【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】微粒でかつ分散性の高い錫ドープ酸化インジウム粒子を提供すること。
【解決手段】本発明の錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物が還元性有機溶媒に溶解してなる溶液に、インジウム源及び錫源を添加し反応を行い、次いでオートクレーブ内において加熱して自生圧力下に熟成を行うことで得られたものである。この錫ドープ酸化インジウム粒子は、第四級アンモニウムイオンの水酸化物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて得られたものであることが好適である。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素と酸化錫粉末を基材とし、アンチモン等を含有せずに優れた導電性を有し、導電性酸化錫粉末／樹脂分を７／３の質量比で含む透明導電膜を１０^１１Ω／□以下の表面抵抗値にすることができ、かつ環境汚染等を生じる虞がなく、環境への負担が少ない酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末を提供する。
【解決手段】 実質的にアンチモンを含まない酸化錫と、酸化ケイ素とを含み、酸化錫と酸化ケイ素の合計１００質量部に対して、酸化ケイ素が４〜２０質量部であることを特徴とする、酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末である。好ましくは、ＢＥＴ値が９０ｍ^２／ｇ以上２００ｍ^２／ｇ以下である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電の発生を抑制し、生産効率の優れた比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、相対密度が９５％以上で、かつ結晶相が酸化亜鉛相、導電性複合酸化物相および低原子価化チタン相からなる酸化亜鉛系焼結体であり、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉、および／またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形し、次いで還元雰囲気または不活性雰囲気中６００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】微粒子一酸化チタン（ＩＩ）のみを選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造する方法を提供すること。
【解決手段】二酸化チタン（ＩＶ）と金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中６５０〜８００℃で焼成する工程を含むことを特徴とする微粒子一酸化チタン（ＩＩ）の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を越え０．１以下であり、酸化亜鉛を主成分とし、ガリウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方の酸化物と、酸化チタンとを含み、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．５％以上６％以下であり、かつ前記酸化チタンが、式ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンである酸化物混合体または酸化物焼結体からなることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】 粒子径が小さく、粒度分布がシャープなＩＴＯ粉末を提供する。このＩＴＯ粉末は、分散性がよく、導電性および熱線遮蔽性能が著しく良好である。さらに、ＩＴＯ粉末を成形し、膜にしたときの膜強度が、非常に高い。
【解決手段】 粒度分布のメジアン径が３０〜４５ｎｍであり、Ｄ_９０が６０ｎｍ以下であることを特徴とする、インジウム錫酸化物粉末である。好ましくは、比表面積が４０ｍ^２／ｇ以上であって、Ｌａｂ表色系においてＬ＝３０以下の濃青色の色調を有するインジウム錫酸化物粉末である。 （もっと読む）

【課題】可視光の波長領域のみならず、赤外光の波長領域において高透明性を示す導電膜を形成するための酸化インジウム系粒子を提供すること。
【解決手段】本発明のスズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子は、Ｓｎ／Ｉｎのモル比が０．１〜０．３で、Ｓｂ／Ｉｎのモル比が０．０３〜０．４である。この粒子は、インジウム塩及びスズ塩を含む水溶液にアルカリを添加し、次いでこの液に、アンチモン塩及び酸を含む水溶液を添加し、それによって生成した沈殿物を大気中で焼成して得られたものである。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】導電性の高いタングステン酸化物または／および複合タングステン酸化物を含んでなる導電性微粒子、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＷｙＯｚ（但し、２．２≦ｚ／ｙ≦２．９９９）で表記されるタングステン酸化物、または／及び、一般式ＭｘＷｙＯｚ（但し、Ｍ元素は、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、Ｉのうちから選択される１種類以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１．１、２．２≦ｚ／ｙ≦３．０）で表記される複合タングステン酸化物を、含んでなる導電性微粒子、並びにそれを用いた可視光透過型粒子分散導電体で構成される。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
（a）Ｃｕ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（b）Ｍ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（c）（Ｃｕ＋Ｍ）／（Ｚｎ＋Ｃｕ+Ｍ）＝０．０２〜０．１０
（但し、ＭはＡｌまたはＧａを表わす。） （もっと読む）

