【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第１洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをＸＹ座標としてプロットした第１洗浄点までの第１距離を求め、第２洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第２洗浄点までの第２距離を求め、第２距離が第１距離よりも長いときに第２洗浄条件で基板を洗浄した方が第１洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、センサで受光される真空紫外線の強度と、被照射物へ照射される真空紫外線の強度とを近似させる紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、被照射物に対して真空紫外光を出射するエキシマランプと、この真空紫外光を受光すると共に光取込部を備えた光センサと、エキシマランプを取り囲む筐体と、からなる紫外線照射装置において、前記光取込部と前記エキシマランプとの間に、不活性ガスと酸素との混合ガスを吹き出すブロー管を有し、前記光取込部と前記エキシマランプとの距離をＹ１、その間の酸素濃度をＰ１とし、前記エキシマランプと前記被照射物との距離をＹ２、その間の酸素濃度をＰ２とするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。
０．８≦Ｙ２×Ｐ２／Ｙ１×Ｐ１≦１．２ （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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【課題】可燃性有機溶剤を基板に供給して所定の表面処理を施す基板処理装置および方法において、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置が行う一連の処理のうち可燃性雰囲気が形成される処理はＩＰＡ液を用いた置換処理に限定されることから、Ｘ線照射を用いた除電処理を置換処理に限定して用いる。すなわち、Ｘ線照射の開始および停止をＩＰＡ液（可燃性有機溶剤）の供給タイミングに対応して設定している。したがって、Ｘ線照射が必要最小限に止められ、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】複数個の処理部を備える処理装置において、被処理物の面内温度分布を改善する。
【解決手段】処理装置の被処理物入口４１側の処理部に供給される電力の搬送方向密度（被処理物の搬送方向の処理電極の単位長さ当りの電力の大きさ）が、被処理物出口４２側の処理部に供給される電力の搬送方向密度よりも小さくなるように、第１〜第３処理部３１〜３３に電力供給する各々の電源４５、及び第４〜第６処理部３７〜３９に電力供給する各々の電源４５を制御する電力制御部５，６を備える。 （もっと読む）

【課題】配置不可能な理由に応じたブロック配置の試行を行うことにより、スケジュール作成時間が長くなることを防止するとともに、稼働率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】基本配置方法を実行してスケジュールを作成（ステップＵ１〜Ｕ１１）するにあたり、待機時間が許容時間を越える場合には、当該ブロックの配置を回避するとともに、各ロットの各ブロックについてのレシピに応じた組み合わせを表すデータに基づいて、当該ブロックよりも上手にある分岐点よりも一つ前の分岐点から探索を再開してスケジュールする（ステップＵ１２，Ｕ１４）。配置不可能な理由を有するブロックよりも系譜図において下手にあるものについて配置の試行を行なわないので、試行回数を少なくでき、上基本配置方法だけでスケジュールを作成するよりも時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】処理プロセスの途中にある基板の保持状態を正確に検出することができる基板検出装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板検出装置が、保持された基板の撮像画像データを生成する撮像画像生成手段と、撮像画像が基板の保持状態の検出に十分な検出力を有する画像であるか否かを判定する検出力判定手段と、撮像画像に基づいて、保持手段における基板の保持位置を特定する保持位置特定手段と、特定された基板の保持位置と想定保持位置とを比較し、両者が合致するか否かに応じて基板の保持状態が正常であるか否かという検出結果を生成する保持状態判定手段と、を備えており、検出力を有すると判定された撮像画像を表現する撮像画像データあるいは同一の基板保持状況のもとで当該撮像画像データとともに連続的に取得された撮像画像データのみを保持位置特定手段による保持位置の特定に用いる。 （もっと読む）

【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１が真空ポンプ４９でチャンバ２７内を減圧させた状態で、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ６９で測定配管６１にチャンバ２７内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計６７により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】間隙空間内を流通する洗浄液の流速にかかわらず、洗浄液に超音波振動を十分に付与して基板表面を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対向して近接部材２１の下面２１１が離間配置される。そして、基板表面Ｗｆと下面２１１とで挟まれた間隙空間ＳＰに洗浄液が供給されるとともに、近接部材２１を介して洗浄液に超音波振動が付与される。また、近接部材２１が基板表面Ｗｆに沿って移動するが、基板Ｗに対する近接部材２１の相対移動に応じてノズル３１からの洗浄液の吐出流量が変更されて間隙空間ＳＰを流通する洗浄液の流速が変化する。間隙空間ＳＰへの洗浄液の供給は近接部材２１の側面２１２に向けてノズル３１から洗浄液を吐出することで側面２１２から間隙空間ＳＰに洗浄液を回り込ませることで行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの紫外線照射装置において、半導体ウエハ表面の状態による紫外線の反射率または吸収率の変化によらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を照射する。
【解決手段】半導体ウエハ５の表面近傍を、照射ヘッド部１が一方から他方へ随時移動する際、表面の状態を照射ヘッド部１の反射率または吸収率測定機能により随時フィードバックを掛け、紫外線の照射光量を変更することにより、半導体ウエハ５の表面状態に応じた紫外線光量を照射する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび／または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび／または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 （もっと読む）

【課題】 エッチング後の処理システムのためのガス分配システムを提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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