【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜１６に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管６内を流れる処理液をバイパス配管１０に分岐して流して、処理液吐出ノズル５から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜１６を完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶物や剥離物等の異物を良好に捕捉する一方で、メンテナンスフリーやランニングコスト削減に貢献する。
【解決手段】剥離装置は、シャワーノズル１８を備えたチャンバ１０もつ処理部１と、薬液を貯溜するタンク２とを有し、このタンク２からシャワーノズル１８に薬液を送液しつつチャンバ１０内の使用済みの薬液をタンク２に回収して再使用するように構成される。チャンバ１０には、その内定部の一部に薬液の排出口１１が設けられ、さらに排出口１１と基板Ｓの処理位置（搬送ローラ１６の位置）との間の部分には、前記排出口１１よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材２０が配備されている。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を上下駆動する際にダウンフローの乱れによって基板が汚染されることがないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】清浄空気が上方から下方に向かって流がされるとともに、基板を上下方向に駆動する上下駆動装置２７が設けられたチャンバ５ａを有する基板の処理装置であって、
上下駆動装置は、基板を水平に支持する上下可動体１８と、上下可動体を上下方向に駆動する上下駆動機構２８と、上下可動体の幅方向両端部に設けられ上下可動体が上下駆動機構によって上下方向に駆動されたときにチャンバの上方から下方に向かって流れる清浄空気を上下可動体の幅方向両端部において幅方向外方に向かってガイドする傾斜面２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】吐出位置に関わらず常に一定の条件にて処理液を吐出することができ、しかも装置サイズの大型化を抑制した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にフォトレジストを吐出してレジスト塗布処理を行う３つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３が鉛直方向に沿って積層配置される。吐出ユニットＬＴ２は、薬液ボトル７１から送球されたレジストを貯留するトラップタンク６４、レジストを吐出する吐出ノズル６１およびトラップタンク６４から吐出ノズル６１にレジストを圧送する吐出ポンプ６３を一体に備え、鉛直方向に沿って昇降して塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３の間を移動する。トラップタンク６４、吐出ポンプ６３および吐出ノズル６１の相互間の距離および高低差は、吐出ユニットＬＴ２の高さ位置にかかわらず一定であり、レジスト吐出条件も吐出ユニットＬＴ２の高さ位置にかかわらず常に一定となる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式フラットパネル洗浄システムの設計手直しを無くすため、仕様打ち合わせ時点で、主制御盤の大きさに関し、精度の高い寸法情報が得られる主制御盤設計システム、主制御盤設計方法及びそのプログラムを提供する。
【解決手段】主制御盤の大きさを設計するための計算を行う複数の計算手段の計算処理と、計算処理結果を基に主制御盤の大きさを決定する決定手段の決定処理とを行う処理手段１０と、主制御盤の大きさを設計するための条件を入力するための入力手段１４と、処理手段１０が入力条件に基づいて計算処理を行うための、ファイルデータを記憶する記憶手段１２と、処理手段１０の処理結果を基に、主制御盤の大きさを表示する出力手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）

【課題】未処理のウエハの戻し作業が生ずる事態を防止して、ロットごとの液処理を行うことにより生産効率を高めることを可能とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部５と、キャリアＣを複数保管可能なキャリアストック部６と、キャリアＣを搬送するキャリア搬送装置１２と、検査／搬入出ステージ１５と処理部７との間で基板Ｗを搬送する基板搬送部３と、キャリアＣ内の基板Ｗを検査する基板検査装置１８と、一括して処理される複数のキャリアＣのうち、一のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリアをキャリアストック部６へ戻し、他のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリア及び他のキャリア内の複数の基板Ｗを、検査／搬入出ステージ１５から搬出するように制御する制御部９０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングする装置及び方法を提供する。
【解決手段】基材９の導入口５及び導出口７を有するタンク３を含み、前記基材９を湿式クリーニングまたはエッチングするための装置１。このタンクはクリーニング液１１を収容しており、気体環境１３内に設置される。導入出口の少なくとも一方はタンク側壁に形成され、液面１５よりも下方に位置する。タンク３内には、気体環境１３内の圧力よりも低い圧力のガスで満たされた部分２５が液１１の上方に存在してもよい。本発明の方法は、前記装置を利用して、クリーニングまたはエッチング液に、液面よりも低いレベルで基材を導入、導出するステップから成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

【課題】互いに交差する２つの直線状ラインに沿ってユニットを配列した構成の基板処理装置において、構成を簡素化し、コストを低減する。搬送ロボット間での基板の受け渡しをなくすことによって、基板の汚染を減少する。
【解決手段】第１搬送路１０に沿ってカセット載置部１１，１２が設けられている。第１搬送路１０に直交する第２搬送路２０に沿って、めっき処理ユニット２１〜２４、裏面洗浄ユニット２５，２６および周縁洗浄ユニット２７，２８が設けられている。搬送ロボットＴＲは、ロボット本体３０と、このロボット本体３０を第２搬送路２０にほぼ沿うレール５８上で走行させるボールねじ機構５０と、レール５８の第１搬送路１０側の端部をこの第１搬送路１０に沿って移動させることにより、レール５８を揺動させるボールねじ機構４０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置を提供する。
【解決手段】内部を所定の気圧に維持し得る移載室の周囲に配設され、被処理基体を処理する、窒化チタン層形成ユニット、窒化タンタル層形成ユニット、および窒化タングステン層形成ユニットからなる群から選択される一の処理ユニットと、チタン層形成ユニットと、タングステン層形成ユニットとを各二基以上と、前記移載室の周囲に配設され、前記所定の気圧下で前記被処理基体を処理する一または二以上の予備洗浄処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する移載アームとを具備し、前記ユニットの少なくとも一つが他の前記ユニットに対して上下方向に配設されている。 （もっと読む）

【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第１の洗浄溶液が適用される。第１の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第２の洗浄溶液が適用される。第２の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 （もっと読む）

【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し，処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材９０を上昇させた状態で，基板Ｗをスピンチャック６０によって保持し，上面部材９０を下降させて基板Ｗの表面に近接させ，スピンチャック６０に係合させた状態にし，上面部材９０と基板Ｗとの間に形成された隙間に処理流体を供給し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０の回転を停止し，上面部材９０を上昇させてスピンチャック６０から離脱させた状態で基板Ｗ及びスピンチャック６０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ及びスピンチャック６０の回転を停止し，スピンチャック６０の基板Ｗに対する保持を解除する。 （もっと読む）

移動可能な対象物洗浄装置となれる少なくとも一つの対象物洗浄装置を使用して、半導体ウェーハのような対象物を研磨するための装置及び方法である。該移動可能な洗浄装置は、保持管理のために該装置の他の部品に接近が許容される。 （もっと読む）

膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）