【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、傷が発生せず、洗浄効果も高い研磨した石英ガラス基板のスクラブ洗浄方法を提供する。
【解決手段】２流体ジェット洗浄によりスクラブ洗浄時にスクラブ材にからんで基板に傷をつけるような異物を除去し、その後、スクラブ材として３０％圧縮応力が２０〜１００ｋＰａ、２０ｋＰａにおける圧縮弾性率が５０〜２００ｋＰａであるスクラブ材を用いて、スクラブ洗浄することで、スクラブ洗浄による傷の発生を抑制し、なおかつ基板の主表面のみならず端面まで細かい付着物を除去する。 （もっと読む）

【課題】微小気泡を含む液体を用いて基板を処理する際に、微小気泡の圧壊力を基板に十分作用させることができ、効果的に基板処理が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｗの面Ｓに液体を供給して基板の面を処理する基板処理装置であり、基板Ｗの面Ｓに対面して配置されるノズルヘッド装置１２と、ノズルヘッド装置１２に対して微小気泡Ｈを含む液体Ｌを供給する微小気泡生成部２０と、ノズルヘッド装置１２から基板Ｗの面Ｓに対して供給される微小気泡Ｈを含む液体Ｌ中の微小気泡Ｈに対して、微小気泡Ｈが基板Ｗに到達するタイミングで超音波を間欠的に照射して微小気泡Ｈを圧壊させる超音波振動子３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持し、基板１を回転させる基板回転手段３０と、基板面と平行で基板回転軸ａと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された２つの洗浄ブラシ７、８（１０）を備え、２つの洗浄ブラシ７、８（１０）がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ７、８、１０が基板１の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ４０（５０）と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段１２とを備える基板洗浄装置２０とする。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する疎液性が基板Ｗよりも高い疎液面とされている。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】 基板上に第１洗浄液の液膜が形成された状態で、基板を良好に洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 回転保持部１０により回転される基板Ｗに、第１洗浄液供給部４０からの第１洗浄液が供給され、基板Ｗ上に液膜ＬＦ１が形成される。導入プレート６０ａおよび超音波付与部７０が、退避位置から洗浄処理位置に向けて揺動させられ、基板Ｗの外縁部付近に配置される。これにより、基板Ｗ上に液盛りされた第１洗浄液の一部が、表面張力により基板Ｗ上から導入プレート６０ａ上に導入され、導入プレート６０ａに外方液膜ＬＦ２が形成される。そして、超音波付与部７０による超音波振動と、第２洗浄液の供給に基づいた波立振動とが、外方液膜ＬＦ２に付与される。これにより、基板Ｗへのダメージを低減させつつ、基板Ｗに付着するパーティクルの除去率を各段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供する。
【解決手段】超音波振動子３４から発生させた超音波を音響レンズ３２でライン状に集束させて、供給される洗浄液に照射することで被洗浄基板を洗浄する超音波洗浄装置１０において、音響レンズ３２は、表裏面のうち一方面が円弧状、他方面が平面状の凹型レンズに形成され、他方面に超音波振動子３４が設けられるとともに、複数の部材３２ａ、３２ｂ、３２ｃを音響レンズ３２の平面方向で組み合わせて形成されており、複数の部材３２ａ、３２ｂ、３２ｃは各々、前記表裏面の間の厚さが前記超音波の波長の１／２の整数倍で形成される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段１１と、気体供給手段１３と、を備え、洗浄液供給手段１１による洗浄液と、気体供給手段１３による気体とを２流体ジェット流として噴出口１５から噴出させる２流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が６０［％］以下の硝酸、濃度が５０［％］以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来のエアクリーナ装置において、付着微細ダストの剥離効率と飛散微細ダストの捕集効率に限界がある上にチャタリング（異常振動）を発生して、生産ライン工程の稼動率の低下等の問題があった。
【解決手段】上段及び下段のエアクリーナヘッド２０、２１に水平面に対して３０〜８０度の傾斜した傾斜噴出口２２を設、吸込口（１）１３と吸込口（２）１４での吸込風量のバランスを調整する風量調整弁２４を設け、吸込風量を調整し、噴出流が途中で曲がる事なくストレートに平面板１９上の付着微細ダスト１７の下側に当たり剥離し易くなり、捕集効率が向上し、又、平面板１９の走行方向を傾斜噴出口２２からの噴出流の方向に合わせる事で押す作用も手伝いスムーズに走行出来る為に、チャタリング（異常振動）が無く生産ラインが一時停止する事も無く安定した生産が出来る。 （もっと読む）

【課題】１つの被処理物乾燥装置により熱風乾燥処理と真空乾燥処理とが行え、被処理物の大きさ及び形状、或いは、洗浄液の残着量や種類等に応じた適切な方法で乾燥処理することができる被処理物乾燥装置を提供する。
【解決手段】ブロアー３ｂとブロアー７との送風力により、熱風発生装置３により発生された供給熱風Ｈと、熱風排出部２Ａｂから排出される排気熱風Ｈとを合流させるとともに、濾過装置５により清浄濾過され、捕集装置８により液分が捕集された供給熱風Ｈを乾燥室２Ａ内へ送風して、被処理物Ａに残着する洗浄液を蒸発気化して熱風乾燥する。一方、減圧装置４を駆動して、乾燥室２Ａ内の雰囲気Ｆを強制的に吸引して抜き取り、該乾燥室２Ａ内を真空に近い状態に減圧する。熱風乾燥時において被処理物Ａ自体に蓄積された予熱により、該被処理物Ａに残着する洗浄液を蒸発気化して真空乾燥する。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を電気分解して得られる酸化性物質を安定して生成することができる洗浄システム及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた隔膜と、陽極と隔膜との間に設けられた陽極室と、陰極と隔膜との間に設けられた陰極室とを有し、濃硫酸溶液を電気分解して陽極室に酸化性物質を生成させる硫酸電解部と、陽極室に、濃硫酸溶液を供給する濃硫酸供給部と、酸化性物質を含む酸化性溶液を用いて洗浄対象物の洗浄処理を行う洗浄処理部とを備えている。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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【課題】 効率の良い半導体基板処理装置及び半導体基板を処理するための方法の提供すること。
【解決手段】 半導体基板処理装置には、半導体基板支持体と、半導体基板支持体の上に位置する分配ヘッドと、液体容器と、搬送サブシステムが含まれる。半導体基板は半導体基板支持体上に載置されてもよく、第１半導体処理液がその上に分配される。第１半導体処理液を除去するためにウエハを半導体基板支持体によってスピンさせてもよい。半導体基板を第２半導体処理液に浸漬させてもよい液体容器に搬送サブシステムが半導体基板を搬送させてもよい。その後、半導体基板が第２半導体処理液の表面と接触している半導体基板の表面に蒸気を送るとともに半導体基板が第２半導体処理液から取り出されてもよい。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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