【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを所定の回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハＷの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハＷの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハＷの主面上にウエハＷの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハＷ上に形成される気流の流速は、ウエハＷの回転軸線Ｃ１からの距離が異なる各位置において、ウエハＷの周速と一致されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）

【課題】多機能化に伴い大型化するスピンコータのロータ部材２２の、安定的回転を確保し、さらに、スピンコータ１の鉛直方向における短尺化により、工場内の容積効率向上を実現する。
【解決手段】筒状の固定部材４５の外周側に、環状に形成されたステータコイル２８を固定して構成したステータ部材２１と、前記ステータ部材２１の内周側に回転可能に、回転体４１を支持し、この回転体４１の側面であって、前記ステータタコイル２８を囲み、複数の永久磁石２９を接近するように配置して、前記回転体４１と共に回転するロータ部材２２を形成し、前記ステータ部材２１と前記ロータ部材２２を合わせて偏平状かつ環状の電動機２０（例えばモータ）を形成し、前記回転体４１の上面に基板支持部材２３を配置し、前記基板支持部材２３に支持された薄板状被処理物（ウエハ１４）の裏面に処理液３２を噴射するようにパイプ３５を配設した。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を迅速に、かつ良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給が２系統、つまり（１）基板Ｗの表面外周部から乾燥窒素ガスを供給する系統と、（２）基板Ｗの表面中心部から乾燥窒素ガスを供給する系統で同時に行われて処理空間１６２の湿度を均一に低下させることができる。また、処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給とともに処理空間１６２の排気を湿式処理時の排気よりも抑えているので、処理空間１６２の湿度を迅速に低下させることができる。そして、このようにして処理空間１６２の湿度を低下させた状態で乾燥処理を実行しているので、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しつつ基板を乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート３１の表面に多数の溝部３６を形成し、毛細管現象により薬液であるＨＭＤＳ液をこれら溝部３６を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してＨＭＤＳ液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたＨＭＤＳ液がキャリアガスに接触するといったことがないので、ＨＭＤＳ液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置３を小型化できることから、処理容器２２の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】加工されたウエーハを効率よく洗浄することができるウエーハの洗浄装置を提供する。
【解決手段】環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを洗浄するウエーハの洗浄装置であって、粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを収容する複数の載置棚を有するカセットが載置されるカセットテーブルを備えたカセット載置手段と、粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを洗浄する洗浄手段と、カセットテーブルと洗浄手段との間に配設され粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを仮置きする仮置手段と、カセット載置手段のカセットテーブル上に載置されたカセットに収容された粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを仮置手段および洗浄手段への搬送経路に沿って搬送する搬送手段を具備している。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】単純な構造でブラシを回転させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ブラシ２０は、ブラシホルダ４７およびホルダ取付部４８を介して、回転シャフト４５に一体回転可能に連結されている。また、ホルダ取付部４８の外周には、複数の羽根１０４からなる羽根車１０５が連結されている。ブラシ２０および羽根車１０５は一体回転可能に連結されている。ブラシ２０および羽根車１０５は、第１および第２ノズル１１５，１１６から吐出されたブラシ洗浄液が羽根１０４に当たることにより、一体的に回転させられる。 （もっと読む）

【課題】設置スペースの自由度の高い超音波洗浄装置の提供にある。
【解決手段】本発明の超音波洗浄装置は、筐体１１と、該筐体の先端部に取り付けられ吐出孔の直径が一定の直線状丸孔に形成され、かつ後端部面がその外縁から前記吐出孔に向かって所定の傾斜角で下降する円錐状に形成されたノズル１２と、該ノズルの後端部に対向して配置された円板状の超音波振動子１３と、前記筐体の側面に形成された伝達液供給口１７及び排出口１８とを備えた超音波洗浄装置であって、前記ノズルの吐出孔に連設して、該吐出孔から供給された伝達液を保持するとともに超音波振動子からの超音波を被洗浄物に対し伝達・照射するため超音波伝達管２０を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を精度よく基板に供給することができるとともに製造が容易でかつ小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。流体供給管４００の鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定される。これにより、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓを介してスピンモータ２００に固定される。流体供給管４００は、ステンレス製のガイド管４１０の内部に樹脂製の気体供給管４２０および複数本の樹脂製の洗浄液供給管４３０が収容された構造を有する。ガイド管４１０の内部において、１本の気体供給管４２０は複数本の洗浄液供給管４３０により取り囲まれるように配置される。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、水平姿勢の基板に対して処理具を移動させて基板に処理を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】略水平方向に並べて設けられ、基板Ｗを略水平姿勢で保持する複数の処理ユニット１０１ａ、１０１ｂと、基板Ｗに現像液を供給するノズル１１１ａ、１１１ｂと、ノズル１１１ａ、１１１ｂを支持するアーム部材１１３ａ、１１３ｂと、アーム部材１１３ａ、１１３ｂを直線的に移動させる駆動部１２０ａ、１２０ｂと、を備えている。駆動部１２０ａ、１２０ｂは異なる高さ位置に配置され、平面視で一部重複している。アーム部材１１３ａは、駆動部１２０ｂと干渉しない形状を呈して、駆動部１２０ａが駆動部１２０ｂと平面視で一部重複している範囲にも移動可能である。このように、複数の駆動部１２０ａ、１２０ｂを平面視で一部重複させて設けているので、設置面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】上下方向に小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】隔壁部材１４２が円環状空間１４０と退避空間１４１の間を移動自在となっており、乾燥処理中には、隔壁部材１４２が円環状空間１４０に移動して基板Ｗとスプラッシュガード（カップ）１３６を仕切っているため、スプラッシュガード１３６から飛散したミスト状の処理液（薬液やリンス液）は隔壁部材１４２で遮られて基板Ｗへの処理液の再付着が防止される。その結果、基板乾燥を良好に行うことができる。また、雰囲気遮断板が不要となるため、従来装置と比べて雰囲気遮断板および該雰囲気遮断板を回転駆動する機構が不要となり、上下方向における装置サイズを小型化することができる。 （もっと読む）

本発明は反応空間を提供するチャンバと、前記チャンバ内部に設けられるステージと、前記ステージに対向して前記チャンバ内部に設けられるプラズマ遮蔽部と、前記ステージと前記プラズマ遮蔽部の間に基板を支持する支持台と、前記ステージに備えられ、前記基板の一面に反応ガス又は非反応ガスを供給する第１供給口と、前記プラズマ遮蔽部に備えられ、前記基板の他面に反応ガスを供給する第２供給口及び非反応ガスを供給する第３供給口と、を含む基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
このような本発明は単一チャンバ内で基板のエッジ領域及び背面領域にプラズマ処理を個別的に行うことができる。従って、装置の設置空間が減り、生産ラインの空間活用性を高めることができる。そして、チャンバ移動による大気露出がないので基板汚染が少なく、チャンバ移動による待機時間がないので全体的な工程時間を節約できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング２の内部の収容空間に、第１処理チャンバ１０、第２処理チャンバ２０および第３処理チャンバ３０が、下方から順に積層されている。第１処理チャンバ１０の上方には、第１蓋１１を介して、第２処理チャンバ２０が積層されている。第１蓋１１および第２処理チャンバ２０が、一体的に、第１処理チャンバ１０に対して相対的に昇降する。第２処理チャンバ２０の上方には、第２蓋２１を介して、第３処理チャンバ３０が積層されている。第２蓋２１および第３処理チャンバ３０が、一体的に、第２処理チャンバ２０に対して相対的に昇降する。 （もっと読む）