【課題】液体流量制御装置の制御可能総流量範囲を広くすること。
【解決手段】第１の流量制御ユニット２１Ａは、小流量の第１の制御可能流量範囲を有する第１の流量制御弁２３Ａを有しており、第２の流量制御ユニット２１Ｂは、大流量の第２の制御流量範囲を有する第２の流量制御弁２３Ｂを有しており、第１および第２の制御流量範囲には重複範囲がある。総流量の要求値の変化に応じて、第１および第２の流量制御ユニットの一方または両方に液体が流れる。第１および第２の流量制御ユニットを流れる液体の合計流量を増大させてゆく過程においては、第１および第２の流量制御ユニットの一方を流れる流量を固定しつつ他方を流れる流量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】装置コストの増大を抑えつつ、複数種類の処理液を清浄な状態で供給することができる処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理液による処理を行う処理チャンバ１０と、ミキシングバルブ３３を有する処理液供給装置３０とを備えている。ミキシングバルブ３３は、直方体形状の筒状部材で形成された混合部３６の中間位置に配置された純水導入口４６と、混合部３６の一端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ１を導出するＳＣ１導出口４７と、混合部３６の他端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ２を導出するＳＣ２導出口４８とを備えている。ミキシングバルブ３３で生成されたＳＣ１およびＳＣ２は、混合部３６内を互いに逆方向に流れてＳＣ１導出口４７およびＳＣ２導出口４８からそれぞれ導出される。 （もっと読む）

【課題】処理液の濃度を安定して制御できるとともに、基板処理装置の処理効率の低下を防止できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】濃度測定手段３７により測定された濃度が、正常濃度範囲内でなければ濃度異常とし、全量液交換を実施する。正常濃度範囲内の場合は、目標濃度範囲内であれば測定された濃度の処理液で基板を処理し、第１濃度範囲であれば処理液を所定の量だけ補充して濃度補正を行う。また、第２濃度範囲内であれば、処理液を所定の量だけ排液した後、所定の量だけ液補充を行う。複数の濃度補正範囲を有することにより、濃度を安定して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液を含む雰囲気の漏洩を抑制または防止するとともに、排気量を低減することができるポットおよびこのポットを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、薬液を吐出する薬液吐出口３ａを有する薬液ノズル３と、待機位置Ｐ１３に配置された薬液ポット５とを含む。薬液ポット５は、薬液吐出口３ａが配置される内部空間Ｓ１を区画するハウジング２５と、内部空間Ｓ１を仕切る仕切部材２６とを含む。ハウジング２５は、薬液ノズル３が挿入される挿入口２７と、挿入口２７より下方に配置された排出口２８とを有している。また、仕切部材２６は、挿入口２７と排出口２８との間の高さで内部空間Ｓ１を上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とに仕切っている。仕切部材２６は、上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とを接続する接続口３０を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１疎水化剤が基板に供給されることにより、基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第１疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０７）。そして、第１疎水化剤とは異なる第２疎水化剤が基板に供給されることにより、溶剤が第２疎水化剤に置換され、基板の表面がさらに疎水化される（Ｓ１０８）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第２疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０９）。そして、溶剤が基板から除去されることにより、基板が乾燥する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の原料収容部４１では加熱機構４２により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路４１１の供給用バルブ４１２を開いて処理容器３１に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Ｗの乾燥を行う。第２の原料収容部４１は、第２の冷却機構４３ａ、４３ｂにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ４１２を開き、原料回収路処理容器３１内の高温高圧流体を当該第２の原料収容部４１に回収する。回収された原料は第１の原料収容部４１から処理容器３１に供給される原料として再利用される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗの中心部にリンス液を供給しながら、基板Ｗの回転数をリンス処理工程時の基板Ｗの回転数より低い第１の回転数まで低下させる工程と、基板Ｗの回転数を第１の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット３から当該液処理ユニット３の雰囲気を排気路３５、流路切替え部５を介して、複数の専用排出路（接続用流路）６１〜６３に排気する。前記流路切替え部５は、外筒５１とその内部に設けられた回転筒５３を備え、前記回転筒５３の３つの開口部５３ａ〜５３ｃは、当該回転筒５３を回転する間に、互いに対応する外筒５１の３つの接続口５１ａ〜５１ｃと回転筒５１の開口部５１ａ〜５１ｃとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗは基板保持部３に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部３４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部３４３からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第１のステップにて第１の回転速度で回転させながら被処理基板Ｗに薬液を供給し、第２のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Ｗを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第３のステップにて被処理基板Ｗを第１の回転速度以下の第３の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Ｗにリンス液を供給する。 （もっと読む）