真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送手段を備えた真空搬送室に複数の真空処理室を接続した真空処理装置において、真空搬送室を有効に活用するための技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にエッチング処理や成膜処理、アッシング処理等の所定の真空処理を施す工程があり、これらの工程を行う装置として、複数の真空処理室を共通の真空雰囲気の搬送室に接続し、この真空搬送室と常圧雰囲気の搬送室との間を、ロードロック室をなす予備真空室を介して接続するいわゆるマルチチャンバ方式の真空処理装置が知られている。
【０００３】
このような真空処理装置を図１５に示す。この装置では、キャリア１０内のウエハは常圧雰囲気の搬送室１１の第１の搬送アーム１２により受け取られ、当該搬送アーム１２により常圧雰囲気の予備真空室１３に搬送される。次いで予備真空室１３内の雰囲気が所定の真空雰囲気に切り替えられた後、ウエハは予備真空室１３から第２の搬送アーム１４により受け取られ、真空搬送室１５を介して所定の真空処理室１６に搬入され、ここでウエハに対して真空処理が施される。この後ウエハは、第２の搬送アーム１４により真空搬送室１５を介して真空雰囲気の予備真空室１３に搬送され、予備真空室１３内の雰囲気が常圧雰囲気に切り替えられた後、第１の搬送アーム１２により搬送室１１を介して、キャリア１０に戻されるようになっている。
【０００４】
ここで前記第２の搬送アーム１４は、２本の保持アームを有しており、一方の保持アームにより当該真空処理室１６から処理後のウエハを受け取り、続いて他方の保持アームに保持されていた処理前のウエハを当該真空処理室１６に受け渡し、次いで前記一方の保持アーム上のウエハを次工程の処理を行う真空処理室１６に搬送するようになっている。
【０００５】
ところで前記真空処理装置では、真空搬送室１５の搬送路の長さ方向に沿って真空処理室１６が設けられているので、当該装置に設けられる真空処理室１６の個数は、前記真空搬送室１５の搬送路の長さに応じて決定されるが、現状の真空処理装置では、図に示すように前記真空処理室１６の最大個数は例えば６個程度であり、これら真空処理室１６は、エッチング処理や成膜処理、アッシング処理等の、半導体デバイスを製造するための一連の処理を行うように構成されている。
【０００６】
ところで前記真空処理装置においては、既述のエッチング処理等以外に、アームクリーニング処理や、ウエハＷに付着している付着物を気化させて除去するデガス処理等の処理を行うモジュールや、ウエハＷを仮置きするためのエリアを第２の搬送アーム１４によりアクセスできるように設けることが要請されている。
【０００７】
前記アームクリーニング処理とは、第２の搬送アーム１４のウエハ保持領域を洗浄する処理であり、前記真空処理室１６における処理の残留ガスが前記第２の搬送アーム１４に付着し、これが累積すると当該搬送アーム１４が成膜されてしまい、この膜がウエハに再付着したり、パーティクル汚染の原因となるおそれがあるため、これを防ぐべく当該搬送アーム１４の洗浄が必要となるからである。
【０００８】
またウエハＷを仮置きするためのエリアは、真空処理室１６から処理後のウエハＷを第２の搬送アーム１４により受け取った後、当該真空処理室１６の内部をクリーニング処理する場合等に必要となる。つまりこのクリーニング処理を行う場合には、第１の搬送アーム１４における２本の保持アームが当該真空処理室１６の処理前後のウエハを持ったままとなるが、処理前のウエハＷを当該真空処理室１６に受け渡さないと、第２の搬送アーム１４は次の真空処理室１６へのウエハＷの搬送ができないため、前記処理前後のウエハを保持したままクリーニング処理の終了を待機しなければならない。この際前記処理前のウエハを仮置きできるように構成すれば、クリーニング処理の終了を待たずに処理後のウエハＷを次工程の真空処理室１６に搬送できるので、スループットの低下を抑えることができ、このような理由からウエハＷを仮置きするためのバッファモジュールが必要となる。
【０００９】
しかしながら、現状の真空処理装置では、前記真空搬送室１５とアクセスできる領域には、半導体デバイスの製造処理を行うモジュールが優先的に搭載され、前記アームクリーニングモジュールや前記デガス処理を行うモジュールやバッファモジュール等の、前記半導体デバイスの製造処理の前後に用いられる付属モジュールについては搭載するスペースを確保することは難しい。
【００１０】
この際、真空搬送室１５の搬送路を長くして、当該真空搬送室１５に沿って配列されるモジュール数を増やし、ここに前記付属モジュールを搭載することも考えられるが、このような構成では装置の占有面積が大きくなってしまう上、第２の搬送アーム１４の移動領域が大きくなるので、当該搬送アーム１４のスループットが低下してしまう。また真空搬送室１５を大きくしたり、そこに接続するモジュール数を増加するとなると、装置全体や第２の搬送アーム１４の仕様を大幅に変更しなければならず、設計等に手間と時間を要するという問題もある。さらに予備真空室１３に前記付属モジュールを設けることも考えられるが、予備真空室１３は真空雰囲気と常圧雰囲気との間で雰囲気を切り換えなければならいので、当該雰囲気調整が煩雑になったり、この雰囲気調整によりスループットが低下したりといった悪影響を発生させてしまう懸念がある。
【００１１】
また前記アームクリーニングモジュールやバッファモジュールは、既述のように常に使用されるものではなく、所定のタイミングで用いられるモジュールである。従って使用しない時間が長いので、装置や搬送プログラムを設計する観点からは、前記半導体デバイスの製造のための一連の処理は、現状の装置を用いて、現状の搬送プログラムによって実施することが好ましい。このような要請から、本発明者らは、現状の装置構成やプログラムの仕様変更を最小限にとどめた状態で付属モジュールを追加できる構成について検討している。
【００１２】
ところで、特許文献１には、例えば真空搬送室にバッファ部を設けることにより、装置の占有面積を大きくすることなく、前記バッファ部において、ウエハＷのデガス処理や所定の測定を行うための簡単なプロセスを行う構成が提案されている。しかしながら、この構成では真空搬送室の搬送手段の移動領域にバッファ部を設けているので、搬送手段が真空搬送室の長さ方向に沿ってスライド移動することができず、真空搬送室に接続された全ての真空処理室にウエハＷを搬送するためには、異なる領域の夫々に２個の搬送手段を設ける必要がある。このように、真空搬送室にバッファ室と２個の搬送手段とを設けなければならないので、現状の真空処理装置とは仕様変更が必要であり、また装置の占有面積はある程度大きくしなければならない。従ってこの文献１の構成によっても、本発明の課題の解決を図ることはできない。
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−３２４８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はこのような事情のもとになされたものであり、その目的は、装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加できる真空処理装置及び、当該真空処理装置を使用した真空処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このため本発明の真空処理装置は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板搬送手段に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールを、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段に対して処理を行う位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする。ここで前記基板搬送手段に対して行なう処理としては、例えば当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかを行うことができる。
【００１６】
また本発明の真空処理装置は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板を載置するため又は基板を載置し更に当該基板に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールの全部又は一部を、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
ここで前記付属モジュールは、前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内に前記基板を配置するための位置と、前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうために前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降される載置部と、を備えるようにしてもよく、前記載置部は前記蓋体と一体となって昇降されるものであってもよい。
【００１８】
また前記付属モジュールは、前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内において前記基板が載置される載置部と、前記載置部との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、前記真空搬送室内における前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置と、の間で昇降自在に設けられた受け渡し手段と、備えるものであってもよい。
【００１９】
さらに前記付属モジュールは、前記載置部に載置された基板に対して処理を行うための手段を備えるようにしてもよく、この基板に対して処理を行うための手段は、基板温度を調整するための温度調整手段であってもよい。さらにまた前記付属モジュールでは、前記基板に対して真空処理を行う前に、当該基板を予備加熱する処理を行なうようにしてもよいし、真空処理が行われた基板を冷却する処理を行なうようにしてもよい。
【００２０】
さらにまた前記温度調整手段は、前記凹部を構成する真空搬送室の壁部に形成された温調流体の流路と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内にガスを供給するガス供給手段と、を含み、前記区画空間内を真空排気する真空排気手段を備えるようにしてもよい。この際、前記付属モジュールでは、例えば基板に付着した付着物を気化させて除去する処理が行われる。
【００２１】
さらにまた前記基板搬送手段は、前記真空搬送室内において、当該基板搬送室の一端側に設けられたガイドレールに沿って移動可能に設けられた基台と、この基台に水平方向に回転自在及び進退自在に設けられた基板の保持アームと、を備え、前記真空搬送室の底部に形成される凹部は、前記ガイドレールと干渉しない領域であって、前記基台がこのガイドレール上のある位置にあるときに、当該基台に干渉しないように形成されることが好ましい。
【００２２】
また本発明の真空処理方法は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室においてこの基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールを前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおいて前記基板搬送手段の基板に対して処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。ここで前記基板搬送手段に対して行なう処理としては、例えば当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかを行うことができる。
【００２３】
さらに本発明の真空処理方法は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールの全部又は一部を前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおける基板の載置部に対して、前記基板搬送手段により基板の受け渡しを行う工程と、
次いで前記付属モジュールを前記凹部に収納する工程と、を含むことを特徴とする。例えば前記凹部に収納された付属モジュールにおいて前記基板を載置する工程は、前記真空処理室に対してクリーニング処理を行うときに行なわれる。
【００２４】
また本発明では、前記凹部に収納された付属モジュールにおいて、前記載置部にされた基板に対して処理を行う工程を含むようにしてもよい。例えばこの基板に対する処理は、前記基板の温度を調整する処理であってもよいし、前記基板に付着した付着物を気化させて除去する処理であってもよい。
【００２５】
さらに本発明の記憶媒体は、基板を、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室と、真空搬送室とを介して真空処理室に搬送し、この真空処理室において前記ウエハに対して真空処理を施す真空処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、前記真空処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、真空搬送室の底部又は天井部に凹部を形成し、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを、使用しないときには前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納し、使用するときには真空搬送室内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。
【００２７】
また真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、当該凹部の開口部を塞ぐ蓋体とにより区間空間を形成し、ここで基板の待機や、基板の処理を行うようにすることにより、装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板の待機や基板処理を行う機能を追加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の真空処理装置２の一実施の形態について、図を参照しながら説明する。図１は前記真空処理装置２の全体構成を示す平面図であり、真空処理装置２は、ウエハＷのロード、アンロードを行うローダモジュールを構成する第１の搬送室２１と、ロードロック室２２,２３と、真空搬送室である第２の搬送室３と、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとを備えている。第１の搬送室２１の正面にはキャリアＣが載置されるロードポート２４が設けられており、第１の搬送室２１の正面壁には、前記ロードポート２４に載置されたキャリアＣが接続されて、当該キャリアＣの蓋と一緒に開閉されるゲートドアＧＴが設けられている。
【００２９】
