【課題】基板の搬送経路を複数有する処理部であっても、当該処理部から本装置とは別体の露光機へ基板を搬送する順番を好適に管理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部３は、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けて構成される。ＩＦ部５は、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄから払い出された基板Ｗを、本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰに搬送する。ここで、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順序（順番ＯＥ）は、処理部３に搬入された基板の順番ＯＡどおりである。このように基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けているので、フットプリントを増大させることなく、本装置１０のスループットを大きく向上できる。また、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順番ＯＥは、処理部３に搬入された基板Ｗの順番ＯＡと一致するので、各基板Ｗを容易に管理することができる。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、水平姿勢の基板に対して処理具を移動させて基板に処理を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】略水平方向に並べて設けられ、基板Ｗを略水平姿勢で保持する複数の処理ユニット１０１ａ、１０１ｂと、基板Ｗに現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂと、ノズル１１１ａ、１１１ｂを支持するアーム部材１１３ａ、１１３ｂと、アーム部材１１３ａ、１１３ｂを直線的に移動させる駆動部１２０ａ、１２０ｂと、を備えている。駆動部１２０ａ、１２０ｂは異なる高さ位置に配置され、平面視で一部重複している。アーム部材１１３ａは、駆動部１２０ｂと干渉しない形状を呈して、駆動部１２０ａが駆動部１２０ｂと平面視で一部重複している範囲にも移動可能である。このように、複数の駆動部１２０ａ、１２０ｂを平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理を実行する前に処理空間１６２の湿度を低下させており、乾燥処理を低湿度雰囲気で行っているため、基板乾燥により基板表面にウォーターマーク等が発生するのを効果的に抑えることができる。また、乾燥性能を高めるために置換処理を行っているが、湿度が低下した処理空間でＩＰＡ液が蒸発するため、ＩＰＡ乾燥時に発生する気化熱に起因する乾燥不良を効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ユニット１３内の処理液の減少に起因する基板処理装置の強制停止の頻度を減少させて、処理液を有効に使い、歩留まりの良好な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に液処理を施す複数の液処理ユニット１２と、複数の液処理ユニット１２に対する基板の搬入・搬出を行う基板搬送手段と、複数の液処理ユニット１２へ処理液を供給する処理液供給ユニット１３と、前記処理液供給ユニット１３の処理液貯留槽１６内の処理液の残量を検出するレベルゲージ１６１を備えて、レベルゲージ１６１が検出する処理液貯留槽１６内の処理液の残量が所定量を下回る場合に、液処理ユニット１２への基板の搬入を停止する。 （もっと読む）

【課題】スケジュール作成時間が長くなることを防止するとともに、稼働率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】処理の実行前に予めスケジュールすることで、前の処理工程の後作業と、その後の処理工程の前作業とを重複させて配置可能であり、前の処理工程が早く終了するロットの処理工程を次の処理工程として優先的に選択して配置することで、次の処理工程が終了するまでの時間を短縮することができる。さらに、先に配置したロットと同一のロットの処理工程を優先的に配置（ステップＷ７，Ｗ１１）することにより、装置が停止した状態から処理を再開するスケジュールに関してスケジュール時間を短縮できる。その結果、スケジュール作成時間が長くなることを防止するとともに、かえって無駄な待機時間が生じることを防止して稼働率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明によるオゾン水混合液供給装置は、処理液供給ライン及びオゾン水供給ライン夫々から処理液及びオゾン水の供給を受けこれを混合して予め設定された濃度範囲内のオゾン水混合液を製造する混合ラインと、混合ラインから製造するオゾン水混合液を処理ユニットに分配させる分配ラインと、を有する。混合ラインには、混合バルブ及びスタティックミキサを設ける。本発明は、混合タンクのような混合容器なしにインライン混合方式で予め設定のオゾン水混合液を製造及び供給する。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング２の内部の収容空間に、第１処理チャンバ１０、第２処理チャンバ２０および第３処理チャンバ３０が、下方から順に積層されている。第１処理チャンバ１０の上方には、第１蓋１１を介して、第２処理チャンバ２０が積層されている。第１蓋１１および第２処理チャンバ２０が、一体的に、第１処理チャンバ１０に対して相対的に昇降する。第２処理チャンバ２０の上方には、第２蓋２１を介して、第３処理チャンバ３０が積層されている。第２蓋２１および第３処理チャンバ３０が、一体的に、第２処理チャンバ２０に対して相対的に昇降する。 （もっと読む）

