【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽２と、処理槽２の第１の側壁３側に吐出口４ａを備えた処理液供給機構４と、第１の側壁３と対面している第２の側壁５に排出口６とを備え、吐出口４ａから処理液を吐出した後、排出口６からその処理液を排出できることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１が真空ポンプ４９でチャンバ２７内を減圧させた状態で、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ６９で測定配管６１にチャンバ２７内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計６７により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に吸着している微小なパーティクルを効果的に除去することが可能な半導体基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板洗浄方法は、ガスが飽和濃度まで溶解している酸性の溶液であって、界面活性剤を入れたことにより半導体基板及び吸着粒子のゼータポテンシャルをマイナスにする溶液、或いは、ガスが飽和濃度まで溶解しているアルカリ性の溶液であって、ｐＨが９以上である溶液のいずれかの溶液に前記ガスの気泡を含ませた洗浄液を用いて半導体基板１を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生する装置を提供する。
【解決手段】この装置は、筒状部材４０と、筒状部材の一方の端壁部材４４に近い位置に設けられて、筒状部材４０内の流体旋回室４６に気液混合流体を供給するための流体導入孔４８と、該端壁部材に設けられた流体吐出孔５０とを有する気体旋回剪断装置１４を有する。筒状部材の内周面は鏡面仕上げとされ、該筒状部材の内周面に開口した該流体導入孔に周方向で対応する当該内周面の部分に、該内周面の軸線方向で相互に間隔をあけて設けられた、幅及び深さが１ｍｍ以下の複数の環状溝５６を有する。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】基板端部に付着した付着物を除去する際に，その付着物を化学分解反応させる活性種が基板の処理面に回り込むことを防止して，処理面にダメージを与えないようにする。
【解決手段】ウエハＷの端部に紫外線を当てて洗浄処理を行う際に，ウエハＷの端部の裏側表面に裏側気体２３６の流れを形成するとともに，その表側表面にも裏側気体と同一方向の表側気体２４６の流れを形成し，裏側気体の流速を表側気体の流速よりも速くする。これにより，たとえウエハの端部と仕切板２２０の間に隙間Ｇが生じていても，ウエハの表側から裏側に向う下降気流２３８が形成されるので，ウエハの端部の裏側で生じた活性種のウエハの表側への回り込みを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式フラットパネル洗浄システムの設計手直しを無くすため、仕様打ち合わせ時点で、主制御盤の大きさに関し、精度の高い寸法情報が得られる主制御盤設計システム、主制御盤設計方法及びそのプログラムを提供する。
【解決手段】主制御盤の大きさを設計するための計算を行う複数の計算手段の計算処理と、計算処理結果を基に主制御盤の大きさを決定する決定手段の決定処理とを行う処理手段１０と、主制御盤の大きさを設計するための条件を入力するための入力手段１４と、処理手段１０が入力条件に基づいて計算処理を行うための、ファイルデータを記憶する記憶手段１２と、処理手段１０の処理結果を基に、主制御盤の大きさを表示する出力手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】薬液を浪費することなく、所望の基板処理を実施できる基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理時に処理対象基板の上方に配置されるノズル１０９には、供給配管１１０を介して薬液１０４をノズル１０９へ供給する薬液供給部１３０が接続されている。ノズル１０９および供給配管１１０に残留する薬液１０４を排出するプリディスペンス時には、ノズルの下方にプリディスペンスポッド１０２が配置される。吐出間隔取得部１４３は、直前の基板処理において薬液１０４の吐出が完了した時点から、次基板処理において薬液１０４の吐出が開始される時点までの吐出間隔時間を取得する。プリディスペンス時間決定部１４２は、取得された吐出間隔時間に応じてプリディスペンスの実行時間を決定する。そして、決定されたプリディスペンス実行時間にしたがって、処理制御部１４１が、次基板処理前にプリディスペンスを実行する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハ等の表面を洗浄するために使用された溶媒を効率的に再生する方法、装置、及びシステムを提供する。特に、本発明の実施形態は、蒸発した溶媒成分を再生するために凝縮機構を利用する原位置再生手法を提供する。こうした実施形態において、凝縮は、近接ヘッド自体の内部及び／又は近接ヘッドから真空槽へ続く真空ラインに沿って発生可能である。本発明の他の実施形態は、ウエハ表面を処理するために使用された液体化学物質とガスとの間において適切な平衡気相濃度を維持することで、発生時に溶媒の蒸発を防止する原位置再生手法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む溶液を安定して供給可能な過硫酸供給システムを提供する。
【解決手段】電解反応により溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽５、直流電源６）と、硫酸イオンを含む溶液を貯留する貯留槽１と、該貯留槽１から前記溶液を被電解液として前記電解反応装置へ移送し、前記電解反応装置から電解された溶液を前記貯留槽１へ移送する循環ライン（送り管２ａ、戻り管２ｂ）と、前記電解反応装置で生成された過硫酸イオンを含む溶液を過硫酸使用側に供給する過硫酸供給ライン７と、電解反応装置に移送する前記被電解液を補給する補給ライン８を備える。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を電気分解して得られる酸化性物質を安定して生成することができる洗浄システム及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた隔膜と、陽極と隔膜との間に設けられた陽極室と、陰極と隔膜との間に設けられた陰極室とを有し、濃硫酸溶液を電気分解して陽極室に酸化性物質を生成させる硫酸電解部と、陽極室に、濃硫酸溶液を供給する濃硫酸供給部と、酸化性物質を含む酸化性溶液を用いて洗浄対象物の洗浄処理を行う洗浄処理部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第１のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】回路機構間の微細寸法で汚染された物品と水および酸化材料を含む反応性クリーニング流体を接触させて汚染材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】反応性クリーニング流体の臨界温度または臨界温度超の温度で、且つ反応性クリーニング流体の臨界圧力または臨界圧力超の圧力で、汚染された物品と水１９および酸化材料５１を含む反応性クリーニング流体とを接触させる工程を含む汚染された物品からの汚染材料の除去、汚染材料の少なくとも一部分を酸化して、クリーニングされた物品並びに未反応の反応性クリーニング流体および除去された汚染材料を含む生成混合物を生成する酸化、およびクリーニングされた物品と生成混合物との分離を含む汚染された物品から汚染材料を除去するための方法。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面の処理に使用される溶液を作成する方法を提供する。方法は、連続媒体を提供する工程を含み、連続媒体には重合体材料が追加される。重合体材料を有する連続媒体に脂肪酸が追加され、重合体材料は、脂肪酸が受ける浮力を克服する力を溶液中に及ぼす物理ネットワークを定め、これにより、付加された攪拌が重合体材料の降伏応力を上回るまで、脂肪酸が溶液中で移動するのを防止する。付加された攪拌は、溶液を容器から、基板の表面に溶液を付与する処理ステーションへ輸送することによるものである。 （もっと読む）