また第１の搬送室２１の側面には、ウエハＷの向きや偏心の調整を行うアライメント室２５が設けられている。前記ロードロック室２２，２３には、夫々図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、常圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替えられるように構成されている。つまり第１の搬送室２１及び第２の搬送室３の雰囲気がそれぞれ常圧雰囲気及び真空雰囲気に保たれているため、ロードロック室２２，２３は、それぞれの搬送室間において、ウエハＷを搬送する時雰囲気を調整するためのものである。なお図中Ｇは、ロードロック室２２，２３と第１の搬送室２１又は第２の搬送室３との間、あるいは第２の搬送室３と前記各真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間を仕切るゲートバルブ（仕切り弁）である。
【００３０】
さらに第１の搬送室２１には、第１の搬送アーム２６が設けられている。この第１の搬送アーム２６は、キャリアＣとロードロック室２２，２３との間及び第１の搬送室２１とアライメント室２５との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アームであり、例えばキャリアＣの配列方向（図１中Ｘ方向）に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、進退自在に構成されている。
【００３１】
図１中、キャリアＣの配列方向（図１中Ｘ方向）を左右方向、キャリアＣの配列方向と直交する方向（図１中Ｙ方向）を長さ方向、キャリアＣが設けられている側を手前側と呼ぶことにすると、前記第２の搬送室３は、前記長さ方向に伸びる平面形状が細長い六角形状に構成され、この第２の搬送室３の手前側にはロードロック室２２，２３が設けられている。そして第２の搬送室３の左右方向の両側には前記長さ方向に沿って例えば２個の真空処理室３１Ａ，３１Ｂ、３１Ｅ，３１Ｆが夫々気密に接続されると共に、その奥側には２個の真空処理室３１Ｃ，３１Ｄが気密に接続されている。例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとしては、成膜装置やアニール装置、エッチング装置等が割り当てられている。
【００３２】
この第２の搬送室３は基板搬送手段をなす第２の搬送アーム３２（３２Ａ，３２Ｂ）を備えており、この搬送アーム３２により、ロードロック室２２，２３と各真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるようになっている。これら第２の搬送アーム３２Ａ，３２Ｂは、図１〜図５に示すように、夫々鉛直軸回りに回転自在、進退自在に構成された多間接アームの先端に、平面形状が略Ｕ字状の保持アーム３３を備えて構成され、共通の基台３４の上に設けられている。この基台３４の裏面側には前記左右方向の外縁近傍に下方側に伸びる支持部３５が設けられると共に、この支持部３５の下端側には移動機構３６が接続され、この移動機構３６により図１中Ｙ方向に伸びるガイドレール３７に沿ってスライド移動できるように構成されている。
【００３３】
前記第２の搬送室３の底部３０には、図２に示すように、その左右方向の両側に、例えば前記長さ方向に伸び、平面形状が細長い四角形状の第１の凹部３８が形成されており、前記ガイドレール３７は、この凹部３８内に設けられている。こうして前記第２の搬送アーム３２は、ロードロック室２２，２３側に寄ったホーム位置（図１に示す位置）と、第２の搬送室３の奥側の真空処理室３１Ｃ，３１Ｄ側に寄った位置との間で図１中Ｙ方向にスライド移動できるように構成されている。
【００３４】
さらに前記第２の搬送室３には付属モジュールが突没自在に設けられている。前記第２の搬送室３の底部３０には、第２の搬送アーム３２が前記ホーム位置にあるときの空いた領域、つまり第２の搬送室３の奥側の領域であって、第１の凹部３８よりも内側の領域に、例えば平面形状が四角形状の第２の凹部４１が形成され、この内部に付属モジュールが収納されるようになっている。この付属モジュールとは、第２の搬送アーム３２に対する処理や、ウエハＷの載置や、ウエハＷに対する処理を行うためのモジュールであり、例えばこの付属モジュールにて行われる処理の例としては、第２の搬送アーム３２に対する処理の例としては、例えば前記保持アーム３３の洗浄を行うアームクリーニングや、前記保持アーム３３の静電気除去処理、前記保持アーム３３の位置調整処理、前記保持アーム３３の温度調整処理等が挙げられる。また前記ウエハＷに対する処理の例としては、例えばウエハＷに付着した付着物を気化させて除去するデガス処理、ウエハＷの温度を調整する処理や、前記真空処理室３１Ａ〜３１ＦにおいてウエハＷに対して真空処理を行う前に、当該ウエハＷを予備加熱する処理や、前記真空処理が行われたウエハＷを冷却する処理等が挙げられる。
【００３５】
続いてこの付属モジュールの一例について、前記アームクリーニングを行う洗浄モジュール４を例にして、図３〜図６を参照して説明する。この洗浄モジュール４は、前記第２の搬送アーム３２Ａ，３２ＢのウエハＷの保持領域を洗浄するものである。図中４０は当該洗浄モジュール４の筐体であり、例えば平面形状が四角形状の扁平な角筒状に形成され、その内部に第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が入り込む程度の大きさに設定されている。この筐体４０における予備真空室２２，２３側の面は開口部４２として開口されていて、第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が、この開口部４２を介して筐体４０内に進入及び退出できるようになっている。
【００３６】
この筐体４０内部における、筐体４０内に進入した前記保持アーム３３の上方側には、当該保持アーム３３に向けて例えばイソプロピルアルコール等の洗浄ガスを吹き付けるための洗浄ガス供給部４３が設けられている。この洗浄ガス供給部４３は、保持アーム３３におけるウエハＷの保持領域に洗浄ガスを供給するように、保持アーム３３の２本のアームに沿って伸びる洗浄ガス供給管４３ａと、この洗浄ガス供給管４３ａに長さ方向に沿って所定の間隔を開けて設けられた複数個のノズル部４３ｂと、この洗浄ガス供給管４３ａに洗浄ガスを供給するための洗浄ガス供給路４３ｃとを備えている。前記洗浄ガス供給路４３ｃは、伸縮自在な材料により構成され、その他端側は凹部４１の底部を貫通して、洗浄ガス供給源４４にバルブＶ１を介して接続されている。
【００３７】
また筐体４０の底部には、例えば中央部に、洗浄ガスの排気口４５ａが形成され、筐体４０の裏面側には、前記排気口４５ａの周囲を囲むように排気ベローズ４５が設けられている。この排気ベローズ４５の他端側は前記凹部４１の底部に形成された排気口４６ａを介して排気路４６に接続され、この排気路４６の他端側は真空排気手段４７にバルブＶ２を介して接続されている。
【００３８】
このような筐体４０は、前記凹部４１に設けられた昇降手段４８により、当該筐体４０が凹部４１に収納される収納位置と、第２の搬送室３内において前記保持アーム３３が前記筐体４０内に、進入及び退出する処理位置（第２の搬送アーム３２に対して処理を行う位置）との間で昇降自在に構成されている。前記昇降手段４８としては、エアシリンダーや電動アクチュエータ等を用いることができる。また図中４９は昇降ガイドである。なお前記筐体４０が前記収納位置にあるときには、筐体４０の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しない状態で、筐体４０が凹部４１に収納されるようになっている。
【００３９】
さらにこの真空処理装置には、図１に示すように例えばコンピュータからなる制御部１００が設けられており、この制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部を備えていて、前記プログラムには制御部１００から真空処理装置の各部に制御信号を送り、後述の搬送順序を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部１００にインストールされる。ここで第２の搬送室３においては、制御部１００によってゲートバルブＧの開閉、第２の搬送アーム３２の駆動、洗浄モジュール４の昇降、洗浄モジュール４における所定の処理の際に、各部に制御信号が送られるようになっている。
【００４０】
続いて前記真空処理装置におけるウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず多数枚のウエハＷが収納された密閉型キャリアＣを第1の搬送室２１に搬入し、第１の搬送アーム２６により、当該キャリアＣ内のウエハＷを受け取る。次いで常圧雰囲気の予備真空室２２,２３のゲートバルブＧを開き、第１の搬送アーム２６により前記ウエハＷを予備真空室２２，２３内に搬入する。次いで予備真空室２２，２３を所定の真空雰囲気まで減圧した後、ゲートバルブＧを開き、第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け取り、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆのいずれかに搬送し、当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおいて、所定の真空処理を実施する。
【００４１】
こうして真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ内にて処理が行なわれたウエハＷは、第２の搬送アーム３２により当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆから搬出され、真空雰囲気に設定された予備真空室２２，２３内に搬入される。次いで予備真空室２２，２３内を常圧雰囲気まで戻した後、第１の搬送アーム２６により予備真空室２２，２３内のウエハＷを受け取り、第１の搬送室２１を介して所定のキャリアＣに戻される。
【００４２】
続いて本発明のアームクリーニング処理について説明する。本発明のアームクリーニング処理は、第２の搬送アーム３２により、予備真空室２２，２３と真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間でウエハＷの搬送を複数回行なった後に行われるものであり、例えば予め設定された所定のタイミングやメンテナンス時に行なわれる。
【００４３】
先ず第２の搬送アーム３２（３２Ａ，３２Ｂ）を前記ホーム位置に位置させて、前記洗浄モジュール４を前記収納位置から前記処理位置まで上昇させる。次いで第２の搬送アーム３２Ａの保持アーム３３を当該洗浄モジュール４の筐体４０内に進入させ、バルブＶ１を開いて洗浄ガス供給管４３ａに洗浄ガスを供給する一方、バルブＶ２を開いて真空排気手段４７により前記筐体４０内を排気する。これにより前記保持アーム３３には上方側から洗浄ガスが吹き付けられ、当該洗浄ガスにより保持アーム３３に付着していた成膜成分を剥離させて除去し、当該成膜成分を洗浄ガスと共に排気口４５ａより排気ベローズ４５、排気路４６を介して真空排気装置２の外部へ排出する。こうして第２の搬送アーム３２Ａの保持アーム３３の洗浄が終わった後、同様に第２の搬送アーム３２Ｂの保持アーム３３についても洗浄処理を行う。こうして両搬送アーム３２Ａ，３２Ｂの洗浄処理が終了した後、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置まで戻し、洗浄モジュール４を下降させて第２の凹部４１に収納する。
【００４４】
このようなアームクリーニング処理を行うことにより、所定のタイミングで保持アーム３３のウエハ保持領域が洗浄されるので、前記真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおける処理の残留ガスが第２の搬送アーム３２に付着したとしても、これが累積されて当該搬送アーム３２が成膜されることが抑えられる。このため、搬送アーム３２に形成された膜がウエハに再付着したり、パーティクル汚染の原因となることが抑えられる。
【００４５】
ここでこの洗浄モジュール４は、真空処理装置２の底部３０における、第２の搬送室３の搬送領域の空いている部分、つまり第２の搬送アーム３２が前記ホーム位置に位置するときに空いている部分に形成された凹部４１に収納されるので、従来の真空処理装置２の占有面積の増加を抑えて、洗浄モジュール４を追加することができる。
【００４６】
従って従来の真空処理装置２において、第２の搬送室３の底部３０の構造を変更することにより、洗浄モジュール４の追加に対応でき、第２の搬送アーム３２自体や、予備真空室２２，２３、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ等の装置の他の部分の構成については変更することがないので、システム変更を最小限にとどめることができ、装置設計が容易となる。この際、既述のように第２の搬送室３が長さ方向に細長く形成され、第２の搬送アーム３２が前記長さ方向に沿って移動可能に構成される場合には、搬送領域に前記搬送アーム３２が位置しない空き領域が形成されるので、この空き領域に洗浄ジュール４を設けることは、スペースの有効活用となる。
【００４７】
また前記洗浄モジュール４は、使用しない時には、第２の搬送アーム３２によるウエハＷ搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納されている。これにより洗浄モジュール４を使用しないときには、従来どおりのウエハＷの搬送を行なうことができ、搬送プログラムの仕様変更を最小限にとどめることができるので、対応が容易となる。
【００４８】
以上において、前記洗浄モジュール４は、例えば図７に示すように、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の内部に設けられるように構成してもよい。この例では、洗浄モジュール４は、その上面が、前記凹部５０の天井部に設けられた昇降手段５１と接続され、この昇降手段５１により、前記第２の搬送アーム２３によるウエハ搬送を阻害しないように収納前記凹部５０に収納される収納位置と、第２の搬送室３内における前記処理位置との間で昇降されるように構成されている。図７中５２は昇降ガイドであり、その他の構成は図３に示す真空処理装置２と同様である。
【００４９】
続いて、付属モジュールにて前記保持アーム３３に対して行なう処理の他の例について簡単に説明する。先ず前記保持アーム３３の静電気除去処理は、例えば付属モジュールの筐体内にイオナイザーを設け、このイオナイザーにより、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対する静電気除去処理が行われる。例えばイオナイザーとしては、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対してイオンガスを供給する構成や、前記前記保持アーム３３をイオナイザーに接触させる構成等が用いられる。このように保持アーム３３の静電気を除去することによって、パーティクルの吸着を防止したり、ウエハＷの絶縁破壊を抑えることができる。
【００５０】
また前記保持アーム３３の位置調整処理は、例えば付属モジュールの筐体内に位置検出手段を設け、これにより前記筐体内に挿入された前記保持アーム３３の位置データを把握し、この位置データに基づいて制御部１００から基板搬送手段の駆動機構に位置調整指令を出力することにより行われる。前記位置検出手段としては、前記保持アーム３３を撮像して位置検出を行うＣＣＤカメラや、光学的に前記保持アーム３３の位置検出を行う手段を用いることができる。このように保持アーム３３の位置調整を行なうことによって、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや予備真空室２２，２３に対して、ウエハＷの受け渡しを正確に行なうことができ、ウエハＷの受け渡し時に、ウエハＷを落下させたり、ウエハＷに衝突したりといった事故の発生を抑えることができる。
