【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。また、基板Ｗを乾燥させる際に、処理液が自然落下する状態に基板Ｗが直立姿勢で保持されているので、乾燥ガスの吐出により処理液（リンス液）を押し出すとともに該処理液に作用する重力を利用して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂからリンス液が除去される。このため、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】吐出位置に関わらず常に一定の条件にて処理液を吐出することができ、しかも装置サイズの大型化を抑制した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にフォトレジストを吐出してレジスト塗布処理を行う３つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３が鉛直方向に沿って積層配置される。吐出ユニットＬＴ２は、薬液ボトル７１から送球されたレジストを貯留するトラップタンク６４、レジストを吐出する吐出ノズル６１およびトラップタンク６４から吐出ノズル６１にレジストを圧送する吐出ポンプ６３を一体に備え、鉛直方向に沿って昇降して塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３の間を移動する。トラップタンク６４、吐出ポンプ６３および吐出ノズル６１の相互間の距離および高低差は、吐出ユニットＬＴ２の高さ位置にかかわらず一定であり、レジスト吐出条件も吐出ユニットＬＴ２の高さ位置にかかわらず常に一定となる。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる複数種類の処理液を基板に順次供給することによって基板に対して所定の湿式処理を施す際に、複数種類の処理液を良好に分離して回収することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを配置する間隙空間Ｓ１に互いに異なる複数種類の処理液が順次供給され、各処理液ごとに基板Ｗに対して湿式処理が施される。また、湿式処理の実行ごとに湿式処理後の処理液が連通部１２４から順次放出されるが、処理ユニット１と液回収ユニット２とが相対的に移動することで連通部１２４から放出される処理液の種類に対応した回収位置に液回収槽２１〜２４が選択的に配置される。ここで、液回収ユニット２が処理ユニット１と分離して処理ユニット１の下方側に配置されるとともに、処理ユニット１の連通部１２４から間隙空間Ｓ１の下方側に鉛直方向下向きに処理液が放出される。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハの電解加工工程、洗浄工程及び乾燥工程を１つのモジュールに集約し、各工程でトラブルが生じても、他のモジュールにて加工処理されるウェハの搬送を停滞させないようにする。
【解決手段】ウェハＷの電解加工を行う電解加工部２と、該加工後のウェハを洗浄する洗浄部３と、前記ウェハＷを乾燥させる乾燥部４とを備え、該電解加工部２、洗浄部３及び乾燥部４は同一の加工処理室５に設けて１つにモジュール化する。これにより、ウェハＷの電解加工程、洗浄及び乾燥は１箇所にて連続的に実施される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極と誘電板との間に異常放電が生じないように出来るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１の放電空間１ｐを向く面を、電極３１とは分離可能な固体誘電体からなる誘電板５１で覆う。電極３１の背部に電極冷却部材３２を配置し、この背部指示部材３２を誘電板５１に対し接近離間方向に位置固定する。電極冷却部材３２と電極３１との間に圧縮コイルばねからなる弾性付勢部材７０を圧縮状態で配置する。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程のいわゆる前工程で好適に使用されるものであり、簡便な制御機構によって炭酸ガスの流量を制御可能で、設置スペースが小さく、その製造コストが低廉である比抵抗制御装置を提供する。
【解決手段】薬液流体を供給する薬液流体供給手段１０と、超純水を供給する稀釈流体供給手段２０と、薬液流体及び超純水を混合させて処理水として排出する処理水調合手段３０とを備え、薬液流体供給手段１０が、分岐した第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３からなる送液路４０と、第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３に配置され、処理水調合手段３０に流入する薬液流体の流量を制限するフィルタ５１と、処理水調合手段３０から排出される処理水の比抵抗値に対応して、第一の分岐路４２、または第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３を開閉する一つの開閉弁５２とを備える比抵抗制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、特に半導体装置の製造プロセスにおける処理液の温度管理に適用して好適な流体温調装置を対象とし、その目的は、被温調流体に対する温度調節を迅速かつ精密に実施することができ、併せて装置の可及的なコンパクト化をも達成し得る流体温調装置を提供することにある。
