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Fターム[5F157DC51]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | その他の課題の解決 (1,637) | 小型化、スペース節約 (187)

Fターム[5F157DC51]に分類される特許

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【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート614aが下方位置に配置され、マグネットプレート614bが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート614aの外方領域R1においては各チャックピン615が閉状態となり、マグネットプレート614bの外方領域R2においては各チャックピン615が開状態となる。すなわち、各チャックピン615の保持部615cは、マグネットプレート614aの外方領域R1を通過する際に基板Wの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート614bの外方領域R2を通過する際に基板Wの外周端部から離間する。 (もっと読む)


【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Wの略中央上方にガス噴射ヘッド200を設ける。ガス導入口291から導入された窒素ガスを、内部のバッファ空間BFを経てスリット状の噴射口293から噴射する。これにより基板の上方には、上下方向に噴射方向が制限される一方、水平方向には略等方的な放射状のガス流が形成される。そのため、基板周囲のゴミDやミストM等は外方向へ押し流されて基板Wに付着することがない。ガス噴射ヘッド200は基板Wの直径より小さくすることができ、しかも基板表面から退避させたり回転させる必要がないので、装置を小型に構成することができる。 (もっと読む)


【課題】複数個の処理部を備える処理装置において、被処理物の面内温度分布を改善する。
【解決手段】処理装置の被処理物入口41側の処理部に供給される電力の搬送方向密度(被処理物の搬送方向の処理電極の単位長さ当りの電力の大きさ)が、被処理物出口42側の処理部に供給される電力の搬送方向密度よりも小さくなるように、第1〜第3処理部31〜33に電力供給する各々の電源45、及び第4〜第6処理部37〜39に電力供給する各々の電源45を制御する電力制御部5,6を備える。 (もっと読む)


【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題(欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等)を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットECを備える洗浄処理部93を、インデクサブロック9に配置する。インデクサブロック9に設けられたインデクサロボットIRは、カセットCから取り出した未処理基板Wを、処理部である反射防止膜用処理ブロック10に搬送する前に洗浄処理部93に搬送する。洗浄処理部93においては、基板Wの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Wが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置1は、硫酸103を貯留する硫酸槽102と、過酸化水素水143を貯留する過酸化水素水槽142とを備える。基板処理装置1では、過酸化水素水143に半導体ウエハWを浸漬することにより半導体ウエハWの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハWを高温の硫酸103に浸漬することにより、混合直後の高温SPMを半導体ウエハWに接触させる。 (もっと読む)


【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部72は、処理ユニット4〜7の薬液バルブ33の開時間を取得し、その薬液バルブ33に関する累積開時間を算出するとともに、4つの処理ユニット4〜7の4つの薬液バルブ33の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ33の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット3は予め定める量の第1成分、第2成分および第3成分を、それぞれ、薬液タンク40に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハをスポンジブラシによって所定の洗浄度合に洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】回転テーブル11に保持された半導体ウエハ22を回転駆動されるスポンジブラシ38によって洗浄するブラシ洗浄装置において、上記回転テーブルを回転駆動するモータ16と、上記洗浄ブラシを回転駆動するモータ34と、上記スポンジブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動機構32と、上記スポンジブラシを半導体ウエハの径方向中心部から外方へ揺動させたときに上記スポンジブラシの上記半導体ウエハに接触する端面と上記半導体ウエハの上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記角モータを制御する制御装置64とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被洗浄体の乾燥を良好に行わせること。
【解決手段】本発明では、洗浄装置において洗浄後の被洗浄体に向けて乾燥剤を噴射して被洗浄体を乾燥させる乾燥手段と、前記乾燥手段を被洗浄体に沿って移動させる移動手段と、前記乾燥手段に設けた第1の乾燥剤噴射口と、前記第1の乾燥剤噴射口よりも下方側で、かつ、乾燥時の移動方向に対して後方側に設けた第2の乾燥剤噴射口とを有することにした。また、前記第1の乾燥剤噴射口と第2の乾燥剤噴射口の上下方向及び前後方向の間に第3の乾燥剤噴射口を形成することにした。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜が形成された基板を処理室内に搬入するステップと、前記処理室に接続されたプラズマユニットによるプラズマによって活性化した窒素原子を含むガスを前記処理室内に供給して前記高誘電率膜に対してプラズマ窒化処理を施すステップと、前記処理室内に成膜ガスを供給して前記プラズマ窒化処理後の高誘電率膜上に電極膜を形成するステップと、前記電極膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、前記プラズマユニットによるプラズマによって活性化したクリーニングガスを前記処理室内に供給して前記処理室内をクリーニングするステップと、を有する。
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【課題】装置構成の簡単な単一の洗浄処理チャンバーを用いて、単位時間当り可能な限り多くの枚数の被洗浄物の洗浄処理を可能とする。
【解決手段】洗浄処理チャンバーと、該洗浄処理チャンバー内に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段と、上記洗浄処理チャンバー内の不要物を排出する流体排出手段とを備え、上記洗浄処理チャンバー内を超臨界状態に維持することによって、当該洗浄処理チャンバー内の被洗浄物の洗浄処理を行うようにしてなる超臨界流体洗浄装置であって、洗浄前の被洗浄物を洗浄処理チャンバー内に搬送搬入する搬送搬入手段および洗浄処理終了後の被洗浄物を洗浄処理チャンバーから取り出す搬出搬送手段を設け、洗浄処理チャンバー内の複数の位置に同時に複数枚の被洗浄物を収納セットして順次洗浄処理することができるようにした。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハWを保持するスピンチャック40と、スピンチャック40を回転駆動するモータ41と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル42と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器43と、処理容器の底部から排気する排気手段44と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン50と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源51aとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 (もっと読む)