【００５１】
さらに前記保持アーム３３に対して加熱や冷却等を行う温度調整処理は、例えば筐体内に温度調整手段を設け、これにより筐体内に挿入された前記保持アーム３３を加熱、冷却することによって、当該保持アーム３３を所定温度に調整することにより行われる。例えば温度調整手段としては、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対して、温度調整がされた不活性ガスを供給する構成や、前記前記保持アーム３３を温度調整されたプレートに接触させる構成等が用いられる。このように保持アーム３３の温度調整を行なうことにより、未処理ウエハを処理温度近傍まで予備加熱したり、処理後のウエハを冷却したりして、他のユニットにおけるウエハの加熱や冷却に要する時間を短縮し、スループットを向上させるという効果が得られる。これら静電気除去処理や温度調整処理において、筐体内にガスを供給する場合には、前記洗浄モジュール４と同様に、伸縮自在のガス供給路と、排気ベローズを設け、筐体が昇降した場合に適応させる。
【００５２】
続いてこの実施の形態の他の例について図８を用いて説明する。この例は、付属モジュールとして、複数枚例えば１３枚のウエハＷが載置されるバッファモジュール６が設けられる例である。このバッファモジュール６は、例えば平面形状が四角形状の扁平な角筒状に形成された筐体６０を備え、この筐体６０における予備真空室２２,２３側の面は開口部６１として開口されていて、バッファモジュール６が第２の搬送室３内に位置するときには、第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が、この開口部６１を介して当該筐体６０内に進入及び退出できるようになっている。また筐体６０内部には、ウエハＷの裏面側周縁部を保持するための複数の保持部６２が、上下方向に所定の間隔を空けて設けられている。この保持部６２はウエハＷが載置される載置部に相当するものである。そしてこのような筐体６０は、前記第２の凹部４１に設けられた昇降手段６３により、当該筐体６０が前記凹部４１に収納される収納位置と、第２の搬送室３内において、前記保持アーム３３が当該バッファモジュール６に対してウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、の間で昇降自在に構成されている。そして当該バッファモジュール６が前記収納位置にあるときには、筐体６０の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しない状態で、筐体６０が前記凹部４１内に収納されるようになっている。図中６４は昇降ガイドである。
【００５３】
このようなバッファモジュール６は、例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ内をクリーニング処理する場合等に用いられる。具体的に真空処理室３１Ａをクリーニングする場合を例にして説明すると、先ず第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させるが、この際この第２の搬送アーム３２では、一方の搬送アーム３２Ａにて当該真空処理室３１Ａにて処理された後のウエハＷを保持し、他方の搬送アーム３２Ｂにて当該真空処理室３１Ａに次に搬入するウエハＷを保持している。
【００５４】
そして前記バッファモジュール６を前記受け渡し位置まで上昇させ、搬送アーム３２Ｂに保持されている処理前のウエハＷを当該バッファモジュール６の保持部６２に受け渡す。次いでバッファモジュール６を前記収納位置まで下降させてから、搬送アーム３２Ａにより処理後のウエハＷを次の工程を実施する真空処理室３１Ｂに搬送する。そして真空処理室３１Ａのクリーニングが終了した後、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、バッファモジュール６を上昇させて、当該バッファモジュール６に載置されている処理前のウエハＷを搬送アーム３２により受け取る。次いで当該バッファモジュール６を下降させて前記凹部４１内に収納してから、前記ウエハＷを真空処理室３１Ａに搬入する。
【００５５】
このようなバッファモジュール６を設けることにより、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆが内部をクリーニングする場合であって、当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆに対してウエハＷの受け渡しを行うことができない場合であっても、このときに第２の搬送アーム３２が保持している処理前のウエハＷをバッファモジュール６に仮置きすることができる。このため第２の搬送アーム３２の一方が空いた状態となり、クリーニングが行われている真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにて処理されたウエハＷを次工程の真空処理室３１Ａ〜３１Ｆに搬送できる。これにより第２の搬送アーム３２がクリーニングが行われている真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおける処理前後のウエハＷを保持したまま、当該クリーニングが終了するまで搬送を行なうことができずに待機する状態の発生が抑えられ、スループットの低下を防ぐことができる。
【００５６】
この例においても、前記バッファモジュール６を、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の内部に収納されるように設け、前記凹部５０内における前記収納位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置との間で昇降させるように構成してもよい。
【００５７】
続いて本発明の他の実施の形態について図９〜図１２を用いて説明する。この例における付属モジュールは、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体７と、当該凹部４１と蓋体８２とにより形成された区画空間Ｓの内部においてウエハＷを載置する載置部と、を備えており、前記区画空間Ｓの内部にてウエハＷに対して処理が行なわれるように構成されている。図中７１は前記蓋体７の下面に設けられた、載置部をなすウエハＷの保持部材である。この保持部材７１は、例えば図９に示すように、前記蓋体７と対向する底板７２を備えると共に、蓋体７と底板７２との間に複数本例えば３本の支柱７３ａ〜７３ｃを備えており、この支柱７３ａ〜７３ｃには、ウエハＷを上下に所定間隔を空けて保持するための保持部７４ａ〜７４ｃが夫々形成され、これら保持部７４ａ〜７４ｃによりウエハＷの周縁が保持されるように構成されている。
【００５８】
これら蓋体７と保持部材７１は、保持部材７１の底板７２の下面に設けられた共通の昇降手段７５により一体となって昇降自在に構成され、当該蓋体７が前記凹部４１を気密に塞ぐ位置と、当該蓋体７及び保持部材７１が第２の搬送室３内に飛び出し、前記保持部材７１が第２の搬送アーム３２との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡し位置との間で昇降自在に構成されている。図９中７５ａは昇降ガイド、７６は蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐためのシール部材をなすＯリングである。また前記蓋体７が前記凹部４１を塞ぐ位置にあるときには、前記蓋体７の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しないように、基台３４の下面が蓋体７の上方側を移動するようになっている。
【００５９】
さらにこの例では、例えば前記凹部４１の側壁４１ａに温調流体の流路４１ｂが形成され、当該流路４１ｂに温調流体供給部７７から所定温度に調整された温調流体が循環供給されるように構成されている。また前記凹部４１には、不活性ガス例えばＮ２ガスを当該凹部４１と蓋体７とにより形成された区画空間Ｓ内に供給するためのガス供給路７８ａが接続され、このガス供給路７８ａの他端側はバルブＶ３を介してガス供給源７８に接続されている。さらに前記凹部４１には、前記区画空間Ｓ内の雰囲気を真空排気するための排気路７９ａが設けられ、この排気路７９ａの他端側には、バルブＶ４を介して真空排気手段７９が接続されている。この例では、前記温調流体の流路４１ｂと、前記ガス供給路７８ａとガス供給源７８とよりなるガス供給手段と、から温度調整手段が構成されている。
【００６０】
このような構成では、前記区画空間Ｓ内にてウエハＷの温調処理、例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおいて真空処理を行う前にウエハＷを予備加熱する処理が行われる。以下にこの予備加熱処理について図１０〜図１２を用いて説明する。先ず図１０（ａ）に示すように、蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞いでこれらにより区画空間Ｓを形成し、この区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気する。またこの際、前記流路４１ｂに所定温度に調整された温調流体を通流しておく。
【００６１】
続いて図１０（ｂ）に示すように、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、蓋体７及び保持部材７１を前記受け渡し位置まで上昇させ、ここで当該保持部材７１に第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け渡す。次いで蓋体７及び保持部材７１を下降させて、こうして蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を塞いで区画空間Ｓを形成する。この際、前記区画空間Ｓ内は真空排気手段７９により真空排気され、流路４１ｂに所定温度に調整された温調流体が供給されている。
【００６２】
次いで図１１（ａ）に示すように、前記区画空間Ｓ内の真空排気を停止し、当該区画空間Ｓ内にガス供給手段７８により不活性ガスを所定の流量で供給して、例えば区画空間Ｓ内を大気圧程度の圧力まで昇圧する。このようにすると温調流体により前記凹部４１は所定温度に加熱されているので、この熱が不活性ガスによってウエハＷに伝導され、こうしてウエハＷが所定温度例えば２００℃程度に加熱される。
【００６３】
この加熱処理を例えば３０秒程度行った後、図１１（ｂ）に示すように、前記区画空間Ｓ内への不活性ガスの供給及び温調流体の供給を停止し、当該区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により、第２の搬送室３と同程度の圧力まで真空排気する。次いで図１２に示すように、前記蓋体7及び保持部材７１を前記受け渡し位置まで上昇させ、処理後のウエハＷを第２の搬送アーム２３に受け渡す。
【００６４】
このような構成では、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体７を設けて、当該凹部４１と蓋体７とにより区画空間Ｓを形成し、この内部にてウエハＷに対して処理を行うことにより、前記凹部４１を処理チャンバの一部として用いているので、従来の真空処理装置２の占有面積の増大を抑えつつ、ウエハＷを処理する機能を追加することができる。また、第２の搬送室３に当該機能を追加する以外の構成、つまり真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや第２の搬送アーム３２等の構成は変更する必要がないので、システム変更を最小限にとどめた状態で前記機能を追加することができる。
【００６５】
この際、前記区画空間Ｓを気密に構成し、当該区画空間Ｓにガスを供給するガス供給手段や、当該区画空間Ｓ内を真空排気する真空排気手段７９を設けているので、当該区画空間Ｓは第２の搬送室３とは独立して圧力調整やガスの給排気を行なうことができる。従ってこの付属モジュールでは、ウエハＷの予備加熱処理以外に、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにて真空処理されたウエハＷを冷却する処理や、ウエハＷのデガス処理等を行うことができ、付属モジュールにて行われる処理の自由度が高められる。さらにこの例の温度調整手段としては、ペルチェ素子等を用いることもできる。
【００６６】
続いてこの実施の形態の他の例について図１３を用いて説明する。この例では、蓋体８をスライド移動させることにより、前記凹部４１の上部側開口部を開閉自在に構成したものである。ここで前記凹部４１の開口部は例えば長辺が５００ｍｍ程度の大きさであるため、前記蓋体８としては、例えば振り子型バルブを用いることができる。図中８１は蓋体８の移動機構であり、保持部材７１が蓋体８とは別個に設けられると共に、昇降手段７５により昇降自在に構成されている他は、上述の図９に示す例と同様に構成されている。
【００６７】
この例では、先ず蓋体８により前記凹部４１の上部側開口部を閉じ、前記凹部４１と蓋体８とにより形成される区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により、第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気した後、蓋体８をスライド移動させて前記凹部４１の上部側開口部を開く。次いで保持部材７１を昇降手段７５により前記受け渡し位置まで上昇させ、第２の搬送アーム３２から当該保持部材７１にウエハＷを受け渡す。次いで保持部材７１を凹部４１内の所定位置まで下降させてから、蓋体８をスライド移動させて前記凹部４１の上部側開口部を閉じ、前記区画空間Ｓ内にガス供給手段から不活性ガスを供給する。これにより温調流体の熱を不活性ガスを介してウエハＷに伝導させ、ウエハＷの予備加熱処理を所定時間行う。続いて前記区画空間Ｓへの不活性ガスの供給を停止すると共に、当該区画空間Ｓ内を第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気した後、蓋体８を開き、保持部材７を前記受け渡し位置まで上昇させて、第２の搬送アーム３２に処理済みウエハＷを受け渡す。
【００６８】
以上において、図９及び図１３に示す例においても、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の下面側開口部を蓋体７，８により気密に塞ぐと共に、保持部材７１を前記凹部５０内における位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置との間で昇降自在に構成し、前記凹部５０と蓋体７，８とにより形成された区画空間Ｓ内にて、ウエハＷに対して所定の処理を行うようにしてもよい。また保持部材７１と蓋体７を別個に昇降させるようにしてもよい。
【００６９】
続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１４を用いて説明する。この例においても、付属モジュールは、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体８２と、当該凹部４１と蓋体８２とにより形成された区画空間Ｓの内部においてウエハＷを載置する載置部８４と、を備え、前記区画空間Ｓの内部にてウエハＷに対して処理を行うように構成されている。