【解決手段】 上記目的を達成するべく、本発明に関わる流体温調装置は、流路溝を形成した本体ブロックと、この本体ブロックの表面に設置されて被温調流体の通過する流路を形成する伝熱板と、この伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱するヒータと、上記伝熱板を介在して流路を通過する被温調流体を加熱および冷却する熱電モジュールとを備えて成る。
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【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの主面に、回路および複数の第１の電極パッド４を有する複数の製品形成領域を形成する工程と、前記各製品形成領域に、前記第１の電極パッド４よりも配列ピッチが広い複数の第２の電極パッド７ａを再配置する工程と、前記半導体ウエハの複数の製品形成領域を個片化して、第１の面側に、前記回路、前記複数の第１の電極パッド４、前記複数の第２の電極パッド７ａを有する複数の半導体装置を形成する工程と、前記半導体装置の形成工程の後、前記半導体装置の第１の面に付着する異物２８を洗浄にて除去する工程とを有する。 （もっと読む）

フルウエハ処理モジュールと、組み合わせ処理モジュールとを備える、統合処理ツールを記載する。組み合わせ処理モジュールで使用するための化学物質は、一式の第１の多岐管を含む送達システムから供給される。各第１の多岐管の産出は、少なくとも１つの混合容器に連結される。各混合容器の産出は、一式の第２の多岐管のうちの２つ以上に供給する。各一式の第２の多岐管の産出は、組み合わせ処理モジュールの複数の部位単離リアクタのうちの１つに供給する。
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【課題】基板の表裏両面の好適な洗浄を可能とする。
【解決手段】ベース部材２に設けられた保持部材６によってベース部材２と基板Ｗとが離間された状態で基板Ｗの周縁部が保持され、保持部材６に保持された基板Ｗの面のうち、ベース部材２に向く側の第１洗浄面ＷＦ１を洗浄するための第１洗浄ブラシ２１は、第１洗浄具支持アーム２２によって、基板Ｗとベース部材２との間に第１洗浄面ＷＦ１に沿って移動可能に配置支持される。回転モーター１１によってベース部材２に連結された中空状の回転軸９を介して基板保持機構１及びそれに保持された基板Ｗを回転させながら、回転モーター１６による移動動力によって、第１洗浄面ＷＦ１に沿って第１洗浄ブラシ２１を移動させ、第１洗浄ブラシ２１により基板Ｗの第１洗浄面ＷＦ１を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】未処理のウエハの戻し作業が生ずる事態を防止して、ロットごとの液処理を行うことにより生産効率を高めることを可能とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部５と、キャリアＣを複数保管可能なキャリアストック部６と、キャリアＣを搬送するキャリア搬送装置１２と、検査／搬入出ステージ１５と処理部７との間で基板Ｗを搬送する基板搬送部３と、キャリアＣ内の基板Ｗを検査する基板検査装置１８と、一括して処理される複数のキャリアＣのうち、一のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリアをキャリアストック部６へ戻し、他のキャリアを基板検査装置１８に搬送し、液処理可能ならば一のキャリア及び他のキャリア内の複数の基板Ｗを、検査／搬入出ステージ１５から搬出するように制御する制御部９０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングする装置及び方法を提供する。
【解決手段】基材９の導入口５及び導出口７を有するタンク３を含み、前記基材９を湿式クリーニングまたはエッチングするための装置１。このタンクはクリーニング液１１を収容しており、気体環境１３内に設置される。導入出口の少なくとも一方はタンク側壁に形成され、液面１５よりも下方に位置する。タンク３内には、気体環境１３内の圧力よりも低い圧力のガスで満たされた部分２５が液１１の上方に存在してもよい。本発明の方法は、前記装置を利用して、クリーニングまたはエッチング液に、液面よりも低いレベルで基材を導入、導出するステップから成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置を提供する。
【解決手段】内部を所定の気圧に維持し得る移載室の周囲に配設され、被処理基体を処理する、窒化チタン層形成ユニット、窒化タンタル層形成ユニット、および窒化タングステン層形成ユニットからなる群から選択される一の処理ユニットと、チタン層形成ユニットと、タングステン層形成ユニットとを各二基以上と、前記移載室の周囲に配設され、前記所定の気圧下で前記被処理基体を処理する一または二以上の予備洗浄処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する移載アームとを具備し、前記ユニットの少なくとも一つが他の前記ユニットに対して上下方向に配設されている。 （もっと読む）