【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に欠陥が発生してもその成長を抑えることができるとともに、洗浄作業を行う際に洗浄装置の各種異常を目視で検知することができる半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを、洗浄液３が満たされた洗浄槽４０に浸漬して洗浄ユニットで半導体ウエハＷ表面の洗浄を行う半導体ウエハＷの洗浄方法において、少なくとも、半導体ウエハＷの洗浄液３浸漬中及び洗浄槽４０から引き上げた後の半導体ウエハＷ表面に洗浄液３が付着している間、半導体ウエハＷに対して可視光のうち所定の短波長域の光のみを照射する。 （もっと読む）

【課題】カップ内のミストが基板に再付着することを防止できるようにした基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に処理液が供給される基板１１を保持するステージ１２２と、基板１１をステージ１２２とともに回転させ、基板１１の表面上に供給した処理液（例えば、現像液）を、前記回転により生じた遠心力を用いて基板１１の表面上に広げる回転駆動部１２と、ステージ１２２によって保持された基板１１を側方から包囲するとともに、前記遠心力を受けて基板１１から飛散する処理液を受け止めるカップ１３と、を備え、カップ１３は、カップ１３内を浮遊する処理液の粒子をカップ１３の壁面に吸着させる吸着手段として、冷却装置１４を有する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果の高い小さなバブルサイズのマイクロバブルを外部に供給することができ且つ装置を小型化することができ、装置の配置の自由度を向上させることができるマイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、マイクロバブル生成機構１０とマイクロバブルを外部に導出する導出導管２０とを備える。導出導管２０は拡幅部２１と管部２２とを備え、導出導管２０において、拡幅部２１と管部２２とは互いに接続されており、互いに連通している。拡幅部２１は、軸ｚを中心軸とする中空円柱形であり、底面２３，２４と、円筒形の周面２５とを有し、拡幅部２１の一方の底面２３を介してマイクロバブル生成機構１０の噴出口１１が、他方の底面２４を介して管部２２が連通している。拡幅部２１のマイクロバブルの流路軸ｚに直交する断面の面積は、管部２２の流路軸ｚに直交する断面の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】水濡れしたシリコン材料に対してコンタミを生じさせることがなく、しかも当該シリコン材料を効率的に乾燥させることのできるシリコン用乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥対象となる水濡れしたシリコン材料を密閉可能に収容するチャンバ１２と、前記チャンバ１２内に熱媒体として供給される清浄空気を加熱する加熱手段１６と、前記洗浄空気の前記チャンバ１２内への流路を開閉する開閉弁１８と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、減圧開閉弁４４を介して下流側に減圧ポンプ４６が取り付けられた減圧配管系２０と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、排気開閉弁５２を介して下流側に排気ファン５４が取り付けられた排気配管系２２とで構成されると共に、前記加熱手段１６が、高純度シリコンの塊体からなり、ケーシング１６ａ内に収容される熱交換エレメント１６ｃを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１００は、純水スチームを生成する純水スチーム生成容器２と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口１０と、純水スチーム生成容器２と供給口１０とを接続する純水スチーム供給ライン９と、純水を貯留する純水タンク５と、純水タンク５と純水スチーム生成容器２とを接続する純水供給ライン４と、純水供給ライン４に介挿された純水供給ポンプ６と、純水スチーム生成容器２内の純水の量を検知する重量センサ３と、重量センサ３からの信号に応じて純水供給ポンプ６を駆動し、純水スチーム生成容器２内に純水タンク５内の純水を供給する制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Ｗの寸法より短くされた置換水洗室１０、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル１６、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル１８、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル２２を備えて置換水洗部２を構成した。置換水洗室１０内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６および高圧ノズル１８からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び水よりなる第２の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第１の処理液の液膜を形成する液膜形成手段１０、３１と、前記基板の前記第１の処理液の液膜が形成された面に、前記第２の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気ＰＳＭがチャンバ１９内を満たすので、チャンバ１９内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気ＰＳＭをチャンバ１９外へ排出し、チャンバ１９内に付着している希塩酸蒸気ＰＳＭの凝結分を洗浄除去する。希塩酸ＰＳを貯留した容器７１をチャンバ１９内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気ＰＳＭによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ１９に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸ＰＳの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 （もっと読む）