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Fターム[5F157BB73]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 洗浄の補助 (842) | 波動振動 (408) | 超音波 (317)

Fターム[5F157BB73]に分類される特許

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【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分(A)〜(D)を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
(A)ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
(B)スルホン酸型アニオン性界面活性剤
(C)カルボン酸型アニオン性界面活性剤
(D)水 (もっと読む)


【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が25℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が25℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、20℃での蒸気圧が17mmHg以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 (もっと読む)


【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 30%水溶液換算のHの容量に対する29%水溶液換算のNHOHの容量が、体積比で1を超え200以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び/又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び/又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び/又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び/又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び/又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】超音波エネルギが調整可能な超音波洗浄ユニットを有する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置は、被洗浄基板を回動させる保持台と、前記被洗浄基板表面に洗浄液を供給し、前記洗浄液の膜を形成する洗浄液ノズルと、前記洗浄液の膜中に超音波を照射する超音波照射ユニットと、を含み、前記超音波照射ユニットは、超音波発生源と、前記超音波発生源で発生された超音波エネルギを伝達する媒体と、前記洗浄液の膜中に挿入され、前記洗浄液の膜中に、前記媒体を伝達された超音波エネルギを放射する放射部材と、を含み、前記媒体は、前記超音波エネルギの伝搬経路に配置された一または複数の振動伝達ブロックよりなる超音波伝達部を含み、前記一または複数の振動伝達ブロックは、前記超音波エネルギの伝搬経路上に、保持手段により保持されて配置され、前記保持手段は、前記一又は複数の振動伝達ブロックの各々を、個別に着脱自在に保持し、前記超音波発生源と前記放射部材との間の距離が可変である。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段11に保持され、洗浄液としてのDIWの液膜が形成された基板Wの表面Wfに対し、媒介液供給機構55から媒介液としてのトルエンを供給し、DIWの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構51によりトルエンを介してDIWに超音波を付与しながら、凝固手段31から基板表面Wfに凍結用の窒素ガスを吐出し、DIWを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいDIWの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するDIWの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 (もっと読む)


【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅をほとんど腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びN,N−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種である。芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してOHラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板W上の被処理面W1を洗浄する第1のノズル11と、被処理面W1上に液を供給する第2のノズル12と、を備え、第1のノズル11は、被処理面W1に対向し液に接触する光触媒11aと、光触媒11aを保持する保持部材11bと、保持部材11bを透過して光触媒11aに光を照射する光源11cとを備える。 (もっと読む)


【課題】重量の増加を抑制しつつ、超音波を放射する放射面を大きく確保できる超音波基板処理ユニット及び超音波基板処理装置を提供する。
【解決手段】超音波基板処理ユニット10は、対向する半導体ウェハWHの表面WSに超音波を放射する放射面31を有する振動体30と、これを超音波振動させて、放射面31から超音波を放射させる複数の超音波振動子21とを備える。振動体30は、クサビ形状で、放射面31を複数の分割放射面に仮想的に分割する複数のクサビ部からなる。クサビ部は、分割放射面、これと鋭角αをなし、超音波振動子21で加振される加振面、分割放射面と鋭角βをなし、加振面とも角γをなし、分割放射面及び加振面に直交する仮想直交面に対して直交し、加振面から離れるほど分割放射面に近づく平坦なクサビ面、で囲まれる形態とされてなる。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体に対する洗浄効果を発現できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、30ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体に対する洗浄効果を発現できるSiC半導体の洗浄方法およびSiC半導体の洗浄装置を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体の表面に酸化膜を形成する工程(ステップS2)と、酸化膜を除去する工程(ステップS3)とを備え、
酸化膜を形成する工程では、酸素プラズマを用いる。酸化膜を除去する工程(ステップS3)では、フッ化水素を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】穴を有する洗浄対象物を洗浄した場合の洗浄性能を容易に評価することのできる洗浄性能評価用部材及び洗浄性能評価方法を提供する。
【解決手段】模擬的な穴部(50)を形成した洗浄性能評価用部材(10)を洗浄槽(72)内の洗浄液(70)に浸漬し、洗浄槽(72)内の洗浄液(70)に超音波を照射しながら洗浄槽(72)内の減圧及び大気開放を繰り返して洗浄性能評価用部材(10)を洗浄し、この洗浄工程終了後に洗浄性能評価用部材(10)の洗浄性能を液浸透性能又は液交換性能に基づいて評価する。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物を超音波洗浄した後の洗浄ムラの発生を抑制できる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、洗浄液23が入れられる洗浄槽21と、前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬された被洗浄物22に超音波振動を与える第1及び第2の超音波振動子34a,34bと、前記第1の超音波振動子に高周波出力を印加する第1の超音波発振器36と、前記第2の超音波振動子に高周波出力を印加する第2の超音波発振器37と、前記第1及び第2の超音波発振器の少なくとも一方の出力を変動させて制御するコントローラ38と、を具備し、前記第1の超音波振動子から発振された第1の超音波を、前記第2の超音波振動子から発振された第2の超音波に干渉させることを特徴とする超音波洗浄装置である。 (もっと読む)


