【課題】排気中の溶剤を回収することにより、排気中の溶剤濃度を低減して排気設備の負担を軽減できる。
【解決手段】処理槽１を囲うチャンバ１１内に溶剤ノズル１７を介して高濃度のイソプロピルアルコールの蒸気が供給される場合であっても、スタティックミキサ６３により排気が純水と混合される。したがって、気体にイソプロピルアルコールの蒸気が含まれていても、純水とともに気液分離部５３に送られるので、イソプロピルアルコールの蒸気は純水とともに排出される。その結果、気液分離部５３からの排気中のイソプロピルアルコールの濃度を低減できる。 （もっと読む）

【課題】遠心力とロータによる排液、排気効率を高めることのできる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板１を載置する試料ステージ２と、試料ステージ２内に配置するスピンロータ３と、スピンロータ３の中心部から液体を供給する供給ノズル４とを備え、スピンロータ３の回転によって、供給ノズル４から供給される液体を被処理基板１の外周方向に排出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】バンプショートの発生を防止して半導体素子の歩留まりを向上させるフラックスの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】フラックス洗浄剤によりウェーハ１を洗浄する洗浄処理工程（Ａ）と、前記洗浄処理後、連続して、液温４０℃以上の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第１リンス処理工程（Ｂ）と、前記第１リンス処理後、連続して、液温２５℃以下の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第２リンス処理工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら、支持ピンを迅速に冷却して、基板を均一に処理することが可能な減圧乾燥装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー１０における支持ピン１５と対向する位置には、冷却風吐出ノズル５２が配設されている。この冷却風吐出ノズル５２は、管路５３を介して、ボルテックス効果を利用した冷却風発生器５１と連結されている。この冷却風吐出ノズル５２は、その吐出口が、基板Ｗを支持する支持ピン１５と対向する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】１つの被処理物乾燥装置により熱風乾燥処理と真空乾燥処理とが行え、被処理物の大きさ及び形状、或いは、洗浄液の残着量や種類等に応じた適切な方法で乾燥処理することができる被処理物乾燥装置を提供する。
【解決手段】ブロアー３ｂとブロアー７との送風力により、熱風発生装置３により発生された供給熱風Ｈと、熱風排出部２Ａｂから排出される排気熱風Ｈとを合流させるとともに、濾過装置５により清浄濾過され、捕集装置８により液分が捕集された供給熱風Ｈを乾燥室２Ａ内へ送風して、被処理物Ａに残着する洗浄液を蒸発気化して熱風乾燥する。一方、減圧装置４を駆動して、乾燥室２Ａ内の雰囲気Ｆを強制的に吸引して抜き取り、該乾燥室２Ａ内を真空に近い状態に減圧する。熱風乾燥時において被処理物Ａ自体に蓄積された予熱により、該被処理物Ａに残着する洗浄液を蒸発気化して真空乾燥する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えないようにしつつ洗浄乾燥性能を向上する。
【解決手段】洗浄後でかつ乾燥前に、不活性ガスを洗浄槽内に供給して洗浄槽１２内を加圧する加圧ガス供給手段３２と、乾燥時に洗浄槽１２内の圧力を調整可能な圧力調整手段３８と、排出流路１６から排出される洗浄液の流量を検出可能な流量センサ１６ｂと、洗浄液の排出後にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給手段３６と、洗浄液の排出後にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段３０と、洗浄液の排出後にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ蓋部における溶接部分の剥離等の発生を抑制することにより不良基板が生産されるのを抑えることのできる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板載置部に対して相対的に接離可能なチャンバ蓋部を備え、この基板載置部とチャンバ蓋部とによって形成される基板収容部内に、塗布液が塗布された基板を収容した状態で前記基板収容部内を減圧させることにより前記塗布液を乾燥させる減圧乾燥装置において、前記チャンバ蓋部は、前記基板載置部と対面するとともに４つの縁辺部を有する四辺形状を有しており、基板載置部側と反対側の外表面には、隣り合う縁辺部と交差する方向に延びるように補強リブを溶接する。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、場合によっては前記支持具（１）が液体を使用したクリーニング操作を初めに受けている方法を提供することである。当該方法は、輸送支持具（１）が真空ポンプ（５）に連結された密封チャンバ（４）内に置かれ、輸送支持具（１）の壁上の異物の除去に有利にはたらくように前記輸送支持具（１）が準大気圧と赤外線との複合作用にさらされる、処理ステージを含む。本発明は、また、当該方法を実施するための輸送支持具（１）のための処理ステーションに関する。
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【課題】チャンバ内およびドレンボックス内の圧力を調整することにより、処理槽からの迅速な排水を実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を大気圧よりも高い第１の圧力まで加圧させるように不活性ガス供給源４５および不活性ガス弁４７を制御し、処理槽１内の純水をドレンボックス５３に排出させるまでに、ドレンボックス５３内の圧力を大気圧以下の第２の圧力に調整するように第２真空ポンプ６５を制御し、チャンバ２３内が陽圧、ドレンボックス５３内が負圧となり、その後にＱＤＲ弁５５および排液弁５７を開放するので、その圧力差によって処理槽１内の純水が排出管５１を通してドレンボックス５３に迅速に排出することができ、しかも処理槽１内の液残りも低減できる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】排気を分散させることによって乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空ポンプによって排気機構７５を介してチャンバ内の気体を排出するが、排気機構７５はチャンバ内の気体を複数箇所から排気するので、チャンバ内において排気が偏りにくい。したがって、溶剤ノズルによってチャンバ内に形成された溶剤蒸気雰囲気が偏ることを防止でき、処理液から露出された基板Ｗに付着している液滴が偏って引かれることを防止できる。その結果、基板の乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【解決手段】制御部７７は、第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１が真空ポンプ４９でチャンバ２７内を減圧させた状態で、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ６９で測定配管６１にチャンバ２７内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計６７により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板洗浄装置では、リンス処理時に行われる比抵抗値のチェックに使用される閾値を、レシピ設定画面４２ａ上で工程毎に個別に設定できる。このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。また、これにより、各工程のリンス処理を適正に終了させることができる。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）