【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部４０を有し、制御部４０は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置１２およびウエハ出し入れステージ１５が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ１５に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置１２の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ１５での操作のタイミング、およびウエハ移載装置１９の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部５４を有する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送に要する時間を短くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ搬送ロボット２０は、複数枚の基板が収納されたＦＯＵＰ８０をロードポート１０とＦＯＵＰ載置台３０との間で搬送する。インデクサロボット４０は、ＦＯＵＰ載置台３０に載置されたＦＯＵＰ８０に収納された基板Ｗ（未処理基板）を基板受渡部５０を介して洗浄処理部６０に渡すとともに、洗浄処理部６０でスクラブ洗浄処理された基板Ｗ（処理済み基板）を基板受渡部５０を介して受け取ってＦＯＵＰ８０に収納する。ＦＯＵＰ載置台３０は、インデクサロボット４０の周囲に複数個設けられる。したがって、インデクサロボット４０は基板Ｗを搬送するにあたって水平方向に沿って移動する必要がない。これによって基板搬送に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理液を用いる枚葉式のウエット処理装置において、高揮発性や反応性等の処理液について、その処理液及び処理液から発生するミストや気体の流出、及び、他の処理液の流入を防止することが可能なウエット処理装置を提案する。
【解決手段】第一のチャンバ１と、第一のチャンバ１の上方又は下方に位置する第二のチャンバ２とを備え、両チャンバ１，２には互いに対向する位置に開口部１ａ，２ａが設けられており、第一のチャンバ１と第二のチャンバ２の間にて二つの開口部１ａ，２ａを介して保持手段３を昇降させる昇降手段４と、第一のチャンバ１の開口部１ａを開閉する開閉手段１ｂと、第一のチャンバ１内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第一の供給手段６と、第二のチャンバ２内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第二の供給手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂから衝突位置Ｐ１に向けて純水の１次微粒子を噴射することにより、１次微粒子よりも粒径が小さい２次微粒子がカバー部４２の内部空間４２１内に生成され、気体送出部４３から衝突位置Ｐ１に向けて窒素ガスが送出されることにより、２次微粒子が基板９に噴射される。ノズルユニット４では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の１次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの１次微粒子の衝突により所望の粒径の２次微粒子が生成される。そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により冷却された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下になると、処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。 （もっと読む）

【課題】スループットが向上された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサＩＤおよび処理部ＰＲを有する。インデクサＩＤと処理部ＰＲとの間に隔壁Ｄが形成されている。インデクサＩＤと処理部ＰＲとの間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡し部３は、処理部ＰＲ内に設けられている。インデクサＩＤでは、インデクサロボットＩＲがキャリア１と受け渡し部３との間でハンドにより基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲは、第１の軸Ｓａに沿った移動動作および回転動作を行う。ハンドは前進動作および後退動作を行う。受け渡し部３の一端部（第１の受け渡し位置）３５１は隔壁Ｄの中央部からインデクサＩＤ内に突出している。第１の受け渡し位置３５１の両側方には、通路スペースＳＰが形成されている。通路スペースＳＰは、インデクサロボットＩＲのハンドが前進した状態で通過できるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる回転式基板処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、基板Ｗを回転させつつ露光ヘッド５３０から光を照射して基板Ｗの端縁部を露光する。端縁部の露光処理に先立って、保持回転部２００によって基板Ｗを１回転させつつエッジセンサ８００が基板Ｗの端縁部の位置を検知してエッジデータを取得する。ＥＥＷコントローラ９００は、取得されたエッジデータに基づいて、基板Ｗの偏心量の異常、基板ＷのノッチＮＴの角度異常およびエッジセンサ８００の異常の有無を判断する。そして、エッジデータに異常有りと判断されたときには、ＥＥＷコントローラ９００アラーム発報を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法により、ロット間におけるパーティクルの除去効率のばらつきを抑制することができる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、洗浄槽１２内の洗浄液に溶解したガスの溶存濃度を飽和濃度にする工程と、洗浄槽内の洗浄液に超音波を照射して、洗浄槽内の洗浄液に浸漬された基板Ｗを洗浄する工程と、を備える。溶存濃度を飽和濃度にする工程においては、洗浄槽内にガスを供給して、洗浄槽内に洗浄液にガス溶存濃度を飽和濃度にする。また、溶存濃度を飽和濃度にする工程において、洗浄槽内の洗浄液への超音波の照射は停止されている。 （もっと読む）

【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの端部Ｗ１を洗浄する基板洗浄装置１Ａ、１Ｂであって、前記基板Ｗを略水平姿勢に保持し、該基板Ｗを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段２と、前記基板保持手段２により保持され、所定の回転速度で回転する基板Ｗの端部Ｗ１に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段７とを備え、前記洗浄液噴射手段７は、前記洗浄液を前記基板Ｗの端部Ｗ１に対し側方から噴射する。 （もっと読む）

【課題】基板上にエッチング処理により形成された凹部に露出する低誘電率絶縁膜から水分を脱離させた上で新たな水分を吸収し難くすることができるとともに，エッチング処理などにより凹部に露出する金属層に形成された不所望の金属化合物を除去する。
【解決手段】ウエハを所定の温度に加熱しつつ，このウエハ上に水素ラジカルを供給することによって，凹部に露出した金属層の表面をクリーニングするとともに，低誘電率絶縁膜を脱水する水素ラジカル処理工程（ステップＳ１３０）と，水素ラジカル処理が施されたウエハに所定の処理ガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化する疎水化処理工程（ステップＳ１５０）とを有し，水素ラジカル処理工程と疎水化処理工程とを大気に晒すことなく連続して行う。 （もっと読む）