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Fターム[5G321CA18]の内容

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Fターム[5G321CA18]に分類される特許

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【課題】反りの発生が抑制されて、酸化物超電導層を成膜する際に、膜厚ムラの発生がなく、Icのバラツキが抑制され、また、ハンドリングなどに問題が生じない薄膜超電導線材用金属基材とその製造方法、および薄膜超電導線材を提供する。
【解決手段】金属基板の両面に中間層が形成されており、幅方向における最大変形高さDの、幅Lに対する比率D/Lが、0.02以下である薄膜超電導線材用金属基材。金属基板の両面に、同時に中間層を形成して製造する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。金属基板を、互いに平行に配置された2つのターゲットの間に、ターゲットと90度回転した位置に配置して、オフアクシススパッタ法を用いて、金属基板の両面に中間層を成膜する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。薄膜超電導線材用金属基材の、片面または両面のセラミックス層の上に、酸化物超電導層が形成されている薄膜超電導線材。 (もっと読む)


【課題】構成が簡易で接続部の電気抵抗が低くコンパクト化された超電導ケーブルの端末接続構造を提供する。
【解決手段】超電導ケーブル10の超電導層2と常温側導体17との接続部を、冷媒槽33内に設けた超電導ケーブルの端末接続構造であって、超電導ケーブル10のケーブルコア9から引き出された超電導層2が、冷媒槽33内の冷媒35中に浸漬される常温側導体17の先端に近接する位置まで延長され、該常温側導体17と、超電導層2と、が冷媒35中で編組線36を介して導通接続される。このような端末接続構造は、特に、低電圧大容量の直流電送用として好適である。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法を用いて多結晶基板上に、大きい粒サイズの結晶粒からなり結晶粒界が少ない酸化物超電導薄膜を形成してIcの向上を図る技術を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない有機金属化合物を原料とし塗布熱分解法を用いて多結晶基板上に形成された、多結晶基板の結晶粒より大きい結晶粒により形成されている酸化物超電導薄膜。幅および長さが50μmよりも大きい結晶粒である酸化物超電導薄膜。多結晶基板上にフッ素を含まない有機金属化合物の溶液の塗膜を作製する工程と、塗膜を加熱して仮焼膜を形成する工程と、熱源からの加熱により仮焼膜が結晶化する直前の位置に仮焼膜に所定の温度勾配を設け、温度勾配を維持しながら、仮焼膜の一方向への移動により仮焼膜を順次加熱して、結晶方向を保持しながら、酸化物超電導薄膜の結晶粒を成長させて酸化物超電導薄膜を形成する工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】FF−MOD法を用いて、厚膜化することにより、充分に高いIcの酸化物超電導薄膜を安定して提供する。
【解決手段】MOD法を用いて、フッ素を含まない有機金属化合物溶液の塗膜の仮焼熱処理、および仮焼膜の本焼熱処理により酸化物超電導層を作製する工程と、酸化物超電導層の上に非超電導物質からなる層を形成する工程と、非超電導物質からなる層上に、MOD法を用いて酸化物超電導層を作製すると共に、酸化物超電導層作製時の加熱により、非超電導物質と酸化物超電導層とを化学反応させて、ピン止め点として機能する反応生成物が分散した分散層を作製する工程とを備えているREBCO系酸化物超電導薄膜の製造方法。MOD法を用いて作製される酸化物超電導層を複数層備え、各酸化物超電導層の間に、ピン止め点として機能する非超電導物質が分散された分散層が形成されているREBCO系酸化物超電導薄膜。 (もっと読む)


【課題】長尺な線材と同様の効果を有する超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器を提供する。
【解決手段】超電導テープ線材30の製造方法は、テープ状基板31を準備する工程(S10)と、テープ状基板31上に中間薄膜層32を形成する工程(S20)と、中間薄膜層32は一方端部32cから他方端部32dまで伸び、中間薄膜層32に一方端部32cから他方端部32dまで延在する少なくとも1つの中間層分割領域32aを形成する工程(S50)と、中間薄膜層32上に超電導層33を形成する工程(S30)とを備えている。超伝導領域層33aは、超電導層33bの臨界温度では超電導状態とならない領域であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に中間層の1層としてCr膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板10上に中間層20を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてCr膜22を形成するCr膜形成工程と、その他の層(例えばベッド層24、2軸配向層26、キャップ層28等)を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】超電導電流リードにおける超電導体が変位することによる臨界電流値の低下又は破損を防止するとともに、低温側に侵入する侵入熱量を低減することができる超電導電流リードを提供する。
【解決手段】超電導電流リード10において、一端に設けられた高温側電極端子13と、他端に設けられた低温側電極端子14と、高温側電極端子13と低温側電極端子14とを接続するように設けられ、高温側電極端子13から低温側電極端子14に向かって延在する超電導体12と、超電導体12が延在する方向と直交する方向への超電導体12の変位を規制するように設けられた変位規制部材15とを有する。 (もっと読む)


