【課題】第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることと、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、第一洗浄機構３０に連結され、被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０と、を備えている。第二洗浄機構４０は、揺動軸４５ａを中心に揺動可能となり、第一洗浄機構３０側に揺動されたときに被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接する。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを吸着するチャックテーブル８の吸着面１３に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、チャックテーブル８の吸着面１３を、六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、アルゴンガスを含む混合ガスを用いて、プラズマ洗浄する。 （もっと読む）

【課題】表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去したり、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去したりすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０と、を備えている。処理装置は、第一洗浄機構３０から周縁部の一方の面に加わる押圧力を調整する第一調整機構１０と、第二洗浄機構４０から周縁部の他方の面に加わる押圧力を調整する第二調整機構２１，２５と、をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の所定の範囲を精度良く処理し、ミストとして残った処理液が次回以降に処理する被処理体に悪影響を及ぼすことを防止し、さらに、被処理体を処理するための処理空間を小さくする液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、を備えている。第一筐体１０は、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に対向する位置に、被処理体Ｗの周縁方向に向かうにつれて被処理体Ｗから離れるように傾斜した表面側傾斜部１１を有している。表面側傾斜部１１には、被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａと、保持部１によって保持された被処理体Ｗの裏面側に配置され、被処理体Ｗを経た処理液を貯留する貯留部２３と、を備えている。第一筐体１０および第二筐体２０の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体１０と第二筐体２０とが当接および離隔可能となっている。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】下方から斜め上方へ吹き出す水流によりシリコンウェーハを洗浄液中で浮遊かつ移動させて、移動の間に洗浄する、シリコンウェーハの洗浄方法。洗浄槽と該洗浄槽の底部に水流をシリコンウェーハの移動方向に吹き出す、複数の吹き出し口を、シリコンウェーハの移動方向に少なくとも一列に配して有し、シリコンウェーハの入口側から出口側にシリコンウェーハを浮遊移動させながら洗浄するためのシリコンウェーハ洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および／または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】トッププレートで基板の上方を覆う基板処理装置において、基板処理装置の小型化や処理能力の向上を図るとともに、基板を良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置において、基板の下方に回動自在に配置され、前記基板を保持するターンテーブルと、前記ターンテーブルを回転させる回転駆動機構と、前記基板の上方に回動自在に配置され、前記基板の上方を覆うトッププレートと、前記ターンテーブルと前記トッププレートとの間に形成された処理流体流路に処理流体を供給する処理流体供給手段と、前記処理流体流路を挟んで前記ターンテーブル及び前記トッププレートそれぞれに非接触状態で引き合うように設けた磁石とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】搬送ユニット（３５）の吸引部（３６）によりウェーハ（２０）の裏面（２２）が吸引されるときに、ウェーハの表面（２１）に貼付けられた保護フィルム（３）を洗浄する第一洗浄手段（５０）と、ウェーハを吸引していないときの搬送ユニットの吸引部を洗浄する第二洗浄手段（６０）と、第一洗浄手段を第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段（４６）とを具備するクリーニング装置（４０）が提供される。第一洗浄手段の第一洗浄部材（５５）はスポンジまたはブラシであり、第二洗浄手段の第二洗浄部材（６５）は砥石であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで不純物から二酸化炭素を分離させることが可能であって、簡単に二酸化炭素の分離速度を高めることが可能な二酸化炭素の分離方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１の分離装置２００に用いられる二酸化炭素の分離方法は、不純物が含まれる超臨界または加圧された液体状態の二酸化炭素に遠心力を与えることによって不純物から二酸化炭素を分離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送時間を十分に短縮できる基板処理装置およびその方法ならびに基板搬送装置を提供する。
【解決手段】インデクサブロックおよび処理ブロックからなる基板処理装置において、インデクサブロックと処理ブロックとの間で、基板ＷがインデクサロボットＩＲにより搬送される。インデクサロボットＩＲは上下に並ぶように設けられた複数のハンド要素２６０を備える。ハンド要素２６０間の距離は、インデクサブロックに搬入される基板Ｗが収納されたキャリアの基板収納溝間の距離と等しい。また、インデクサブロックおよび処理ブロック間に設けられる基板載置部ＰＡＳＳ２の上下に隣接する支持板５１ａ間（および支持板５２ａ間）の距離は、ハンド要素２６０間の距離の２倍である。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄装置に用いられる、高周波電流に適応した補正コイルの小型化により、スリム設計が図れる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を洗浄するための洗浄液５に超音波振動を与える超音波振動子２と、該超音波振動子２を振動させるための超音波発振器３を具備し、前記超音波発振器３と超音波振動子２で直列共振回路６を形成するために挿入する補正コイル１を有する超音波洗浄装置１０において、前記補正コイル１は、スリット入りトロイダルコアを有するものであることを特徴とする被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置１０。 （もっと読む）

【課題】動的な機構を付加することなく、基板の表面において超音波振動が伝播しない領域を低減し、基板の表面を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内槽１１の側壁１１ｂ，１１ｄに、傾斜面１４ａ，１５ａを有する反射部材１４，１５を設ける。内槽１１の側部付近に付与された超音波振動は、反射部材１４，１５の傾斜面１４ａ，１５ａにおいて反射し、支持棒２１１〜２１３の上方の領域に伝播する。このため、これらの領域にも超音波振動が伝播し、基板Ｗの表面において超音波振動が伝播しない領域が低減される。これにより、基板Ｗの表面を均一に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】ノズルからの処理液の落下による基板の欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液ノズル２１の上部に形成された現像液供給口２３から下方に延びるように現像液流路２１ａが形成されている。現像液流路２１ａの一端部から斜め上方に延びるように液貯留空間２１ｂが形成されている。液貯留空間２１ｂの上端部から各現像液吐出口２２に向かって下方に延びるように、５つの現像液流路２１ｃが形成されている。また、液貯留空間２１ｂから上方に延びるように液吸引路２４が形成されている。液吸引路２４には、吸引管２５を介して吸引装置ＳＤが接続されている。バルブＶ３を開くことにより、吸引装置ＳＤによって液貯留空間２１ｂ内の現像液が吸引される。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２の湿度が規定湿度を超えている間、つまり処理空間１６２が十分に低湿度雰囲気となっていない間においては乾燥処理は実行されない。そして、当該湿度が規定湿度以下となって低湿度雰囲気となったことが確認されると、その低湿度雰囲気で乾燥処理が実行される。したがって、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しながら基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス吐出ヘッド２００を設ける。ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。また、ガス吐出口２８３を取り囲むように設けたガス吐出口２９３からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）