【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置を提供する。
【解決手段】内部を所定の気圧に維持し得る移載室の周囲に配設され、被処理基体を処理する、窒化チタン層形成ユニット、窒化タンタル層形成ユニット、および窒化タングステン層形成ユニットからなる群から選択される一の処理ユニットと、チタン層形成ユニットと、タングステン層形成ユニットとを各二基以上と、前記移載室の周囲に配設され、前記所定の気圧下で前記被処理基体を処理する一または二以上の予備洗浄処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する移載アームとを具備し、前記ユニットの少なくとも一つが他の前記ユニットに対して上下方向に配設されている。 （もっと読む）

本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
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【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能なウエハ保持部１と、ウエハ保持部１に保持されたウエハＷを囲繞し、ウエハＷとともに回転可能な回転カップ３と、回転カップ３およびウエハ保持部１を一体的に回転させるモータ２と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル４と、回転カップ３の排気および排液を行う排気・排液部６とを具備し、排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

多孔性パッド（５００）用の回転可能なベース（１００）は、基板全体にわたるベース（１００）における液体の改善した流れの分散を提供する開口部（１２６、１３０、１３４）を有する。回転可能なベース（１００）は、２個構成成形型から成形され得、成形工程を容易にするために、開口部（１２６、１３０、１３４）は、抜き勾配を有することができる。
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本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
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種々の二酸化炭素流量を必要とするアプリケーションに高圧二酸化炭素を供給する新規な方法及びシステムが提供される。この方法は、高圧二酸化炭素供給流をバッファーボリューム（８０）に供給すること、及びアプリケーションツール（１００）に送られる二酸化炭素量を決めることを包含する。バッファーボリューム（８０）内の圧力は、アプリケーションツール（１００）が必要とする圧力を超える圧力に維持される。更に、バッファーボリューム（８０）内の温度を調節して、二酸化炭素の密度を変更し、それに基づいてバッファーボリューム（８０）のサイズを修正する。その後、二酸化炭素は、アプリケーションツール（１００）が必要とする種々の流量で、バッファーボリューム（８０）から送り出される。
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