【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高温負荷試験の寿命特性の優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃を主成分とし、前記（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃１００モル部に対して、ａモル部のＡｌＯ_3/2と、ｂモル部のＶＯ_5/2と、ｃモル部のＭｇＯと、ｄモル部のＲｅＯ_3/2を含む誘電体セラミックであって、前記ＲｅはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、前記ｘ、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、それぞれ、０．０５０≦ｘ≦０．１５０、ａ≧０．１５、０．０５≦ｂ≦０．５０、ｃ≦０．５０、及びｄ≧１．００の各条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な信頼性を得ることができるようにし、中高圧用途に適した積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】一般式｛１００（ＢａＴｉＯ_３＋ａＢａＺｒＯ_３）＋ｂＲＯ_3/2＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ_ｘ＋ｅＳｉＯ_２｝（Ｒは特定の希土類元素、０≦ａ≦０．２、８．０≦ｂ≦１２．０、１.０≦ｃ≦１０．０、０．１≦ｄ≦３．０、１.０≦ｅ≦１０．０）で表わされる組成物を含有し、粒径が０．７μｍ以上の第１の粒子と０．６μｍ以下の第２の粒子を含み、第１の粒子の平均粒径Ａave、第２の粒子の平均粒径Ｂaveが、０．８μｍ≦Ａave≦２．０μｍ、０．１μｍ≦Ｂave≦０．５μｍ、Ａave／Ｂave≧３．０を満足し、第１の粒子が占有する面積比率ＳＡ、第２の粒子が占有する面積比率ＳＢが、０．３≦ＳＡ≦０．９、０．１≦ＳＢ≦０．７、０．８≦ＳＡ＋ＳＢ≦１．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】 Ｑ値が高く、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスおよびこれを用いた共振器を提供する。
【解決手段】 組成式をαＬｎ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＢａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４、Ｌｎ＝Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍのいずれか１種以上）と表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.235≦α≦0.303，0.118≦β≦0.152，0.198≦γ≦0.265，0.349≦δ≦0.382、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足してなる誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、Ｑ値が10000以上であり、共振周波数の温度係数の値が−20〜30ｐｐｍ／℃の
範囲内であり、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ないものである。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分として、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で１．０〜３．０モル、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１つ）をＲ_２Ｏ_３換算で２．０〜５．０モル、Ｍｎの酸化物をＭｎＯ換算で０．０５〜１．０モル、Ｓｉを含む酸化物をＳｉＯ_２換算で２．０〜１２．０モル、含有し、Ｍｇの酸化物の含有量（α）およびＲの酸化物の含有量（β）が、０．４５≦α／β＜１．００である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＳｍ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.162＜α＜0.386，0.049＜β＜0.113，0.206＜γ＜0.357，0.340＜δ＜0.417、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが38前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、Ｒ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、および、Ｍ（Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏ，ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）を含み、ＲおよびＭは、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、ＲおよびＭの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分Ｃ２と、極大となる部分Ｃ３とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた高温負荷寿命を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 複数の誘電体層５とニッケルを導体材料とする複数の内部電極層７とが交互に積層されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の前記内部電極層７が露出した端面に設けられた外部電極３とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９と、該主結晶粒子９間に存在する粒界相１１とを有する焼結体からなり、前記誘電体層５と前記内部電極層７との間に、マグネシアが固溶した酸化ニッケルの結晶相１２を有する。 （もっと読む）

【課題】５００以上の誘電率εを得ながら、１２０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である）を主成分とし、前記（x，y，z）が、点Ａ（0.70，0.00，0.30）、点Ｂ（0.69，0.02，0.29）、点Ｃ（0.55，0.10，0.35）、点Ｄ（0.35，0.15，0.50）、点Ｅ（0.50，0.00，0.50）で構成される五角形ＡＢＣＤＥに囲まれる領域内にある（点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、および線分ＡＥ以外の線分を含む）。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含有し、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対して、ＲＡ酸化物（ＲＡは、Ｄｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）をＲＡ_２Ｏ_３換算で０．９〜２．０モル、ＲＢ酸化物（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）をＲＢ_２Ｏ_３換算で０．３〜２．０モル、Ｙｂ酸化物をＹｂ_２Ｏ_３換算で０．７５〜２．５モル、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算で０．５〜２．０モル、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対するＲＡ酸化物の含有量（α）、ＲＢ酸化物の含有量（β）およびＹｂ酸化物の含有量（γ）が、０．６６≦α／β≦３．０、０．８≦（α＋β）／γ≦２．４である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛１００モルに対して、副成分として、Ｃｏの酸化物をＣｏ換算で０．０５原子％超３０原子％未満、Ｓｒの酸化物をＳｒ換算で０．０５原子％超２０原子％未満、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つ）を、Ｒ換算で０．０１原子％超２０原子％未満、Ｓｉの酸化物をＳｉ換算で０．０１原子％超１０原子％未満、含有し、Ａｌ、ＧａおよびＩｎを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、（１−ｘ）ＢａＺｒＯ_３＋ｘＳｒＺｒＯ_３で表される成分を、ＢａＺｒＯ_３およびＳｒＺｒＯ_３換算で５〜１５モル、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で３〜５モル、希土類元素の酸化物をＲ_２Ｏ_３換算で４〜６モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも１つの元素の酸化物を、ＭｎＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４およびＦｅ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル、Ｓｉを含む化合物をＳｉ換算で２．５〜４モル、含有し、ｘが０．４〜０．９であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を１．０〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、２．５≦α／β≦５．０、１．０≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１に備える誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）であって、ＶおよびＲの双方が主成分粒子内に均一に存在しているものを用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｙ５Ｖ特性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】多数に積層された誘電体層１１０と該誘電体層１１０間に形成された内部電極１２０を備えるセラミック積層体１３０と、該内部電極１２０に電気的に接続され、該セラミック積層体１３０の外面に配設された外部電極１４０とを含み、該誘電体層１１０は、（Ｂａ_１-ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１-ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３（ここで、０．０３≦ｘ≦０．０７ｍｏｌ％、０．０５≦ｚ≦０．１５ｍｏｌ％、１≦ｍ≦１.０５ｍｏｌ％を満たす）を含み、該内部電極１２０は、ニッケル粉末、ＢａＴｉＯ_３（ＢＴ）を含有するセラミック粉末及びキュリー温度シフタを含む導電性ペーストで形成される。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が厚み１μｍ未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-x/100Ｃａ_x/100）_ｍＴｉＯ_３（０≦ｘ≦２０）で表わされる化合物を主成分とし、ａＭｇ−ｂＳｉ−ｃＭｎ−ｄＲ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種。ａ、ｂ、ｃおよびｄ［モル部］は、前記主成分１００モル部に対して、それぞれ、０．１＜ａ≦２０．０、０．５＜ｂ≦２０．０、０．１＜ｃ≦１０．０、および１．０＜ｄ≦３０．０である。）を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は２０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム主成分とする結晶粒子９がカルシウムを０．４〜１．０原子％含有し、マグネシウム、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記マグネシウムおよび前記希土類元素のうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、Ｘ線回折情報を基に算出した該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）