超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
（もっと読む）

【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
（もっと読む）

【解決手段】 本出願は、ワイヤーボンディングされるように構成されたワイヤー（１２０）を洗浄するためのワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）について説明する。前記ワイヤー洗浄装置（３００、４００、５００、６００、７００）は、チャンバーを含み、ワイヤーボンディングされるように設定されたワイヤー（１２０）はワイヤーボンディングされる前に当該ワイヤーを通過して延出する。また、前記ワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）は、前記ワイヤー（１２０）がワイヤーボンディングされる前に前記チャンバー内で前記ワイヤー(１２０)から不純物を除去するエネルギー源も含む。 （もっと読む）

基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約９００℃よりも低い第１基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持され、第２基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】枚葉式ウエハ洗浄システムにおいて処理後の残留物を除去するための方法が提供されている。その方法は、基板の上に配置された近接ヘッドに、加熱された第１の流体を供給する動作から始まる。次に、第１の流体のメニスカスが、基板の表面と、近接ヘッドの対向する表面との間に生成される。基板は、近接ヘッドの下で直線的に移動される。また、枚葉式ウエハ洗浄システムも提供されている。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
（もっと読む）

基板処理用の高圧流体に化学物質を導入する方法及びシステム（１００）について説明する。特に、本方法は、２種類以上の流体の混合を促進するために、高圧流体の容積全体にわたって化学物質を供給する工程を有する。その一方で、高圧流体は、高圧処理システム（１１０）を循環する。
（もっと読む）

膜除去システム（２００、２０１）中の基板（１７８、２６５）を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム（２００、２０１）の基板チャンバ（２５０）内にミクロフィーチャ（１７０）の側壁（１８３）上の誘電体膜（１８２）及び誘電体膜（１８２）の一部を覆うフォトレジスト膜（１８４）を有するミクロフィーチャを有する基板（１７８、２６５）を提供する段階と、フォトレジスト膜（１８４）によって覆われていない誘電体膜（１８２）の部分（１８６）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜（１８４）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
（もっと読む）

種々の二酸化炭素流量を必要とするアプリケーションに高圧二酸化炭素を供給する新規な方法及びシステムが提供される。この方法は、高圧二酸化炭素供給流をバッファーボリューム（８０）に供給すること、及びアプリケーションツール（１００）に送られる二酸化炭素量を決めることを包含する。バッファーボリューム（８０）内の圧力は、アプリケーションツール（１００）が必要とする圧力を超える圧力に維持される。更に、バッファーボリューム（８０）内の温度を調節して、二酸化炭素の密度を変更し、それに基づいてバッファーボリューム（８０）のサイズを修正する。その後、二酸化炭素は、アプリケーションツール（１００）が必要とする種々の流量で、バッファーボリューム（８０）から送り出される。
（もっと読む）