【００７０】
前記蓋体８２は昇降手段８３により、当該蓋体８２が前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置の上方側の位置との間で昇降自在に構成されている。ここで前記蓋体８２が前記凹部４１を塞ぐ位置にあるときには、蓋体８２の上面が、第２の搬送アーム３２の基台３４の移動を阻害しないように、基台３４の下面が蓋体８２の上方側を移動するようになっている。図９中８３ａは昇降ガイドである。
【００７１】
前記凹部４１の内部にはウエハＷの載置部８４が設けられており、この載置部８４には加熱手段例えばヒータ８５が内蔵されている。図中８６は前記ヒータ８５に所定の電力を供給するための電力供給部であり、この例では前記ヒータ８５と電力供給部８６とにより温度調整手段が構成されている。またこの載置部８４には当該載置部８４に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し手段８７が設けられており、この受け渡し手段８７は昇降手段８７ａにより、第２の搬送室３内における、前記第２の搬送アーム３２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、前記載置部８４との間でウエハＷの受け渡しを行う載置位置との間で昇降自在に構成されている。
【００７２】
さらに区画空間Ｓには、例えば載置部８４の上方側に、当該区画空間Ｓ内にガスを供給するためのガス供給路８８ａが設けられ、このガス供給路８８ａの他端側はバルブＶ５を介してガス供給源８８に接続されている。さらに前記凹部４１には、前記区画空間Ｓ内の雰囲気を真空排気するための排気路８９ａが設けられ、この排気路８９ａの他端側には、バルブＶ６を介して真空排気手段７９が接続されている。
【００７３】
この例では、前記凹部４１と蓋体８２とにより基板に対して真空処理を行う処理チャンバが構成され、前記凹部４１と蓋体８２とにより形成された前記区画空間Ｓ内では、ウエハＷのデガス処理や表面処理、アニール処理やエッチング処理等の真空処理等を行うことができる。
【００７４】
前記デガス処理を行う場合について簡単に説明すると、先ず蓋体８２により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞いで前記区画空間Ｓを形成し、この区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気する。この際載置部８４を所定温度に加熱しておく。
【００７５】
続いて第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、蓋体８２を上昇させると共に、受け渡し手段８７を前記受け渡し位置まで上昇させ、ここで当該受け渡し手段８７に第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け渡す。このとき蓋体８２は前記受け渡し位置の上方側に位置することになる。前記蓋体８２の昇降手段８３は、受け渡し手段８７が前記載置位置にあるときに、第２の搬送アーム３２から当該受け渡し手段８７へのウエハＷの受け渡しを阻害しない位置に設けられている。次いで例えば受け渡し手段８７を前記載置位置まで下降させ、これにより載置部８４にウエハＷを受け渡してから、蓋体８２を下降させて前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぎ、こうして蓋体８２と前記凹部４１とにより区画空間Ｓを形成する。
【００７６】
そしてガス供給路８８ａを介して前記区画空間Ｓ内に所定の処理ガスを供給すると共に、載置部８４の熱をウエハＷに伝導させ、こうしてウエハＷを所定温度に加熱して、ウエハＷに付着した付着物を気化させて除去する。前記区画空間Ｓ内は真空排気されていると共に、処理ガスが供給されているので、前記付着物の気化成分は前記処理ガスと共に外部へ排気されていき、前記気化成分がウエハＷに再付着することが抑えられる。このデガス処理を例えば３０秒程度行った後、区画空間Ｓ内を第２の搬送室３と同じ圧力に調整してから、蓋体８２及び受け渡し手段８７を第２の搬送室３内に上昇させ、処理後のウエハＷを第２の搬送アーム２３に受け渡す。
【００７７】
このような構成においても、前記凹部４１を気密に塞ぐ蓋体８２を設けて当該凹部４１と蓋体８２とにより区画空間Ｓを形成し、この内部にてウエハＷに対して処理を行うことにより、前記凹部４１を処理チャンバの一部として用いているので、従来の真空処理装置２の占有面積を増加させずに、ウエハＷを処理する機能を追加することができる。また第２の搬送室３に当該機能を追加する以外の構成、つまり真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや第２の搬送アーム３２等の構成は変更する必要がないので、システム変更を最小限にとどめた状態で前記機能を追加することができる。
【００７８】
さらにこの例では、載置部８４に温調流体を供給することにより、載置部８４の温度を調整し、載置部８４の熱を直接ウエハＷに伝熱させてウエハＷの予備加熱処理や冷却処理を行うようにしてもよい。さらに図９に示す例と同様に、前記凹部４１の壁部に温調流体の流路を形成し、ここに所定温度に調整された温調流体を通流させて、区画空間Ｓ内にあるウエハＷの温度調整を行なうようにしてもよい。また載置部８４を設けずに、受け渡し手段８７にウエハＷを保持した状態で、所定の処理を行うようにしてもよい。
【００７９】
以上において本発明は、第２の搬送アーム３２がスライド移動しない構成について適用することができる。またバッファモジュール６や蓋体７の下面に設けられた保持部材７１や、凹部４１内に設けられた載置部８４の構成については、上述の例に限らず、適宜変更することができる。また本発明は、例えばＦＰＤ基板等を処理する真空処理装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る真空処理装置を示す平面図である。
【図２】前記真空処理装置に設けられた第２の搬送室の一例を示す断面図である。
【図３】前記第２の搬送室の一例を示す断面図である。
【図４】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図５】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図６】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図７】前記真空処理装置の他の例を示す断面図である。
【図８】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図９】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１０】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１１】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１２】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１３】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１４】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１５】従来の真空処理装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｃ キャリア
２１ 第１の搬送室
２２，２３ 予備真空室
３ 第２の搬送室
３０ 底部
３１Ａ〜３１Ｆ 真空処理室
３２ 第２の搬送アーム
３４ 基台
３７ ガイドレール
３８ 第１の凹部
４ 洗浄モジュール
４１ 第２の凹部
４１ｂ 流路
６ バッファモジュール
７，８，８２ 蓋体
７１ 保持部材
８７ 受け渡し手段
Ｗ 半導体ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送手段を備えた真空搬送室に複数の真空処理室を接続した真空処理装置において、真空搬送室を有効に活用するための技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にエッチング処理や成膜処理、アッシング処理等の所定の真空処理を施す工程があり、これらの工程を行う装置として、複数の真空処理室を共通の真空雰囲気の搬送室に接続し、この真空搬送室と常圧雰囲気の搬送室との間を、ロードロック室をなす予備真空室を介して接続するいわゆるマルチチャンバ方式の真空処理装置が知られている。
【０００３】
このような真空処理装置を図１５に示す。この装置では、キャリア１０内のウエハは常圧雰囲気の搬送室１１の第１の搬送アーム１２により受け取られ、当該搬送アーム１２により常圧雰囲気の予備真空室１３に搬送される。次いで予備真空室１３内の雰囲気が所定の真空雰囲気に切り替えられた後、ウエハは予備真空室１３から第２の搬送アーム１４により受け取られ、真空搬送室１５を介して所定の真空処理室１６に搬入され、ここでウエハに対して真空処理が施される。この後ウエハは、第２の搬送アーム１４により真空搬送室１５を介して真空雰囲気の予備真空室１３に搬送され、予備真空室１３内の雰囲気が常圧雰囲気に切り替えられた後、第１の搬送アーム１２により搬送室１１を介して、キャリア１０に戻されるようになっている。
【０００４】
ここで前記第２の搬送アーム１４は、２本の保持アームを有しており、一方の保持アームにより当該真空処理室１６から処理後のウエハを受け取り、続いて他方の保持アームに保持されていた処理前のウエハを当該真空処理室１６に受け渡し、次いで前記一方の保持アーム上のウエハを次工程の処理を行う真空処理室１６に搬送するようになっている。
【０００５】
ところで前記真空処理装置では、真空搬送室１５の搬送路の長さ方向に沿って真空処理室１６が設けられているので、当該装置に設けられる真空処理室１６の個数は、前記真空搬送室１５の搬送路の長さに応じて決定されるが、現状の真空処理装置では、図に示すように前記真空処理室１６の最大個数は例えば６個程度であり、これら真空処理室１６は、エッチング処理や成膜処理、アッシング処理等の、半導体デバイスを製造するための一連の処理を行うように構成されている。
【０００６】
ところで前記真空処理装置においては、既述のエッチング処理等以外に、アームクリーニング処理や、ウエハＷに付着している付着物を気化させて除去するデガス処理等の処理を行うモジュールや、ウエハＷを仮置きするためのエリアを第２の搬送アーム１４によりアクセスできるように設けることが要請されている。
【０００７】
前記アームクリーニング処理とは、第２の搬送アーム１４のウエハ保持領域を洗浄する処理であり、前記真空処理室１６における処理の残留ガスが前記第２の搬送アーム１４に付着し、これが累積すると当該搬送アーム１４が成膜されてしまい、この膜がウエハに再付着したり、パーティクル汚染の原因となるおそれがあるため、これを防ぐべく当該搬送アーム１４の洗浄が必要となるからである。
【０００８】
またウエハＷを仮置きするためのエリアは、真空処理室１６から処理後のウエハＷを第２の搬送アーム１４により受け取った後、当該真空処理室１６の内部をクリーニング処理する場合等に必要となる。つまりこのクリーニング処理を行う場合には、第１の搬送アーム１４における２本の保持アームが当該真空処理室１６の処理前後のウエハを持ったままとなるが、処理前のウエハＷを当該真空処理室１６に受け渡さないと、第２の搬送アーム１４は次の真空処理室１６へのウエハＷの搬送ができないため、前記処理前後のウエハを保持したままクリーニング処理の終了を待機しなければならない。この際前記処理前のウエハを仮置きできるように構成すれば、クリーニング処理の終了を待たずに処理後のウエハＷを次工程の真空処理室１６に搬送できるので、スループットの低下を抑えることができ、このような理由からウエハＷを仮置きするためのバッファモジュールが必要となる。
【０００９】
しかしながら、現状の真空処理装置では、前記真空搬送室１５とアクセスできる領域には、半導体デバイスの製造処理を行うモジュールが優先的に搭載され、前記アームクリーニングモジュールや前記デガス処理を行うモジュールやバッファモジュール等の、前記半導体デバイスの製造処理の前後に用いられる付属モジュールについては搭載するスペースを確保することは難しい。
【００１０】
この際、真空搬送室１５の搬送路を長くして、当該真空搬送室１５に沿って配列されるモジュール数を増やし、ここに前記付属モジュールを搭載することも考えられるが、このような構成では装置の占有面積が大きくなってしまう上、第２の搬送アーム１４の移動領域が大きくなるので、当該搬送アーム１４のスループットが低下してしまう。また真空搬送室１５を大きくしたり、そこに接続するモジュール数を増加するとなると、装置全体や第２の搬送アーム１４の仕様を大幅に変更しなければならず、設計等に手間と時間を要するという問題もある。さらに予備真空室１３に前記付属モジュールを設けることも考えられるが、予備真空室１３は真空雰囲気と常圧雰囲気との間で雰囲気を切り換えなければならいので、当該雰囲気調整が煩雑になったり、この雰囲気調整によりスループットが低下したりといった悪影響を発生させてしまう懸念がある。
【００１１】
また前記アームクリーニングモジュールやバッファモジュールは、既述のように常に使用されるものではなく、所定のタイミングで用いられるモジュールである。従って使用しない時間が長いので、装置や搬送プログラムを設計する観点からは、前記半導体デバイスの製造のための一連の処理は、現状の装置を用いて、現状の搬送プログラムによって実施することが好ましい。このような要請から、本発明者らは、現状の装置構成やプログラムの仕様変更を最小限にとどめた状態で付属モジュールを追加できる構成について検討している。
【００１２】
ところで、特許文献１には、例えば真空搬送室にバッファ部を設けることにより、装置の占有面積を大きくすることなく、前記バッファ部において、ウエハＷのデガス処理や所定の測定を行うための簡単なプロセスを行う構成が提案されている。しかしながら、この構成では真空搬送室の搬送手段の移動領域にバッファ部を設けているので、搬送手段が真空搬送室の長さ方向に沿ってスライド移動することができず、真空搬送室に接続された全ての真空処理室にウエハＷを搬送するためには、異なる領域の夫々に２個の搬送手段を設ける必要がある。このように、真空搬送室にバッファ室と２個の搬送手段とを設けなければならないので、現状の真空処理装置とは仕様変更が必要であり、また装置の占有面積はある程度大きくしなければならない。従ってこの文献１の構成によっても、本発明の課題の解決を図ることはできない。
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−３２４８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はこのような事情のもとになされたものであり、その目的は、装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加できる真空処理装置及び、当該真空処理装置を使用した真空処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このため本発明の真空処理装置は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板搬送手段に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールを、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段に対して処理を行う位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする。ここで前記基板搬送手段に対して行なう処理としては、例えば当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかを行うことができる。
