【課題】
金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、効率よく、性能が高い超電導性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程(2)および工程(3)と並行してあるいは工程(2)の前に、紫外光（レーザ、ランプ光）を照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｂを含むブロッキングユニットからなる、新規なＰｂ系銅酸化物超伝導体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ｐｂ，Ｍ）ブロッキングユニット２のＭサイトの全てが、Ｂ（３＋）、ＢＯ₃ ^3-、又はその両方で占有された（Ｐｂ，Ｂ）（１２０１）構造を有しており、組成比がＰｂ_0.5 Ｂ_0.5 となるようにＰｂ原料の一部をＢ原料で置き換えて混合し、焼成することで（Ｐｂ，Ｂ）系銅酸化物高温超伝導体を作製する。（Ｐｂ，Ｂ）系銅酸化物高温超伝導体は、組成式：（Ｐｂ_0.5 Ｂ_0.5 ）（Ｓｒ_0.5 Ｌａ_0.5 ）₂ ＣｕＯ_z ，ｚ＝５＋δ（但し、δは１未満の微少量）、又は組成式：（Ｐｂ_0.5 Ｂ_0.5 ）（Ｓｒ_1-x Ｂａ_x ）₂ （Ｙ_1-y Ｃａ_y ）Ｃｕ₂ Ｏ_z ，０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，ｚ＝７＋δ（但し、δは１未満の微少量）、
で表される。 （もっと読む）

【課題】 低温で二ホウ化マグネシウムを形成することにより、微細加工を安定して行うことを可能にする二ホウ化マグネシウムの製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。そして、この二ホウ化マグネシウムを形成する際の基板温度を１００℃以下とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、１．０〜９．０の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

基板、該基板の上に横たわるバッファ層、該バッファ層の上に横たわる超伝導性層を持つ超伝導性物品が、開示されている。実施形態によれば、該物品は、該物品の全体、および／または、該物品の個々の層と関連して、低密度の特徴を持っている。該物品は、例えば、長い長さの導体、コイル状とされた長い長さの導体、このようなコイルを組み込んでいる機械の形で、実施される。
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本発明の膜は特にマイクロ波およびＲＦ用途に関して最適化された高温超伝導（ＨＴＳ）薄膜である。特に、本発明はマクロ波／ＲＦ用途に関して最適化された膜を製造するために１：２：３の化学量論からの大きなずれを有する組成に焦点を合わせる。ＲＦ／マイクロ波ＨＴＳ用途はＨＴＳ薄膜が優れたマイクロ波特性、特に低い表面抵抗、Ｒ_ｓおよび高線形表面リアクタンスＸ_ｓ、すなわち高Ｊ_ＩＭＤを有することを要する。そのようなものとして、本発明はその物理的組成、表面モルホロジー、超伝導特性、およびこれらの膜からつくられるマイクロ波回路の性能特性に関して特徴がある。
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【課題】 超伝導特性に優れたナノ微粒子含有ＭｇＢ_２系高温超伝導体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＢ_２からなるマトリックス中に、Ｍｇを除く金属、合金、金属及び／又は合金の酸化物、Ｍｇを除く金属及び／又は合金とＭｇとからなる化合物、並びにＭｇを除く金属及び／又は合金とＢとからなる化合物の群から選ばれる１種又は２種以上の粒子径５〜２５ｎｍのナノ微粒子が含有され、１５〜２５Ｋの自己磁場下における臨界電流密度が３×１０^５〜５×１０^５Ａ／ｃｍ^２であり、超伝導開始温度が４０Ｋ以上である。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む銅酸化物超伝導体の薄膜が、より高いＴｃを備えた状態で得られるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１の表面に酸素ラジカル及び二酸化炭素からなる反応ガス１２１が供給された（吹き付けられた）状態とし、この後、結晶基板１０１が５５０℃程度に加熱された状態とし、また、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕ），及びフラーレンＣ₆₀の各蒸着源を、所定温度にまで加熱して蒸発させ、金属原料１２２が結晶基板１０１の表面に供給された状態とすることで、結晶基板１０１の上に、Ｔｃが８５Ｋと高い超伝導転移臨界温度を示す酸化物超伝導薄膜１０２が形成された状態が得られる。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB₂膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

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薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも１つがフッ化物含有塩である、１種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の１つまたは複数の前駆体成分、または希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある１つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある１つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
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高温超伝導体フィルムが基板上のＣｅＯ_２層上に堆積された高温超伝導体（ＨＴＳ）ミニフィルタまたはコイルを製造するための方法が、ミニフィルタまたはコイルのより高い収率をもたらす。

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