【課題】複数の液処理装置に均一に気体を供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】給気ユニット４１は、塗布処理ユニット１２９の上方に設けられる。塗布処理ユニット１２９は、２つのカップ２７を有する。給気ユニット４１は、空気流通部９１およびフィルタ装置９４，９５を備える。空気流通部９１内には、開口９１２，９１３が形成される。開口９１２は、２つのカップ２７のうちの一方のカップ２７の上方に形成され、開口９１３は、他方のカップ２７の上方に形成される。フィルタ装置９４は、開口９１２を覆うように設けられ、フィルタ装置９５は、開口９１３を覆うように設けられる。開口９１２，９１３上には、複数の気流調整部材９７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】洗浄室の蓋開閉時の停止精度の向上及び開閉速度の可変制御が可能なフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２をフープ本体２ａとドア２ｂに分離して洗浄室５内で洗浄及び乾燥する洗浄室を備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記洗浄室５は、上部が開放された洗浄室本体５ａと、この洗浄室本体５ａの上部に開閉自在に設けられた蓋２２，２３と、該蓋２２，２３を開閉する電動式パワーシリンダ２４，２５とを備え、上記パワーシリンダ２４，２５は、蓋開閉時の伸縮ロッドの停止位置及び該停止位置の手前の減速位置を検出する位置センサ６４と、該位置センサ６４からの検出信号に基づいて上記パワーシリンダ２４，２５の伸縮速度を可変制御する制御部６５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Ｗを研磨する研磨部３と、基板Ｗを搬送する搬送機構５，６と、研磨された基板Ｗを洗浄し乾燥する洗浄部４とを備えている。洗浄部４は、複数の基板を洗浄するための複数の洗浄ラインを有する。この洗浄ラインは、複数の洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂを備えており、基板は複数の搬送ロボット２０９，２１０によって搬送される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工場における製造ラインへの搬入を搬入経路を限定されることなく容易に行うことができると共に各部の交換作業を容易に行うことができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２の搬入搬出を行うための載置部３を有するロードポート部４と、上記フープ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄室５を有する洗浄部６と、該洗浄部６と上記ロードポート部４との間に設けられ上記フープ２の搬送を行う搬送ロボット７を有する搬送部８とを備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記ロードポート部４、洗浄部６及び搬送部８上記ロードポート部、洗浄部及び搬送部がそれぞれ独立した架台１０，１１，１２を有するユニットに形成されている。 （もっと読む）

【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部２５は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットＨＤＩＷを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置１により被処理物Ａを浸漬洗浄処理する際に、第１処理槽１Ｂ内に放出されたフッ素系溶剤Ｃの蒸気Ｃａを、第２処理槽２Ｂより下方に配置された冷却ジャケット３の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Ａを、第１処理槽１Ｂ内の第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Ａを第２処理槽２Ｂに収容したまま位置を変更せずに、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを蒸気Ｃａに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第２処理槽２Ｂに放出された蒸気Ｃａをフッ素系溶剤Ｃに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 （もっと読む）