本発明は、圧電素子の中心部で音圧が集中することなく広い面積に渡って均一な音圧が発生するようにし、被洗浄物に損傷を与えずに洗浄効率を高めることができる超音波精密洗浄装置に関する。本発明の超音波精密洗浄装置は、被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、セラミック体およびセラミック体の上部および下部にそれぞれ蒸着した上部電極、下部電極を備えて超音波を発生させる圧電素子と、圧電素子の端部に結合して被洗浄物と対向するように備えられ、圧電素子で発生する超音波を被洗浄物に伝達する超音波伝達体と、ハウジングと、電源線と、を含む超音波洗浄装置であって、圧電素子または超音波伝達体の中心には垂直ホールが形成される。
(もっと読む)


【課題】表面に微細な溝がある被洗浄物についても良好に洗浄することのできる洗浄方法及び洗浄装置を提供することである。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液によって洗浄する洗浄方法及び装置であって、液体に気体を溶融させて気体溶存の洗浄液を生成し(S2)、洗浄槽において前記生成された洗浄液中に前記被洗浄物を浸け(S1、S3)前記洗浄槽内における前記洗浄液中の溶存気体を気化させて微細バブルを発生させる(S4、S5)する構成となる。 (もっと読む)


【課題】異物除去の効率を向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置1は、超音波を発する振動子11と、紫外線を通過する材料により形成され、振動子11が発する超音波を、異物と化学反応する機能水3によって覆われた基板表面2aに対して、基板表面2aに対向するように配置されたホーン底部13から伝達するホーン部12と、ホーン部12の内部に配置され、UV光を発光するUV光源20とを備える。 (もっと読む)


【課題】洗浄中での洗浄液と洗浄対象物との接触面積を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】洗浄システムは、ワーク1に洗浄液Lを供給可能な供給ノズル30と、ワーク1に供給された洗浄液Lに接触して振動させるホーン60と、ホーン60を振動させる発振器50と、ワーク1とホーン60とのクリアランスを変更可能にホーン60を移動させる昇降機80と、発振器50のインピーダンスを検出する検出分離部70と、インピーダンスに基づいて昇降機80を制御することによりクリアランスを制御する制御部10と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段11に保持され、所定のパターンFPが形成され液体としてのDIWが付着した基板Wの表面Wfに対し、第一処理液供給手段25から第一処理液としてのHFE液を供給し、パターンFPの間隙内部にDIWを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段31から基板裏面Wbに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンFPの間隙内部に残留させたDIWを凝固させ、パターンFPの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるHFE液の液膜の上に第二処理液としてのDIWの液膜を形成し、DIWの液膜に対し超音波洗浄手段17により超音波振動を付与して洗浄を行う。 (もっと読む)


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