【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切り換えに要する時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、バッチハンド２４によりフープ保持部に保持されたフープに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬入および搬出するバッチ式の第１搬出入機構４と、第１および第２枚葉ハンド４５，４６によりそれぞれバッチハンド２４およびフープに対して１枚の基板Ｗを搬入および搬出する枚葉式の第２搬出入機構５とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡略な構造で、洗浄時の装置振動を抑制し、均一な洗浄を可能にする低コストの高圧洗浄液噴射式洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧洗浄液を一本の直線状に噴射させて洗浄する多数の噴射ノズル３を備えた高圧洗浄液噴射式洗浄装置１で、ノズルホルダー２が３本で、相互に平行に隣接させて配置し、往復スライダ・クランク機構７を介して共通のサーボモータ３０により中央のノズルホルダー２ｃと両側方のノズルホルダー２ｂとを逆向きに直進往復移動させるとともに、中央のノズルホルダー２ｃの質量を両側方のノズルホルダー２ｂの質量の２倍に設定し、かつ往復スライダ・クランク機構による偏心量ｒを各ノズルホルダー２ｂ・２ｃについて同一にし、洗浄対象物ｘをノズルホルダー２ｂ・２ｃの長手方向に直交する方向に搬送しながらノズルホルダー２ｂ・２ｃを長手方向に往復移動させると同時に、各噴射ノズル３から高圧洗浄液を噴射させて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】超微細パターンの溝を有する回路基板でも洗浄及び乾燥を効率よく行なうことができる回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】回路基板１４を保持する基板保持部１６を有するロータ１８と、上面に開閉蓋２２が配設され、側部に通気隙間２４を有する内側タンク２６と、超音波発信機３０と、分離可能なカバー３２を有する外側タンク３４と、回路基板１４を真空吸着するバキュームパッド３６を有する基板昇降機構４４と、回路基板１４を真空引きする真空ポンプ４６と、開閉蓋２２を磁気吸着するマグネットパッド４８を有する開閉蓋昇降機構５８と、内側タンク２６内に洗浄液を供給する洗浄液供給機構６２と、内側タンク２６内に窒素ガスを噴射するガス噴射機構と、内側タンク２６と外側タンク３４との間の空間を減圧化する真空ポンプ６６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果の高い小さなバブルサイズのマイクロバブルを外部に供給することができ且つ装置を小型化することができ、装置の配置の自由度を向上させることができるマイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、マイクロバブル生成機構１０とマイクロバブルを外部に導出する導出導管２０とを備える。導出導管２０は拡幅部２１と管部２２とを備え、導出導管２０において、拡幅部２１と管部２２とは互いに接続されており、互いに連通している。拡幅部２１は、軸ｚを中心軸とする中空円柱形であり、底面２３，２４と、円筒形の周面２５とを有し、拡幅部２１の一方の底面２３を介してマイクロバブル生成機構１０の噴出口１１が、他方の底面２４を介して管部２２が連通している。拡幅部２１のマイクロバブルの流路軸ｚに直交する断面の面積は、管部２２の流路軸ｚに直交する断面の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】効率的な生産が可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液で基板Ｗを処理するための処理ユニット６と、この処理ユニット６に処理液を供給する処理液供給部２５とを含む。処理液供給部２５は、所定の大きさに統一され、処理液が流通する配管２８をそれぞれ有する複数の処理液供給モジュール２２と、複数の処理液供給モジュール２２をそれぞれ配置するための複数の配置空間が内部に設けられた流体ボックス７とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極構造をコンパクトにし、かつ電極が放電で熱変形しても電極と固体誘電体との間に異常放電が起きるのを防止する。
【解決手段】電極１１の放電面１１ａに誘電体からなる誘電部材１２を被せる。電極１１の背面１１ｂに固定部材１３を対面させる。固定部材１３を誘電部材１２に対し位置固定する。背面１１ｂと、固定部材１３の背面対向面１３ｂの一方に収容凹部１５を形成し、他方を平坦面にする。板ばね１４の基部１４ｂを収容凹部１５に収容する。板ばね１４の弾性接触部１４ａを上記平坦面に弾力的に当てる。 （もっと読む）

【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管７１により冷却ガスが処理チャンバ１内の冷却ガス吐出ノズル３に供給される。二重配管７１は円環プレート８１に保持され、さらに円環プレート８１がベローズ８２により処理チャンバ１に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管７１のうち処理チャンバ１内でノズル３と接続された冷却ガス供給管部７１Ｂは、冷却ガス吐出ノズル３の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート８１が移動して冷却ガス吐出ノズル３との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部７１Ｂはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部７１Ｂが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部７１Ｂの移動により発生する負荷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が処理されるべき基板処理容器のチャンバーの容積を小さくすることができ、また、被処理基板の搬送にかかる時間が長くなってしまうことを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、被処理基板Ｗが収容されるチャンバー３０ａを内部に有する基板処理容器３０と、基板処理容器３０に対して被処理基板Ｗの受け渡しを行う第１搬送ユニット４０と、第１搬送ユニット４０への被処理基板Ｗの受け渡しおよび第１搬送ユニット４０からの被処理基板Ｗの受け取りを行う第２搬送ユニット１４とを備えている。第１搬送ユニット４０は、被処理基板Ｗの上面に接触することなく当該被処理基板Ｗを上方から保持する非接触式のものである。第２搬送ユニット１４は、被処理基板Ｗに接触することにより当該被処理基板Ｗを保持する接触式のものである。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）

【課題】占拠床面積を減少しつつウエハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ２００を保持して待機室と処理室との間を移動するボート２１７と、待機室に設置されボートに複数枚のウエハを一括して授受する授受装置５０と、授受装置にウエハを移載するウエハ移載機構１２５とを備えた基板処理装置において、ボートにウエハをそれぞれ載置する載置面を複数設け、授受装置にはロータリーアクチュエータ５３を設け、ロータリーアクチュエータの回転台５５には支柱５６を垂直に立設し、支柱には載置面外周を半分取り囲む形状の支持部５７を載置面と同数設ける。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する疎液性が基板Ｗよりも高い疎液面とされている。 （もっと読む）

【課題】重量及びコストの著しい増大を回避しながら大型化が可能な基板処理槽と、これを製造するための方法を提供する。
【解決手段】基板処理槽は、槽本体１０と支持枠体２０とを備える。槽本体１０は、樹脂製の板材からなるもので、底板１３とその外縁１４から立上がる補強板１４とを一体に有する底部材１２と、その補強板１４の内側面に沿って立設される側板１６Ａ，１６Ｂとからなる。支持枠体２０は、底板１３を下方から支持する底部枠２３と、側板１６Ａ，１６Ｂを外側から支持する側部枠２６Ａ，２６Ｂとを備える。これらの支持は、槽本体１０の形状を保ち、その形状保持のために板材の厚みを大幅に増やす必要をなくす。 （もっと読む）

【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）