【課題】硫酸のようなレジスト剥離液が希釈されることを防止してレジスト剥離液を再利用でき、レジスト剥離を効率良く行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの表面にレジスト剥離液を供給して基板Ｗからレジストを剥離する基板処理装置であり、レジスト剥離液内に酸化性ガスの微小気泡を混入して微小気泡を含むレジスト剥離液を生成する微小気泡生成ユニット３０と、微小気泡生成ユニット３０からレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する供給部１５と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】必要な排気を確保しつつも、排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、ロットが搬送されて薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２にて処理されるタイミングがスケジュールにより予め判断できるので、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の状態に応じて各ダンパー３７，４１，４５，４９を操作し、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の排出口３５，３９，４３，４７から排出される排気流量を調整できる。その結果、処理に必要な排気を確保しつつも装置全体の排気量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板を薬液処理した後にリンス処理し乾燥処理する場合に、スループットおよびメンテナンス性を向上させることができるシステムを提供する。
【解決手段】基板Ｗを１枚ずつ薬液およびリンス液で処理する薬液処理部３８およびリンス処理部４０を連接して処理ユニット１４ａ〜１４ｃを構成し、１つの装置ベース上に複数の処理ユニット、基板搬送部２２および乾燥ユニット１６を設ける。処理ユニット１４ａ〜１４ｃにおいて基板Ｗを薬液処理部３８で薬液処理した後にリンス処理部４０でリンス処理する一連の処理を処理単位とし、１枚の基板に対し一連の処理を複数回行うときは、１つの処理ユニットから別の処理ユニットへ基板を順次搬送して、処理ユニットの設置数に対応する回数以内で適宜必要とする回数だけ処理単位を繰り返してから、基板を乾燥ユニット１６へ搬送して乾燥処理する （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】安全処理部において異常が生じてもロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。
【解決手段】第１のロットがペア内処理であるので、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。また、第２のロットの処理が非ペア内処理であるので、第１処理部の仮想リソースＰＢ１を薬液処理部ＣＨＢ１における処理期間にわたって使用し、第２処理部をまたいだ処理期間にわたって、第２処理部の仮想リソースＰＢ２を使用する。仮想リソースＰＢ１，ＰＢ２の重複を排除して各リソースａ〜ｉの使用タイミングを決定すると、純水洗浄処理部ＯＮＢ２で異常が発生しても第２のロットに対して過剰処理が行われることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板ベベル部に堆積した膜を洗浄により除去し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板洗浄方法は、回転軸の回りで半導体基板を回転させる工程と、前記回転軸に対して第１の角位置に形成された冷却機構により、前記回転している半導体基板外周のベベル部を冷却する工程と、前記回転軸に対して前記第１の角位置とは異なる第２の角位置に形成された加熱機構により、前記回転している半導体基板の前記ベベル部を加熱する工程と、を含み、前記半導体基板の前記ベベル部を交互に加熱および冷却することにより、前記ベベル部において前記半導体基板の表面上に堆積している膜を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】遮断部材を基板表面に対向して配置しながら処理液で濡れた基板表面をＩＰＡ液などの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】環状の下側気体供給路９９ｂが上側気体供給路９９ａの下端部から下方外向きに、スカート状に延びる。開口部９０ｂと先端部材９５ｂの間隔ｒ２が回転支軸９１と内挿軸９５の上端部の間隔ｒ１よりも大きくなるように両気体供給路９９ａ、９９ｂが遮断部材９に設けられる。したがって、窒素ガスが上側気体供給路９９ａに圧送されると、窒素ガスは下側気体供給路９９ｂで下方外向きに広げられながら、下側気体供給路９９ｂの下端部に開口された気体吐出口９９ｃから下方外向きに吐出されて窒素ガスが減速されて間隙空間ＳＰに供給される。 （もっと読む）

【課題】ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。
【解決手段】ウェハーホルダーと、ウェハー研磨機と、ウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置であって、前記ウェハー洗浄機は、洗浄容器と、前記洗浄容器内に洗浄液を導入する洗浄液導入装置とを備え、前記洗浄容器は、前記ウェハーの研磨面に対応する前記ウェハーホルダーのウェハー担持面より大きな上部開口部を備え、かつその上端が洗浄時に前記ウェハーホルダーの少なくとも側面に位置することを特徴とするＣＭＰ装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】搬送時間を軽減することによって、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】（＋Ｘ）方向に直線状に伸びる第１の基板処理セクション１０１および第３の基板処理セクション１０３の両側に搬送ユニット１３ａ，１３ｂ、搬送ユニット１９ａ，１９ｂをそれぞれ配置する。また、搬送ユニット１３ａ，１３ｂの走行路である搬送用路１３１ａ，１３１ｂの端部に、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂが設けられる。そして搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、基板９０を塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂにそれぞれ搬入する。当該搬入された基板９０は、搬送ユニット１５によって搬出される。また、搬送ユニット１３ｂは、搬送ユニット１３ａに対して、所定の動作数分遅れて、相同の搬送動作を行う。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板処理を対象とした基板処理装置において、処理液を用いて、均一かつ効率的な処理を可能とする。
【解決手段】搬送台に載せた基板に対して搬送しながら処理を行う基板処理装置である。かかる基板処理装置は、基板の搬送方向の上流側から順に、処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液を塞き止めるための塞き止めユニットと、を配置している。さらに、基板の表面をブラシがけするためのブラシを備えた洗浄ユニットを上流に配置することができる。洗浄ユニットは、それぞれ独立して位置調節が可能な複数のブラシユニットで構成することができる。 （もっと読む）