【００１６】
また本発明の真空処理装置は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板を載置するため又は基板を載置し更に当該基板に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールの全部又は一部を、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
ここで前記付属モジュールは、前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内に前記基板を配置するための位置と、前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうために前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降される載置部と、を備えるようにしてもよく、前記載置部は前記蓋体と一体となって昇降されるものであってもよい。
【００１８】
また前記付属モジュールは、前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内において前記基板が載置される載置部と、前記載置部との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、前記真空搬送室内における前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置と、の間で昇降自在に設けられた受け渡し手段と、備えるものであってもよい。
【００１９】
さらに前記付属モジュールは、前記載置部に載置された基板に対して処理を行うための手段を備えるようにしてもよく、この基板に対して処理を行うための手段は、基板温度を調整するための温度調整手段であってもよい。さらにまた前記付属モジュールでは、前記基板に対して真空処理を行う前に、当該基板を予備加熱する処理を行なうようにしてもよいし、真空処理が行われた基板を冷却する処理を行なうようにしてもよい。
【００２０】
さらにまた前記温度調整手段は、前記凹部を構成する真空搬送室の壁部に形成された温調流体の流路と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内にガスを供給するガス供給手段と、を含み、前記区画空間内を真空排気する真空排気手段を備えるようにしてもよい。この際、前記付属モジュールでは、例えば基板に付着した付着物を気化させて除去する処理が行われる。
【００２１】
さらにまた前記基板搬送手段は、前記真空搬送室内において、当該基板搬送室の一端側に設けられたガイドレールに沿って移動可能に設けられた基台と、この基台に水平方向に回転自在及び進退自在に設けられた基板の保持アームと、を備え、前記真空搬送室の底部に形成される凹部は、前記ガイドレールと干渉しない領域であって、前記基台がこのガイドレール上のある位置にあるときに、当該基台に干渉しないように形成されることが好ましい。
【００２２】
また本発明の真空処理方法は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室においてこの基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールを前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおいて前記基板搬送手段の基板に対して処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。ここで前記基板搬送手段に対して行なう処理としては、例えば当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかを行うことができる。
【００２３】
さらに本発明の真空処理方法は、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールの全部又は一部を前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおける基板の載置部に対して、前記基板搬送手段により基板の受け渡しを行う工程と、
次いで前記付属モジュールを前記凹部に収納する工程と、を含むことを特徴とする。例えば前記凹部に収納された付属モジュールにおいて前記基板を載置する工程は、前記真空処理室に対してクリーニング処理を行うときに行なわれる。
【００２４】
また本発明では、前記凹部に収納された付属モジュールにおいて、前記載置部にされた基板に対して処理を行う工程を含むようにしてもよい。例えばこの基板に対する処理は、前記基板の温度を調整する処理であってもよいし、前記基板に付着した付着物を気化させて除去する処理であってもよい。
【００２５】
さらに本発明の記憶媒体は、基板を、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室と、真空搬送室とを介して真空処理室に搬送し、この真空処理室において前記ウエハに対して真空処理を施す真空処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、前記真空処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、真空搬送室の底部又は天井部に凹部を形成し、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを、使用しないときには前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納し、使用するときには真空搬送室内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。
【００２７】
また真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、当該凹部の開口部を塞ぐ蓋体とにより区間空間を形成し、ここで基板の待機や、基板の処理を行うようにすることにより、装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板の待機や基板処理を行う機能を追加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の真空処理装置２の一実施の形態について、図を参照しながら説明する。図１は前記真空処理装置２の全体構成を示す平面図であり、真空処理装置２は、ウエハＷのロード、アンロードを行うローダモジュールを構成する第１の搬送室２１と、ロードロック室２２,２３と、真空搬送室である第２の搬送室３と、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとを備えている。第１の搬送室２１の正面にはキャリアＣが載置されるロードポート２４が設けられており、第１の搬送室２１の正面壁には、前記ロードポート２４に載置されたキャリアＣが接続されて、当該キャリアＣの蓋と一緒に開閉されるゲートドアＧＴが設けられている。
【００２９】
また第１の搬送室２１の側面には、ウエハＷの向きや偏心の調整を行うアライメント室２５が設けられている。前記ロードロック室２２，２３には、夫々図示しない真空ポンプとリーク弁とが設けられており、常圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替えられるように構成されている。つまり第１の搬送室２１及び第２の搬送室３の雰囲気がそれぞれ常圧雰囲気及び真空雰囲気に保たれているため、ロードロック室２２，２３は、それぞれの搬送室間において、ウエハＷを搬送する時雰囲気を調整するためのものである。なお図中Ｇは、ロードロック室２２，２３と第１の搬送室２１又は第２の搬送室３との間、あるいは第２の搬送室３と前記各真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間を仕切るゲートバルブ（仕切り弁）である。
【００３０】
さらに第１の搬送室２１には、第１の搬送アーム２６が設けられている。この第１の搬送アーム２６は、キャリアＣとロードロック室２２，２３との間及び第１の搬送室２１とアライメント室２５との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アームであり、例えばキャリアＣの配列方向（図１中Ｘ方向）に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、進退自在に構成されている。
【００３１】
図１中、キャリアＣの配列方向（図１中Ｘ方向）を左右方向、キャリアＣの配列方向と直交する方向（図１中Ｙ方向）を長さ方向、キャリアＣが設けられている側を手前側と呼ぶことにすると、前記第２の搬送室３は、前記長さ方向に伸びる平面形状が細長い六角形状に構成され、この第２の搬送室３の手前側にはロードロック室２２，２３が設けられている。そして第２の搬送室３の左右方向の両側には前記長さ方向に沿って例えば２個の真空処理室３１Ａ，３１Ｂ、３１Ｅ，３１Ｆが夫々気密に接続されると共に、その奥側には２個の真空処理室３１Ｃ，３１Ｄが気密に接続されている。例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとしては、成膜装置やアニール装置、エッチング装置等が割り当てられている。
【００３２】
この第２の搬送室３は基板搬送手段をなす第２の搬送アーム３２（３２Ａ，３２Ｂ）を備えており、この搬送アーム３２により、ロードロック室２２，２３と各真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるようになっている。これら第２の搬送アーム３２Ａ，３２Ｂは、図１〜図５に示すように、夫々鉛直軸回りに回転自在、進退自在に構成された多間接アームの先端に、平面形状が略Ｕ字状の保持アーム３３を備えて構成され、共通の基台３４の上に設けられている。この基台３４の裏面側には前記左右方向の外縁近傍に下方側に伸びる支持部３５が設けられると共に、この支持部３５の下端側には移動機構３６が接続され、この移動機構３６により図１中Ｙ方向に伸びるガイドレール３７に沿ってスライド移動できるように構成されている。
【００３３】
前記第２の搬送室３の底部３０には、図２に示すように、その左右方向の両側に、例えば前記長さ方向に伸び、平面形状が細長い四角形状の第１の凹部３８が形成されており、前記ガイドレール３７は、この凹部３８内に設けられている。こうして前記第２の搬送アーム３２は、ロードロック室２２，２３側に寄ったホーム位置（図１に示す位置）と、第２の搬送室３の奥側の真空処理室３１Ｃ，３１Ｄ側に寄った位置との間で図１中Ｙ方向にスライド移動できるように構成されている。
【００３４】
さらに前記第２の搬送室３には付属モジュールが突没自在に設けられている。前記第２の搬送室３の底部３０には、第２の搬送アーム３２が前記ホーム位置にあるときの空いた領域、つまり第２の搬送室３の奥側の領域であって、第１の凹部３８よりも内側の領域に、例えば平面形状が四角形状の第２の凹部４１が形成され、この内部に付属モジュールが収納されるようになっている。この付属モジュールとは、第２の搬送アーム３２に対する処理や、ウエハＷの載置や、ウエハＷに対する処理を行うためのモジュールであり、例えばこの付属モジュールにて行われる処理の例としては、第２の搬送アーム３２に対する処理の例としては、例えば前記保持アーム３３の洗浄を行うアームクリーニングや、前記保持アーム３３の静電気除去処理、前記保持アーム３３の位置調整処理、前記保持アーム３３の温度調整処理等が挙げられる。また前記ウエハＷに対する処理の例としては、例えばウエハＷに付着した付着物を気化させて除去するデガス処理、ウエハＷの温度を調整する処理や、前記真空処理室３１Ａ〜３１ＦにおいてウエハＷに対して真空処理を行う前に、当該ウエハＷを予備加熱する処理や、前記真空処理が行われたウエハＷを冷却する処理等が挙げられる。
【００３５】
続いてこの付属モジュールの一例について、前記アームクリーニングを行う洗浄モジュール４を例にして、図３〜図６を参照して説明する。この洗浄モジュール４は、前記第２の搬送アーム３２Ａ，３２ＢのウエハＷの保持領域を洗浄するものである。図中４０は当該洗浄モジュール４の筐体であり、例えば平面形状が四角形状の扁平な角筒状に形成され、その内部に第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が入り込む程度の大きさに設定されている。この筐体４０における予備真空室２２，２３側の面は開口部４２として開口されていて、第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が、この開口部４２を介して筐体４０内に進入及び退出できるようになっている。
【００３６】
この筐体４０内部における、筐体４０内に進入した前記保持アーム３３の上方側には、当該保持アーム３３に向けて例えばイソプロピルアルコール等の洗浄ガスを吹き付けるための洗浄ガス供給部４３が設けられている。この洗浄ガス供給部４３は、保持アーム３３におけるウエハＷの保持領域に洗浄ガスを供給するように、保持アーム３３の２本のアームに沿って伸びる洗浄ガス供給管４３ａと、この洗浄ガス供給管４３ａに長さ方向に沿って所定の間隔を開けて設けられた複数個のノズル部４３ｂと、この洗浄ガス供給管４３ａに洗浄ガスを供給するための洗浄ガス供給路４３ｃとを備えている。前記洗浄ガス供給路４３ｃは、伸縮自在な材料により構成され、その他端側は凹部４１の底部を貫通して、洗浄ガス供給源４４にバルブＶ１を介して接続されている。
【００３７】
また筐体４０の底部には、例えば中央部に、洗浄ガスの排気口４５ａが形成され、筐体４０の裏面側には、前記排気口４５ａの周囲を囲むように排気ベローズ４５が設けられている。この排気ベローズ４５の他端側は前記凹部４１の底部に形成された排気口４６ａを介して排気路４６に接続され、この排気路４６の他端側は真空排気手段４７にバルブＶ２を介して接続されている。
【００３８】
このような筐体４０は、前記凹部４１に設けられた昇降手段４８により、当該筐体４０が凹部４１に収納される収納位置と、第２の搬送室３内において前記保持アーム３３が前記筐体４０内に、進入及び退出する処理位置（第２の搬送アーム３２に対して処理を行う位置）との間で昇降自在に構成されている。前記昇降手段４８としては、エアシリンダーや電動アクチュエータ等を用いることができる。また図中４９は昇降ガイドである。なお前記筐体４０が前記収納位置にあるときには、筐体４０の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しない状態で、筐体４０が凹部４１に収納されるようになっている。
【００３９】
