【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器１内にウエハＷを搬入出する搬入出口２を囲むように、処理容器１と蓋体３との間に第１のシール部材１１及び第２のシール部材１２を搬入出口２側から処理容器１の外側に向かってこの順番で配置して、第１のシール部材１１については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第１のシール部材１１に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域１３に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域１３における圧力が処理容器内１の圧力よりも低く且つ処理容器１の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第２のシール部材１２により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部２２と、処理部２２内に設けられ、基板が載置される載置台３２と、載置台３２の中心を回転軸として、載置台３２に載置されている基板を載置台３２とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に、処理部２２の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部３４と、気体供給部３４を移動させる第１の移動部８４とを有する。気体供給部３４により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理時に天板に付着したヒュームが、ＳＰＭ処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板３２は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード７０は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器３１内に高圧流体を供給する際、流体供給路３５１に設けられた遮断部を開き、流量調整部３５４により流量を調整した状態で開閉弁３５２を開いて処理容器３１に高圧流体を導入し（または原料流体を処理容器３１内で高圧流体に変化させ）、基板Ｗの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁３５２と減圧弁３４２とを開き、処理容器３１に接続された排出路３４１を介して流体供給路３５１と処理容器３１とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Ｗを当該処理容器３１から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送時間を短縮することができる基板搬送装置における基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】メインロボットＭＲは、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂと、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂと、複数の基板保持ハンド１４ａ，１４ｂを移動させる上進退駆動機構２９と、複数の基板保持ハンド１６ａ，１６ｂを移動させる下進退駆動機構３０とを含む。メインロボットＭＲは、各基板保持ハンド１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂを用いて基板保持位置に対して基板を搬入および搬出することができ、複数の基板保持位置の間で基板を搬送することができる。 （もっと読む）

【課題】処理時間（スループット）等の要素との関連性を考慮しつつ、流体ノズルの移動速度をより簡易かつ最適に制御して、基板の全表面に亘るより均一な洗浄や乾燥等の処理ができるようにした基板処理方法及び基板処理ユニットを提供する。
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離ｒに対応する位置を通過する時の移動速度Ｖ_（ｒ）が、べき指数をαとしたとき、
Ｖ_（ｒ）×ｒ^α＝一定
を満たす移動速度Ｖ_（ｒ）で移動させる。 （もっと読む）

【課題】実運転に近い条件で、効率的に試運転を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】搬送容器（ＦＯＵＰ１〜４）から基板Ｗを取り出して処理モジュール２にて処理を行い、元の搬送容器に戻す基板処理装置１において、選択部３１は、基板搬送機構１５、１７や処理モジュール２の動作確認運転を行うモードの選択を受け付け、ジョブ設定部３２は、動作確認用の複数のコントロールジョブ（ＣＪ）を設定すると共に、基板Ｗに対して実行されるレシピであるプロセスジョブ（ＰＪ）をＣＪ毎に設定し、制御部３は、順番が相前後する２つのＣＪのＰＪが並列で実行可能か判断する。 （もっと読む）

【課題】基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部８０によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部Ａ３により搬送する際に、基板搬送部Ａ３に設けられた検出部５により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部８０の位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第１の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第１の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水ＤＩＷによる洗浄処理においては、図３（ａ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐが純水ＤＩＷで覆われているが、乾燥処理時においては、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐの側方に純水ＤＩＷが排出される。したがって、基板Ｗの上面に形成されている隣接した微細パターンｍｐの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水ＤＩＷの表面張力によって微細パターンｍｐが倒壊することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。制御部が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにした後に、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】虚報の異常検知報告を大幅に削減することにより、異常報告内容の確認時間を短縮する。
【解決手段】半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始すると、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における薬液流量平均値、薬液流量最大値、薬液流量最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得し、該半導体製造装置２の薬液流量平均値に異常があるか否かを判定する。薬液流量平均値が正常と判定されると、異常検知処理部６は、薬液流量の最大値、および最小値に異常があるか否かをそれぞれ判定する。薬液流量最大値に異常があると判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、メールアドレスなどの連絡先を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最大値を電子メールなどによって送信する。 （もっと読む）

【課題】薬液又はリンス液よりなる処理液を供給する処理液供給ノズルの表面への処理液の付着を防止或いは低減することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板Ｗ上に、第１の処理液を吐出する複数の第１の処理液吐出口が配列されてなる第１の処理液吐出口列を含む第１の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と略平行に、第２の処理液を吐出する複数の第２の処理液吐出口が配列されてなる第２の処理液吐出口列を含む第２の処理液供給部と、第１の処理液吐出口列と第２の処理液吐出口列との間に、ガスを吐出する複数の第１のガス吐出口が配列されてなる第１のガス吐出口列を含む第１のガス供給部とを有する。複数の第１のガス吐出口の各々は、第２の処理液供給部側へ向けてガスを吐出するように、配列されている。 （もっと読む）

【課題】電力消費量を低減することができる基板処理装置および電源管理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板の処理のための工程を実行する複数のユニットＩＲ，ＳＨ、ＣＲ、ＭＰＣ、ＣＣと、複数のユニットにそれぞれ対応しており、対応するユニットに電力を供給するオン状態と、対応するユニットへの電力供給を停止するオフ状態との間で切り替わる複数のオン・オフ切替装置２２と、基板処理装置１に投入される基板の処理内容および終了期限を含む生産情報を取得し、処理内容に応じて複数のユニットによって行われる全ての工程が終了期限以前に完了するように、複数のユニットの稼働計画を表すタイムチャートを生産情報に基づいて作成し、タイムチャートに基づいて複数のユニットを稼働させると共に、タイムチャートに基づいて複数のオン・オフ切替装置２２を制御するメインコントローラ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第１の方向に沿って長尺に形成され、第１の処理液を供給する第１の処理液供給部８１と、第１の方向に沿って長尺に形成されており、第１の処理液供給部８１と平行に設けられた、第２の処理液を供給する第２の処理液供給部８３と、第１の処理液供給部８１と第２の処理液供給部８３とを、第２の方向に移動させる移動駆動部１２３と、制御部２００とを有する。制御部２００は、第１の処理液を供給するときは、第１の処理液が基板の回転中心に到達するように、第１の処理液供給部８１を移動駆動部１２３により移動させ、第２の処理液を供給するときは、第２の処理液が基板の回転中心に到達するように、第２の処理液供給部８３を移動駆動部１２３により移動させる。 （もっと読む）