【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】直立状態に基板を保持し、その両面に対向部材を近接させ第1近接位置に配置する(ステップST1,ST2)。この状態で、薬液A〜Cおよびリンス液による湿式処理を順次実行する(ステップST3〜ST6)。続いて、IPA蒸気を供給しながら対向部材を第2近接位置へ移動させる(ステップST7,ST8)。第2近接位置における基板と対向部材との間隔は第1近接位置におけるそれよりも大きい。このため基板と対向部材との間に残留する処理液の流下が促進される。その後、窒素ガスを吹き付けて基板を乾燥させる(ステップST9)。 (もっと読む)


【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置1は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部2と、基板に所定の液処理を施す液処理部3と、容器搬入出部2と液処理部3との間で基板を搬送する基板搬送部4と、液処理部3に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部5と、基板搬送部4と液処理部3と処理液貯留部5をそれぞれ個別に制御する複数の制御部7a,7b,10と、基板搬送部4と液処理部3と処理液貯留部5に配設された電動駆動機構16,27および複数の制御部7a,7b,10を動作させるための電源部6と、複数の制御部7a,7b,10と電源部6からの排気を1箇所に集中させた後に外部に排気する排気システム8とを具備する。 (もっと読む)


【課題】ウエット洗浄装置において、洗浄液の消費量を抑えながら短時間で基板を効果的に洗浄する。
【解決手段】基板Sに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を施すウエット洗浄装置であって、このウエット洗浄装置は、洗浄液の供給口24aをもつ上下一対の対向面22を有して形成される中空部26を備え、この中空部26を基板Sが通るように配備された液ノズル20と、この液ノズル20に所定流量の洗浄液を供給する供給系統とを有し、各対向面22の間を基板Sが移動する間に、供給口24aから供給される洗浄液により基板Sの主面と前記対向面22との隙間を液密状態とするように構成されている。なお、供給系統は、洗浄液としてオゾン水中に直径が10−6m未満の微小気泡を含むオゾンナノバブル水を供給する。 (もっと読む)


【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 (もっと読む)


【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン106を形成する不活性ガス供給部12と、基板表面を所定温度に維持する加熱部16と、酸素遮断ゾーン30に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部14を有する。 (もっと読む)


【課題】微細ミストの発生を抑制した乾燥用液体の気化を簡素で且つコンパクトな構成で実現することが可能な乾燥用液体の気化装置を提供する。
【解決手段】乾燥処理対象物の乾燥に用いるIPA12を気化させる気化装置1であって、IPA12を貯留する貯槽10と、IPA12を気化させる空間を有する気化容器20と、貯槽10内と気化容器20内とを接続し、毛細管現象により貯槽10内のIPA12を吸い上げて気化容器20内に供給する揚液体30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置500は、インデクサブロック9、ベベル処理ブロック10、反射防止膜用処理ブロック11、レジスト膜用処理ブロック12、現像処理ブロック13、レジストカバー膜用処理ブロック14およびインターフェースブロック15を含む。ベベル研磨部50では、ベベル研磨ユニットにより基板Wのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造にもかかわらず洗浄能力が高いスクラブ洗浄装置及びそれに用いられるロールスポンジを提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄装置用ロールスポンジアセンブリは、ロールスポンジを保持する支持体部及びこの支持体部の両側に回転軸が一体に形成される支持体、ロールスポンジの中空孔内にこの支持体の前記支持体部が嵌め込まれることで支持体に保持されるロールスポンジを備えている。このロールスポンジアセンブリの支持体の支持体部は、その外径が長手方向に漸次拡大するように連続的に変化するように形成され、他方支持体に保持されるロールスポンジは、その外径及びその中空孔の内径が前記支持体部の外径の変化に合わせて連続的に変化するように形成される。また、スクラブ洗浄装置は、洗浄対象物を回転している前記一対のロールスポンジアセンブリの間で長手方向に移動させることにより、洗浄対象物を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハWの処理前に、搬送手段であるメインアームA2によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートPLを塗布処理ユニット32に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット80内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ200によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。 (もっと読む)


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