さらにこの真空処理装置には、図１に示すように例えばコンピュータからなる制御部１００が設けられており、この制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部を備えていて、前記プログラムには制御部１００から真空処理装置の各部に制御信号を送り、後述の搬送順序を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）等の記憶部に格納されて制御部１００にインストールされる。ここで第２の搬送室３においては、制御部１００によってゲートバルブＧの開閉、第２の搬送アーム３２の駆動、洗浄モジュール４の昇降、洗浄モジュール４における所定の処理の際に、各部に制御信号が送られるようになっている。
【００４０】
続いて前記真空処理装置におけるウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず多数枚のウエハＷが収納された密閉型キャリアＣを第1の搬送室２１に搬入し、第１の搬送アーム２６により、当該キャリアＣ内のウエハＷを受け取る。次いで常圧雰囲気の予備真空室２２,２３のゲートバルブＧを開き、第１の搬送アーム２６により前記ウエハＷを予備真空室２２，２３内に搬入する。次いで予備真空室２２，２３を所定の真空雰囲気まで減圧した後、ゲートバルブＧを開き、第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け取り、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆのいずれかに搬送し、当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおいて、所定の真空処理を実施する。
【００４１】
こうして真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ内にて処理が行なわれたウエハＷは、第２の搬送アーム３２により当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆから搬出され、真空雰囲気に設定された予備真空室２２，２３内に搬入される。次いで予備真空室２２，２３内を常圧雰囲気まで戻した後、第１の搬送アーム２６により予備真空室２２，２３内のウエハＷを受け取り、第１の搬送室２１を介して所定のキャリアＣに戻される。
【００４２】
続いて本発明のアームクリーニング処理について説明する。本発明のアームクリーニング処理は、第２の搬送アーム３２により、予備真空室２２，２３と真空処理室３１Ａ〜３１Ｆとの間でウエハＷの搬送を複数回行なった後に行われるものであり、例えば予め設定された所定のタイミングやメンテナンス時に行なわれる。
【００４３】
先ず第２の搬送アーム３２（３２Ａ，３２Ｂ）を前記ホーム位置に位置させて、前記洗浄モジュール４を前記収納位置から前記処理位置まで上昇させる。次いで第２の搬送アーム３２Ａの保持アーム３３を当該洗浄モジュール４の筐体４０内に進入させ、バルブＶ１を開いて洗浄ガス供給管４３ａに洗浄ガスを供給する一方、バルブＶ２を開いて真空排気手段４７により前記筐体４０内を排気する。これにより前記保持アーム３３には上方側から洗浄ガスが吹き付けられ、当該洗浄ガスにより保持アーム３３に付着していた成膜成分を剥離させて除去し、当該成膜成分を洗浄ガスと共に排気口４５ａより排気ベローズ４５、排気路４６を介して真空排気装置２の外部へ排出する。こうして第２の搬送アーム３２Ａの保持アーム３３の洗浄が終わった後、同様に第２の搬送アーム３２Ｂの保持アーム３３についても洗浄処理を行う。こうして両搬送アーム３２Ａ，３２Ｂの洗浄処理が終了した後、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置まで戻し、洗浄モジュール４を下降させて第２の凹部４１に収納する。
【００４４】
このようなアームクリーニング処理を行うことにより、所定のタイミングで保持アーム３３のウエハ保持領域が洗浄されるので、前記真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおける処理の残留ガスが第２の搬送アーム３２に付着したとしても、これが累積されて当該搬送アーム３２が成膜されることが抑えられる。このため、搬送アーム３２に形成された膜がウエハに再付着したり、パーティクル汚染の原因となることが抑えられる。
【００４５】
ここでこの洗浄モジュール４は、真空処理装置２の底部３０における、第２の搬送室３の搬送領域の空いている部分、つまり第２の搬送アーム３２が前記ホーム位置に位置するときに空いている部分に形成された凹部４１に収納されるので、従来の真空処理装置２の占有面積の増加を抑えて、洗浄モジュール４を追加することができる。
【００４６】
従って従来の真空処理装置２において、第２の搬送室３の底部３０の構造を変更することにより、洗浄モジュール４の追加に対応でき、第２の搬送アーム３２自体や、予備真空室２２，２３、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ等の装置の他の部分の構成については変更することがないので、システム変更を最小限にとどめることができ、装置設計が容易となる。この際、既述のように第２の搬送室３が長さ方向に細長く形成され、第２の搬送アーム３２が前記長さ方向に沿って移動可能に構成される場合には、搬送領域に前記搬送アーム３２が位置しない空き領域が形成されるので、この空き領域に洗浄ジュール４を設けることは、スペースの有効活用となる。
【００４７】
また前記洗浄モジュール４は、使用しない時には、第２の搬送アーム３２によるウエハＷ搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納されている。これにより洗浄モジュール４を使用しないときには、従来どおりのウエハＷの搬送を行なうことができ、搬送プログラムの仕様変更を最小限にとどめることができるので、対応が容易となる。
【００４８】
以上において、前記洗浄モジュール４は、例えば図７に示すように、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の内部に設けられるように構成してもよい。この例では、洗浄モジュール４は、その上面が、前記凹部５０の天井部に設けられた昇降手段５１と接続され、この昇降手段５１により、前記第２の搬送アーム２３によるウエハ搬送を阻害しないように収納前記凹部５０に収納される収納位置と、第２の搬送室３内における前記処理位置との間で昇降されるように構成されている。図７中５２は昇降ガイドであり、その他の構成は図３に示す真空処理装置２と同様である。
【００４９】
続いて、付属モジュールにて前記保持アーム３３に対して行なう処理の他の例について簡単に説明する。先ず前記保持アーム３３の静電気除去処理は、例えば付属モジュールの筐体内にイオナイザーを設け、このイオナイザーにより、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対する静電気除去処理が行われる。例えばイオナイザーとしては、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対してイオンガスを供給する構成や、前記前記保持アーム３３をイオナイザーに接触させる構成等が用いられる。このように保持アーム３３の静電気を除去することによって、パーティクルの吸着を防止したり、ウエハＷの絶縁破壊を抑えることができる。
【００５０】
また前記保持アーム３３の位置調整処理は、例えば付属モジュールの筐体内に位置検出手段を設け、これにより前記筐体内に挿入された前記保持アーム３３の位置データを把握し、この位置データに基づいて制御部１００から基板搬送手段の駆動機構に位置調整指令を出力することにより行われる。前記位置検出手段としては、前記保持アーム３３を撮像して位置検出を行うＣＣＤカメラや、光学的に前記保持アーム３３の位置検出を行う手段を用いることができる。このように保持アーム３３の位置調整を行なうことによって、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや予備真空室２２，２３に対して、ウエハＷの受け渡しを正確に行なうことができ、ウエハＷの受け渡し時に、ウエハＷを落下させたり、ウエハＷに衝突したりといった事故の発生を抑えることができる。
【００５１】
さらに前記保持アーム３３に対して加熱や冷却等を行う温度調整処理は、例えば筐体内に温度調整手段を設け、これにより筐体内に挿入された前記保持アーム３３を加熱、冷却することによって、当該保持アーム３３を所定温度に調整することにより行われる。例えば温度調整手段としては、筐体内に挿入された前記保持アーム３３に対して、温度調整がされた不活性ガスを供給する構成や、前記前記保持アーム３３を温度調整されたプレートに接触させる構成等が用いられる。このように保持アーム３３の温度調整を行なうことにより、未処理ウエハを処理温度近傍まで予備加熱したり、処理後のウエハを冷却したりして、他のユニットにおけるウエハの加熱や冷却に要する時間を短縮し、スループットを向上させるという効果が得られる。これら静電気除去処理や温度調整処理において、筐体内にガスを供給する場合には、前記洗浄モジュール４と同様に、伸縮自在のガス供給路と、排気ベローズを設け、筐体が昇降した場合に適応させる。
【００５２】
続いてこの実施の形態の他の例について図８を用いて説明する。この例は、付属モジュールとして、複数枚例えば１３枚のウエハＷが載置されるバッファモジュール６が設けられる例である。このバッファモジュール６は、例えば平面形状が四角形状の扁平な角筒状に形成された筐体６０を備え、この筐体６０における予備真空室２２,２３側の面は開口部６１として開口されていて、バッファモジュール６が第２の搬送室３内に位置するときには、第２の搬送アーム３２の保持アーム３３が、この開口部６１を介して当該筐体６０内に進入及び退出できるようになっている。また筐体６０内部には、ウエハＷの裏面側周縁部を保持するための複数の保持部６２が、上下方向に所定の間隔を空けて設けられている。この保持部６２はウエハＷが載置される載置部に相当するものである。そしてこのような筐体６０は、前記第２の凹部４１に設けられた昇降手段６３により、当該筐体６０が前記凹部４１に収納される収納位置と、第２の搬送室３内において、前記保持アーム３３が当該バッファモジュール６に対してウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、の間で昇降自在に構成されている。そして当該バッファモジュール６が前記収納位置にあるときには、筐体６０の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しない状態で、筐体６０が前記凹部４１内に収納されるようになっている。図中６４は昇降ガイドである。
【００５３】
このようなバッファモジュール６は、例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆ内をクリーニング処理する場合等に用いられる。具体的に真空処理室３１Ａをクリーニングする場合を例にして説明すると、先ず第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させるが、この際この第２の搬送アーム３２では、一方の搬送アーム３２Ａにて当該真空処理室３１Ａにて処理された後のウエハＷを保持し、他方の搬送アーム３２Ｂにて当該真空処理室３１Ａに次に搬入するウエハＷを保持している。
【００５４】
そして前記バッファモジュール６を前記受け渡し位置まで上昇させ、搬送アーム３２Ｂに保持されている処理前のウエハＷを当該バッファモジュール６の保持部６２に受け渡す。次いでバッファモジュール６を前記収納位置まで下降させてから、搬送アーム３２Ａにより処理後のウエハＷを次の工程を実施する真空処理室３１Ｂに搬送する。そして真空処理室３１Ａのクリーニングが終了した後、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、バッファモジュール６を上昇させて、当該バッファモジュール６に載置されている処理前のウエハＷを搬送アーム３２により受け取る。次いで当該バッファモジュール６を下降させて前記凹部４１内に収納してから、前記ウエハＷを真空処理室３１Ａに搬入する。
【００５５】
このようなバッファモジュール６を設けることにより、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆが内部をクリーニングする場合であって、当該真空処理室３１Ａ〜３１Ｆに対してウエハＷの受け渡しを行うことができない場合であっても、このときに第２の搬送アーム３２が保持している処理前のウエハＷをバッファモジュール６に仮置きすることができる。このため第２の搬送アーム３２の一方が空いた状態となり、クリーニングが行われている真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにて処理されたウエハＷを次工程の真空処理室３１Ａ〜３１Ｆに搬送できる。これにより第２の搬送アーム３２がクリーニングが行われている真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおける処理前後のウエハＷを保持したまま、当該クリーニングが終了するまで搬送を行なうことができずに待機する状態の発生が抑えられ、スループットの低下を防ぐことができる。
【００５６】
この例においても、前記バッファモジュール６を、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の内部に収納されるように設け、前記凹部５０内における前記収納位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置との間で昇降させるように構成してもよい。
【００５７】
続いて本発明の他の実施の形態について図９〜図１２を用いて説明する。この例における付属モジュールは、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体７と、当該凹部４１と蓋体８２とにより形成された区画空間Ｓの内部においてウエハＷを載置する載置部と、を備えており、前記区画空間Ｓの内部にてウエハＷに対して処理が行なわれるように構成されている。図中７１は前記蓋体７の下面に設けられた、載置部をなすウエハＷの保持部材である。この保持部材７１は、例えば図９に示すように、前記蓋体７と対向する底板７２を備えると共に、蓋体７と底板７２との間に複数本例えば３本の支柱７３ａ〜７３ｃを備えており、この支柱７３ａ〜７３ｃには、ウエハＷを上下に所定間隔を空けて保持するための保持部７４ａ〜７４ｃが夫々形成され、これら保持部７４ａ〜７４ｃによりウエハＷの周縁が保持されるように構成されている。
【００５８】
これら蓋体７と保持部材７１は、保持部材７１の底板７２の下面に設けられた共通の昇降手段７５により一体となって昇降自在に構成され、当該蓋体７が前記凹部４１を気密に塞ぐ位置と、当該蓋体７及び保持部材７１が第２の搬送室３内に飛び出し、前記保持部材７１が第２の搬送アーム３２との間でウエハＷの受け渡しを行なう受け渡し位置との間で昇降自在に構成されている。図９中７５ａは昇降ガイド、７６は蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐためのシール部材をなすＯリングである。また前記蓋体７が前記凹部４１を塞ぐ位置にあるときには、前記蓋体７の上面が、第２の搬送アーム３の基台３４の移動を阻害しないように、基台３４の下面が蓋体７の上方側を移動するようになっている。
【００５９】
