【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減するとともに排液量を少なくすることができ、また処理時間を短縮し、さらに装置全体の省スペース化と製造コストの低減化が達成できる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】薬液処理後の基板Ｗに対し水洗処理を行う水洗処理室１０が、基板搬送方向において置換水洗領域２０１、水洗領域２０２および直水洗領域２０３にこの順に画定され、置換水洗領域２０１内に、入口ノズル１６と、高圧ノズル１８と、強制排出ノズル１００と、エアーノズル２２と、がそれぞれ配設される。置換水洗領域２０１内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗領域２０１内から基板Ｗが搬出された後に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを非回転状態で保持する基板保持手段と、ノズル４と、処理液供給手段と、制御手段とを含む。ノズル４は、基板保持手段に保持された基板Ｗの主面の中央部に向けて流体を吐出する中央吐出口１１、主面の中央部を取り囲む環状の中間領域Ｔ１に向けて外向きに流体を吐出する中間吐出口１２、および中間領域Ｔ１を取り囲む環状の周縁領域Ｔ２に向けて外向きに流体を吐出する周縁吐出口１３を有する。処理液供給手段は、中央吐出口１１、中間吐出口１２、および周縁吐出口１３に個別に処理液を供給する。制御手段は、処理液供給手段を制御して、中央吐出口１１、中間吐出口１２、周縁吐出口１３の順番で処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態例では、ウェットシステムは、プロキシミティヘッドと、基板（例えば半導体ウエハ）のためのホルダとを含む。プロキシミティヘッドは、メニスカスとしての水性流体の流れをプロキシミティヘッドの表面にわたって生じさせるように構成される。プロキシミティヘッドの表面は、流れを通じて基板の表面に作用する。ヘッドの表面は、流れを閉じ込める、維持する、及び／又は促進する表面形状変更を伴った非反応性材料（例えば熱可塑性プラスチック）で構成される。表面形状変更は、（例えばダイヤモンド又はＳｉＣの先端を伴った）円錐状のスクライブによって表面に彫り込まれてよい、又はテンプレートを使用して表面上にメルトプリントされてよい。これらの変更は、準ウィッキング又は超疎水性を生じさせえる。ホルダは、基板の表面を流れに曝す。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 （もっと読む）

【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように、中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。シールドガス供給ノズル５０、５５は、第１処理空間７１にシールドガスを供給し、第１処理空間７１内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第１処理空間７１において、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）

【課題】被処理体へ悪影響を及ぼすことなく、被処理体を連続して処理する際におけるスループットを向上させること。
【解決手段】処理装置は、延長可能液処理機構４０，４５と、一の被処理体と他の被処理体を順次取り扱う共有取扱部１０と、を備えている。処理装置は、リンス液処理工程と、共有取扱工程と、を有するレシピを算出するレシピ算出部５１も備えている。レシピ算出部５１は、共有取扱部１０が一の被処理体を取り扱う一の共有取扱工程と共有取扱部１０が他の被処理体を取り扱う他の共有取扱工程とが時間的に重複する場合に、他の被処理体についての延長可能液処理工程を延長し、かつ、延長可能液処理工程を延長した分だけ他の共有取扱工程をシフトさせることによって、一の共有取扱工程と他の共有取扱工程とが時間的に重複しないようにする。 （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
（もっと読む）

【課題】被処理体の保持部側の面側に位置するリフトピンプレート（リフトピンを含む）や保持プレートといった部材に付着した薬液が原因でウエハに悪影響が生じることを防止する。
【解決手段】保持部３１によって被処理体Ｗを保持する保持工程と、回転駆動部６０によって保持部３１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転工程と、薬液供給部１６によって被処理体Ｗの保持部３１側の面に薬液Ｃを供給する薬液供給工程と、薬液供給工程後に、ガス供給部２０並びにリンス液供給部１７よりガス及びリンス液Ｒを供給することによってリンス液滴を生成し、該リンス液滴を被処理体Ｗの保持部３１側の面に向かって供給するリンス液滴供給工程と、リンス液滴供給工程後に、リンス液供給部１７によって被処理体Ｗの保持部３１側の面にリンス液Ｒを供給する仕上げリンス液供給工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】流量計により安定して正確な流量検出が可能な液供給機構および液処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構は、薬液を吐出するノズル孔１６ａを有する表面洗浄用ノズル５と、表面洗浄用ノズル５に薬液を供給する薬液供給配管２１と、ノズル孔１６ａと薬液供給配管２１をつなぐ薬液流路１９ａと、薬液供給配管２１に設けられた流量計３４と、薬液供給配管２１における流量計３４の下流に位置する分岐部３６から分岐し、ノズル孔１６ａ、薬液流路１９ａ、薬液供給配管２１の分岐部３６より下流側部分の薬液を抜液する抜液配管３７と、薬液の供給と抜液とを切り替える開閉バルブ３３，３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】研磨後にウェーハを水没させて搬送及び洗浄する工程において、ウェーハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェーハ収納リンス装置を提供する。
【解決手段】水槽５の水面より上部に置かれたカセット４を水平にし、且つリンス機構９のノズルバー９ａをカセット４の後部へ移動して、研磨後のウェーハ３を一枚ずつカセット４に収納する。全てのウェーハ３がカセット４に収納されたら、傾斜手段８によってカセット４を１°〜２０°の範囲で傾斜させ、ノズルバー９ａによってウェーハ３の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構７によって、カセット４を水槽５の内部の水中へウェーハ１枚分の間隔で沈める。カセット４を水槽５から引き上げるときも、傾斜手段８によってカセット４を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェーハ３が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェーハ３の収納・洗浄・搬送を行える。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ１０１は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板２０１から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド２１３、２１５、２１７を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズルの入れ替えに要する時間を短縮可能な技術を提供する。
【解決手段】ＤＩＷ供給部１３が移動するエリア内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。基板Ｗに対する純水の吐出処理（プリウェット処理）を終えた純水ノズル１３０が、干渉エリアＡｉの外に移動したことが確認されると、現像ノズル２１が所定の待機位置Ｔ２１から基板Ｗの上方の吐出開始位置へと移動開始する（ＡＲ１３）。 （もっと読む）

【課題】リンス液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに第１流量（２（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を供給して初期リンス工程を実行した後に、第１流量よりも低い第２流量（１．５（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を基板表面Ｗｆに供給して中間リンス工程を実行しているため、リンス液の使用量を抑えることができる。また、リンス液の流量を低下させる前に大流量のリンス液を用いて基板表面Ｗｆ全体にリンス液の液膜を形成しているため、リンス液流量を低下させている中間リンス工程においてもリンス液を基板表面Ｗｆ全体に広げて基板表面Ｗｆ全体を覆うことができるため、基板表面Ｗｆの部分的な露出を防いで基板表面Ｗｆに対してリンス処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）