【課題】微細であって結晶性が高く、透明性に優れた導電被膜等を形成することができるＩＴＯ粉末と、その透明導電性組成物、および製造方法等を提供する。
【解決手段】比表面積が５５ｍ²/ｇ以上であって、乾燥粉末が山吹色の色調を有し、あるいはＸ線回折チャートの(２２２)面のピークの半値幅が０.６°以下であることを特徴とするインジウム錫酸化物粉末、およびその透明導電性組成物、およびインジウムと錫の共沈水酸化物を焼成してインジウム錫酸化物粉末を製造する方法において、２価の錫化合物を用い、ｐＨ４.０〜９.３、液温５℃以上で、乾燥粉末が山吹色から柿色の色調を有するインジウム錫水酸化物を共沈させ、該水酸化物を焼成することを特徴とするインジウム錫酸化物粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）

【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。
【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が２．６〜４７．２ａｔ％であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が２．７〜１４．５ａｔ％であることを特徴とする導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】ガリウムがドーピングされた酸化亜鉛系伝導体の固溶限界を増加させ、これを通じて、電子濃度・移動度および電気伝導度を向上させるところにある。
【解決手段】ＺｎＯに、ＧａとともにＭｎをコドーピングしてストレスを緩和させることにより、ＺｎＯ内でのガリウムの固溶限界を増加させ、これを通じて、ＧＺＯの電子濃度、移動度および電気伝導度を向上させ、耐湿性などの安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上させることができる。好ましくは、前記Ｇａは０．０１〜１０ａｔ％、前記Ｍｎは０．０１〜５ａｔ％の濃度でドーピングされる。より好ましくは、前記Ｇａは２〜８ａｔ％、前記Ｍｎは０．１〜２ａｔ％の濃度でドーピングされる。さらにより好ましくは、前記Ｇａは４〜６ａｔ％、前記Ｍｎは０．２〜１．５ａｔ％の濃度でドーピングされる。前記酸化亜鉛系伝導体は、太陽電池の電極、ＬＣＤのようなディスプレイ装置の電極などに使用される透明伝導体とすることができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノサイズ化されたドープ酸化亜鉛粒子の処理の方法に関する。本発明はまた、本発明の処理方法で処理されるために適したナノサイズ化されたドープ酸化亜鉛粒子の製造方法に関する。本発明はさらに、本発明の製造方法により処理され及び/又は得られるナノサイズ化されたドープ酸化亜鉛粒子に関する。本発明はさらに、前記ナノサイズ化されたドープ酸化亜鉛粒子を含むトナーに関する。
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【課題】高い効率および素子寿命の長い有機デバイスに用いられる無機材料を提供する、特に、該有機デバイスに用いる電極材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるリン酸化合物で表される化合物で修飾されたことを特徴とする無機材料。
一般式（１）
Ｔ−Ｌ−Ｒ
〔式中、Ｔは窒素原子を２つ以上含有する電荷輸送部位を表す。Ｌは２価の連結基または単結合を表す。Ｒは−ＰＯ（ＯＨ）_２又は−ＳｉＸ_１Ｘ_２Ｘ_３を表す。Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_３は脱離基を表す。一分子中の−ＰＯ（ＯＨ）_２又は−ＳｉＸ_１Ｘ_２Ｘ_３の個数は１個である。〕 （もっと読む）

【課題】膜抵抗のバラツキが小さく、膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体を提供する。
【解決手段】Ｂの含有割合がＢ_２Ｏ_３換算で０．０１〜３．０ｍｏｌ％であるＺｎＯ焼結体。焼結体を構成するＺｎＯ粒子の平均結晶粒径が２〜１０μｍであって、Ｂ源がＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３である。前記ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）