さらにこの例では、例えば前記凹部４１の側壁４１ａに温調流体の流路４１ｂが形成され、当該流路４１ｂに温調流体供給部７７から所定温度に調整された温調流体が循環供給されるように構成されている。また前記凹部４１には、不活性ガス例えばＮ２ガスを当該凹部４１と蓋体７とにより形成された区画空間Ｓ内に供給するためのガス供給路７８ａが接続され、このガス供給路７８ａの他端側はバルブＶ３を介してガス供給源７８に接続されている。さらに前記凹部４１には、前記区画空間Ｓ内の雰囲気を真空排気するための排気路７９ａが設けられ、この排気路７９ａの他端側には、バルブＶ４を介して真空排気手段７９が接続されている。この例では、前記温調流体の流路４１ｂと、前記ガス供給路７８ａとガス供給源７８とよりなるガス供給手段と、から温度調整手段が構成されている。
【００６０】
このような構成では、前記区画空間Ｓ内にてウエハＷの温調処理、例えば真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにおいて真空処理を行う前にウエハＷを予備加熱する処理が行われる。以下にこの予備加熱処理について図１０〜図１２を用いて説明する。先ず図１０（ａ）に示すように、蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞いでこれらにより区画空間Ｓを形成し、この区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気する。またこの際、前記流路４１ｂに所定温度に調整された温調流体を通流しておく。
【００６１】
続いて図１０（ｂ）に示すように、第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、蓋体７及び保持部材７１を前記受け渡し位置まで上昇させ、ここで当該保持部材７１に第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け渡す。次いで蓋体７及び保持部材７１を下降させて、こうして蓋体７により前記凹部４１の上部側開口部を塞いで区画空間Ｓを形成する。この際、前記区画空間Ｓ内は真空排気手段７９により真空排気され、流路４１ｂに所定温度に調整された温調流体が供給されている。
【００６２】
次いで図１１（ａ）に示すように、前記区画空間Ｓ内の真空排気を停止し、当該区画空間Ｓ内にガス供給手段７８により不活性ガスを所定の流量で供給して、例えば区画空間Ｓ内を大気圧程度の圧力まで昇圧する。このようにすると温調流体により前記凹部４１は所定温度に加熱されているので、この熱が不活性ガスによってウエハＷに伝導され、こうしてウエハＷが所定温度例えば２００℃程度に加熱される。
【００６３】
この加熱処理を例えば３０秒程度行った後、図１１（ｂ）に示すように、前記区画空間Ｓ内への不活性ガスの供給及び温調流体の供給を停止し、当該区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により、第２の搬送室３と同程度の圧力まで真空排気する。次いで図１２に示すように、前記蓋体7及び保持部材７１を前記受け渡し位置まで上昇させ、処理後のウエハＷを第２の搬送アーム２３に受け渡す。
【００６４】
このような構成では、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体７を設けて、当該凹部４１と蓋体７とにより区画空間Ｓを形成し、この内部にてウエハＷに対して処理を行うことにより、前記凹部４１を処理チャンバの一部として用いているので、従来の真空処理装置２の占有面積の増大を抑えつつ、ウエハＷを処理する機能を追加することができる。また、第２の搬送室３に当該機能を追加する以外の構成、つまり真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや第２の搬送アーム３２等の構成は変更する必要がないので、システム変更を最小限にとどめた状態で前記機能を追加することができる。
【００６５】
この際、前記区画空間Ｓを気密に構成し、当該区画空間Ｓにガスを供給するガス供給手段や、当該区画空間Ｓ内を真空排気する真空排気手段７９を設けているので、当該区画空間Ｓは第２の搬送室３とは独立して圧力調整やガスの給排気を行なうことができる。従ってこの付属モジュールでは、ウエハＷの予備加熱処理以外に、真空処理室３１Ａ〜３１Ｆにて真空処理されたウエハＷを冷却する処理や、ウエハＷのデガス処理等を行うことができ、付属モジュールにて行われる処理の自由度が高められる。さらにこの例の温度調整手段としては、ペルチェ素子等を用いることもできる。
【００６６】
続いてこの実施の形態の他の例について図１３を用いて説明する。この例では、蓋体８をスライド移動させることにより、前記凹部４１の上部側開口部を開閉自在に構成したものである。ここで前記凹部４１の開口部は例えば長辺が５００ｍｍ程度の大きさであるため、前記蓋体８としては、例えば振り子型バルブを用いることができる。図中８１は蓋体８の移動機構であり、保持部材７１が蓋体８とは別個に設けられると共に、昇降手段７５により昇降自在に構成されている他は、上述の図９に示す例と同様に構成されている。
【００６７】
この例では、先ず蓋体８により前記凹部４１の上部側開口部を閉じ、前記凹部４１と蓋体８とにより形成される区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により、第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気した後、蓋体８をスライド移動させて前記凹部４１の上部側開口部を開く。次いで保持部材７１を昇降手段７５により前記受け渡し位置まで上昇させ、第２の搬送アーム３２から当該保持部材７１にウエハＷを受け渡す。次いで保持部材７１を凹部４１内の所定位置まで下降させてから、蓋体８をスライド移動させて前記凹部４１の上部側開口部を閉じ、前記区画空間Ｓ内にガス供給手段から不活性ガスを供給する。これにより温調流体の熱を不活性ガスを介してウエハＷに伝導させ、ウエハＷの予備加熱処理を所定時間行う。続いて前記区画空間Ｓへの不活性ガスの供給を停止すると共に、当該区画空間Ｓ内を第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気した後、蓋体８を開き、保持部材７を前記受け渡し位置まで上昇させて、第２の搬送アーム３２に処理済みウエハＷを受け渡す。
【００６８】
以上において、図９及び図１３に示す例においても、第２の搬送室３の天井部３９に形成された凹部５０の下面側開口部を蓋体７，８により気密に塞ぐと共に、保持部材７１を前記凹部５０内における位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置との間で昇降自在に構成し、前記凹部５０と蓋体７，８とにより形成された区画空間Ｓ内にて、ウエハＷに対して所定の処理を行うようにしてもよい。また保持部材７１と蓋体７を別個に昇降させるようにしてもよい。
【００６９】
続いて本発明のさらに他の実施の形態について図１４を用いて説明する。この例においても、付属モジュールは、前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ蓋体８２と、当該凹部４１と蓋体８２とにより形成された区画空間Ｓの内部においてウエハＷを載置する載置部８４と、を備え、前記区画空間Ｓの内部にてウエハＷに対して処理を行うように構成されている。
【００７０】
前記蓋体８２は昇降手段８３により、当該蓋体８２が前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぐ位置と、第２の搬送室３内における前記受け渡し位置の上方側の位置との間で昇降自在に構成されている。ここで前記蓋体８２が前記凹部４１を塞ぐ位置にあるときには、蓋体８２の上面が、第２の搬送アーム３２の基台３４の移動を阻害しないように、基台３４の下面が蓋体８２の上方側を移動するようになっている。図９中８３ａは昇降ガイドである。
【００７１】
前記凹部４１の内部にはウエハＷの載置部８４が設けられており、この載置部８４には加熱手段例えばヒータ８５が内蔵されている。図中８６は前記ヒータ８５に所定の電力を供給するための電力供給部であり、この例では前記ヒータ８５と電力供給部８６とにより温度調整手段が構成されている。またこの載置部８４には当該載置部８４に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡し手段８７が設けられており、この受け渡し手段８７は昇降手段８７ａにより、第２の搬送室３内における、前記第２の搬送アーム３２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、前記載置部８４との間でウエハＷの受け渡しを行う載置位置との間で昇降自在に構成されている。
【００７２】
さらに区画空間Ｓには、例えば載置部８４の上方側に、当該区画空間Ｓ内にガスを供給するためのガス供給路８８ａが設けられ、このガス供給路８８ａの他端側はバルブＶ５を介してガス供給源８８に接続されている。さらに前記凹部４１には、前記区画空間Ｓ内の雰囲気を真空排気するための排気路８９ａが設けられ、この排気路８９ａの他端側には、バルブＶ６を介して真空排気手段７９が接続されている。
【００７３】
この例では、前記凹部４１と蓋体８２とにより基板に対して真空処理を行う処理チャンバが構成され、前記凹部４１と蓋体８２とにより形成された前記区画空間Ｓ内では、ウエハＷのデガス処理や表面処理、アニール処理やエッチング処理等の真空処理等を行うことができる。
【００７４】
前記デガス処理を行う場合について簡単に説明すると、先ず蓋体８２により前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞いで前記区画空間Ｓを形成し、この区画空間Ｓ内を真空排気手段７９により第２の搬送室３と同じ圧力まで真空排気する。この際載置部８４を所定温度に加熱しておく。
【００７５】
続いて第２の搬送アーム３２を前記ホーム位置に位置させてから、蓋体８２を上昇させると共に、受け渡し手段８７を前記受け渡し位置まで上昇させ、ここで当該受け渡し手段８７に第２の搬送アーム３２によりウエハＷを受け渡す。このとき蓋体８２は前記受け渡し位置の上方側に位置することになる。前記蓋体８２の昇降手段８３は、受け渡し手段８７が前記載置位置にあるときに、第２の搬送アーム３２から当該受け渡し手段８７へのウエハＷの受け渡しを阻害しない位置に設けられている。次いで例えば受け渡し手段８７を前記載置位置まで下降させ、これにより載置部８４にウエハＷを受け渡してから、蓋体８２を下降させて前記凹部４１の上部側開口部を気密に塞ぎ、こうして蓋体８２と前記凹部４１とにより区画空間Ｓを形成する。
【００７６】
そしてガス供給路８８ａを介して前記区画空間Ｓ内に所定の処理ガスを供給すると共に、載置部８４の熱をウエハＷに伝導させ、こうしてウエハＷを所定温度に加熱して、ウエハＷに付着した付着物を気化させて除去する。前記区画空間Ｓ内は真空排気されていると共に、処理ガスが供給されているので、前記付着物の気化成分は前記処理ガスと共に外部へ排気されていき、前記気化成分がウエハＷに再付着することが抑えられる。このデガス処理を例えば３０秒程度行った後、区画空間Ｓ内を第２の搬送室３と同じ圧力に調整してから、蓋体８２及び受け渡し手段８７を第２の搬送室３内に上昇させ、処理後のウエハＷを第２の搬送アーム２３に受け渡す。
【００７７】
このような構成においても、前記凹部４１を気密に塞ぐ蓋体８２を設けて当該凹部４１と蓋体８２とにより区画空間Ｓを形成し、この内部にてウエハＷに対して処理を行うことにより、前記凹部４１を処理チャンバの一部として用いているので、従来の真空処理装置２の占有面積を増加させずに、ウエハＷを処理する機能を追加することができる。また第２の搬送室３に当該機能を追加する以外の構成、つまり真空処理室３１Ａ〜３１Ｆや第２の搬送アーム３２等の構成は変更する必要がないので、システム変更を最小限にとどめた状態で前記機能を追加することができる。
【００７８】
さらにこの例では、載置部８４に温調流体を供給することにより、載置部８４の温度を調整し、載置部８４の熱を直接ウエハＷに伝熱させてウエハＷの予備加熱処理や冷却処理を行うようにしてもよい。さらに図９に示す例と同様に、前記凹部４１の壁部に温調流体の流路を形成し、ここに所定温度に調整された温調流体を通流させて、区画空間Ｓ内にあるウエハＷの温度調整を行なうようにしてもよい。また載置部８４を設けずに、受け渡し手段８７にウエハＷを保持した状態で、所定の処理を行うようにしてもよい。
【００７９】
以上において本発明は、第２の搬送アーム３２がスライド移動しない構成について適用することができる。またバッファモジュール６や蓋体７の下面に設けられた保持部材７１や、凹部４１内に設けられた載置部８４の構成については、上述の例に限らず、適宜変更することができる。また本発明は、例えばＦＰＤ基板等を処理する真空処理装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る真空処理装置を示す平面図である。
【図２】前記真空処理装置に設けられた第２の搬送室の一例を示す断面図である。
【図３】前記第２の搬送室の一例を示す断面図である。
【図４】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図５】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図６】前記第２の搬送室の一例の要部を示す斜視図である。
【図７】前記真空処理装置の他の例を示す断面図である。
【図８】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図９】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１０】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１１】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１２】前記図９に示す真空処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図１３】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１４】前記真空処理装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１５】従来の真空処理装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ｃ キャリア
２１ 第１の搬送室
２２，２３ 予備真空室
３ 第２の搬送室
３０ 底部
３１Ａ〜３１Ｆ 真空処理室
３２ 第２の搬送アーム
３４ 基台
３７ ガイドレール
３８ 第１の凹部
４ 洗浄モジュール
４１ 第２の凹部
４１ｂ 流路
６ バッファモジュール
７，８，８２ 蓋体
７１ 保持部材
８７ 受け渡し手段
Ｗ 半導体ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板搬送手段に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールを、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段に対して処理を行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記基板搬送手段に対して行なう処理は、当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板を載置するため又は基板を載置し、更に当該基板に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールの全部又は一部を、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
