｗｆに到達するのではなく、その一部は両液膜ＬＦ１、ＬＦ２の間に形成された界面ＢＦにより反射される。また、界面ＢＦを通過してきた衝撃波は液膜ＬＦ１を通過して基板表面Ｗｆに達するまでの間に減衰される。したがって、超音波振動より液膜ＬＦ２中で発生して基板表面Ｗｆに与えられる衝撃波のエネルギーが効果的に低減される。 （もっと読む）

【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）