前記付属モジュールは、
前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、
前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内に前記基板を配置するための位置と、前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうために前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降される載置部と、を備えたことを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記載置部は前記蓋体と一体となって昇降されることを特徴とする請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記付属モジュールは、
前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、
前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内において前記基板が載置される載置部と、
前記載置部との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、前記真空搬送室内における前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、の間で昇降自在に設けられた受け渡し手段と、備えることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記付属モジュールは、前記載置部に載置された基板に対して処理を行うための手段を備えることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか一に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記基板に対して処理を行うための手段は、基板温度を調整するための温度調整手段であることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記付属モジュールでは、前記基板に対して真空処理を行う前に、当該基板を予備加熱する処理が行われることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記付属モジュールでは、真空処理が行われた基板を冷却する処理が行われることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１１】
前記温度調整手段は、前記凹部を構成する真空搬送室の壁部に形成された温調流体の流路と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内にガスを供給するガス供給手段と、を含み
前記区画空間内を真空排気する真空排気手段を備えることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１２】
前記付属モジュールでは、基板に付着した付着物を気化させて除去する処理が行われることを特徴とする請求項１１記載の真空処理装置。
【請求項１３】
前記基板搬送手段は、前記真空搬送室内において、当該基板搬送室の一端側に設けられたガイドレールに沿って移動可能に設けられた基台と、
この基台に水平方向に回転自在及び進退自在に設けられた基板の保持アームと、を備え、
前記真空搬送室の底部に形成される凹部は、前記ガイドレールと干渉しない領域であって、前記基台がこのガイドレール上のある位置にあるときに、当該基台に干渉しないように形成されることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一に記載の真空処理装置。
【請求項１４】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールを前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおいて前記基板搬送手段に対して処理を行う工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１５】
前記基板搬送手段に対して行なう処理は、当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかであることを特徴とする請求項１４記載の基板処理方法。
【請求項１６】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールの全部又は一部を前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおける基板の載置部に対して、前記基板搬送手段により基板の受け渡しを行う工程と、
次いで前記付属モジュールを前記凹部に収納する工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１７】
前記凹部に収納された付属モジュールにおいて前記基板を載置する工程は、前記真空処理室に対してクリーニング処理を行うときに行なわれることを特徴とする請求項１６記載の真空処理方法。
【請求項１８】
前記凹部に収納された付属モジュールにおいて、前記載置部にされた基板に対して処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の真空処理方法。
【請求項１９】
前記基板に対する処理は、前記基板温度を調整する処理であることを特徴とする請求項１８記載の真空処理方法。
【請求項２０】
前記基板に対する処理は、前記基板に付着した付着物を気化させて除去する処理であることを特徴とする請求項１８記載の真空処理方法。
【請求項２１】
基板を、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室と、真空搬送室とを介して真空処理室に搬送し、この真空処理室において前記ウエハに対して真空処理を施す真空処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１４ないし２０のいずれか一に記載の真空処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板搬送手段に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールを、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段に対して処理を行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記基板搬送手段に対して行なう処理は、当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成され、外部から基板が搬入される予備真空室と、
前記基板に対して真空処理を施すための複数の真空処理室と、
これら真空処理室と前記予備真空室とに接続され、これら予備真空室と真空処理室との間で基板を搬送する基板搬送手段を備えた真空搬送室と、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部と、
前記基板を載置するため又は基板を載置し、更に当該基板に対して処理を行うための付属モジュールと、
この付属モジュールの全部又は一部を、前記基板搬送手段による基板搬送を阻害しないように前記凹部に収納する位置と、前記真空搬送室内において前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう位置との間で昇降させるための昇降手段と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
前記付属モジュールは、
前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、
前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内に前記基板を配置するための位置と、前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうために前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降される載置部と、を備えたことを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記載置部は前記蓋体と一体となって昇降されることを特徴とする請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記付属モジュールは、
前記昇降手段により、前記凹部の開口部を気密に塞ぐ位置と、前記真空搬送室内に飛び出た位置との間で昇降自在に構成された蓋体と、
前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内において前記基板が載置される載置部と、
前記載置部との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、前記真空搬送室内における前記基板搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための位置と、の間で昇降自在に設けられた受け渡し手段と、備えることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記付属モジュールは、前記載置部に載置された基板に対して処理を行うための手段を備えることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか一に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記基板に対して処理を行うための手段は、基板温度を調整するための温度調整手段であることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記付属モジュールでは、前記基板に対して真空処理を行う前に、当該基板を予備加熱する処理が行われることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記付属モジュールでは、真空処理が行われた基板を冷却する処理が行われることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１１】
前記温度調整手段は、前記凹部を構成する真空搬送室の壁部に形成された温調流体の流路と、前記凹部と蓋体とにより形成される区画空間内にガスを供給するガス供給手段と、を含み
前記区画空間内を真空排気する真空排気手段を備えることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１２】
前記付属モジュールでは、基板に付着した付着物を気化させて除去する処理が行われることを特徴とする請求項１１記載の真空処理装置。
【請求項１３】
前記基板搬送手段は、前記真空搬送室内において、当該基板搬送室の一端側に設けられたガイドレールに沿って移動可能に設けられた基台と、
この基台に水平方向に回転自在及び進退自在に設けられた基板の保持アームと、を備え、
前記真空搬送室の底部に形成される凹部は、前記ガイドレールと干渉しない領域であって、前記基台がこのガイドレール上のある位置にあるときに、当該基台に干渉しないように形成されることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一に記載の真空処理装置。
【請求項１４】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールを前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおいて前記基板搬送手段に対して処理を行う工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１５】
前記基板搬送手段に対して行なう処理は、当該基板搬送手段における基板の保持アームの洗浄処理又は前記保持アームの静電気除去処理或いは前記保持アームの位置調整処理のいずれかであることを特徴とする請求項１４記載の基板処理方法。
【請求項１６】
常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室を介して外部との間で基板の受け渡しを行なうと共に、この基板を真空搬送室に設けられた基板搬送手段により前記予備真空室と真空処理室との間で搬送し、この真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す真空処理方法において、
前記真空搬送室の底部又は天井部に形成された凹部に付属モジュールを収納した状態で、前記基板搬送手段により前記真空処理室に基板を搬送し、当該真空処理室において前記基板に対して真空処理を施す工程と、
次いで前記付属モジュールの全部又は一部を前記真空搬送室内に突出させ、この付属モジュールにおける基板の載置部に対して、前記基板搬送手段により基板の受け渡しを行う工程と、
次いで前記付属モジュールを前記凹部に収納する工程と、を含むことを特徴とする真空処理方法。
【請求項１７】
前記凹部に収納された付属モジュールにおいて前記基板を載置する工程は、前記真空処理室に対してクリーニング処理を行うときに行なわれることを特徴とする請求項１６記載の真空処理方法。
【請求項１８】
前記凹部に収納された付属モジュールにおいて、前記載置部にされた基板に対して処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の真空処理方法。
【請求項１９】
前記基板に対する処理は、前記基板温度を調整する処理であることを特徴とする請求項１８記載の真空処理方法。
【請求項２０】
前記基板に対する処理は、前記基板に付着した付着物を気化させて除去する処理であることを特徴とする請求項１８記載の真空処理方法。
【請求項２１】
基板を、常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切替可能に構成された予備真空室と、真空搬送室とを介して真空処理室に搬送し、この真空処理室において前記ウエハに対して真空処理を施す真空処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１４ないし２０のいずれか一に記載の真空処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−１６４２１３（Ｐ２００９−１６４２１３Ａ）
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３３９９８７（Ｐ２００７−３３９９８７）
【出願日】平成１９年１２月２８日（２００７．１２．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月２３日（２００９．７．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月２８日（２００７．１２．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]