【課題】磁場印加環境下において、あらゆる磁場印加角度方向に対しても、有効に磁束をピンニングでき、高い超電導特性を確保すること。
【解決手段】酸化物超電導線材は、金属基板と、金属基板上に形成された中間層と、中間層上に形成されたREBaCuO系超電導層と、を備える。REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された1種以上の元素からなる。超電導層中には、Zrを含む酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散されており、超電導層中に含まれるBaのモル比yは、Zrのモル比をxとした場合、1.2+ax≦y≦1.8+axの範囲、及び0.5≦a≦2である構成を採る。 (もっと読む)


【課題】超電導ケーブル同士を接続する際、接続部においてサイズをできるだけ小さくできる超電導ケーブルをおよびその接続部を提供する。
【解決手段】中心側からフォーマ11と、超電導導体層12と、絶縁層13とを有する超電導ケーブル100であって、フォーマ11は、中心側に設けられ、ステンレス鋼からなる中心側フォーマ11aと、この中心側フォーマ11aの外周に設けられ、銅、アルミニウム、銅合金、およびアルミニウム合金から選ばれる1種以上の金属からなる外側フォーマ11bとを備える。中心側フォーマ11a同士が、互いの外径が等しくなるように突き合わされて固定され、外側フォーマ11b同士も互いの外径が等しくなるように突き合わされて接合されて、超電導導体層12同士が接続される。 (もっと読む)


【課題】保護層が酸化物超電導層の上表面および幅方向両側面に積層された状態で細線化する。
【解決手段】基材上に、結晶配向性が整えられた酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程と、少なくとも酸化物超電導層を線材の幅方向に分断する線材の長手方向に溝を形成する溝形成工程と、少なくとも前記酸化物超電導層の表面を覆うように保護層を形成する保護層形成工程と、前記溝内に設定された切断位置において線材長さ方向に切断し、当初幅寸法より小さな幅寸法となる細線の超電導線材を形成する切断工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及び該酸化物超電導線材を良好な生産性で製造できる酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材1は、基材3と、基材3上に設けられた中間層5と、中間層5上に設けられた酸化物超電導層6とを備えて酸化物超電導積層体2が構成され、酸化物超電導積層体2の周面側に該周面全体を覆うようにAgの第1安定化層7が被覆され、この第1安定化層7の外方に第2安定化層10が被覆され、第2安定化層10が、めっき安定化層9と、金属テープの貼り合わせにより酸化物超電導層6の上面側に形成された貼り合わせ安定化層8より構成されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超電導特性が良好な酸化物超電導導体を、低コストで製造できる酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】酸化物超電導導体の製造方法は、YAGレーザーの第3高調波(波長355nm)を、ターゲット27上でのエネルギー密度が1〜3J/cmとなるように該ターゲットの表面に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子を基材25上に堆積させて酸化物超電導層を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高温超電導ケーブルは、テープ状の基材と、該基材上に設けられた中間層と酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられた安定化層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体をその厚さ方向に複数積層して酸化物超電導集合体が構成され、該酸化物超電導集合体が絶縁物で構成された支持体の一面に沿って直線状に配置されるように取り付けられて酸化物超電導導体が構成され、該酸化物超電導導体が金属パイプの内部に冷媒の流通路をあけた状態で収容され、該金属パイプの外方に断熱層を介し絶縁被覆層が形成されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、4回対称の岩塩構造の中間層と3回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、4回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び3回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第2の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を3回対称又は4回対称に制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超電導特性が良好な酸化物超電導導体を、良好な生産性(製造速度)で製造できる酸化物超電導導体の製造方法の提供。
【解決手段】レーザ光をターゲット27の表面に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子を基材25上に堆積させて酸化物超電導層を形成することにより酸化物超電導導体を製造する方法であって、前記基材を、加熱手段34により加熱しながら前記構成粒子の堆積領域35を通過させて、前記堆積領域内の前記基材の表面上に前記構成粒子を堆積レート40〜100nm/秒で堆積させた後、前記堆積領域を通過後の前記基材の冷却速度を10〜100℃/秒とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い配向率の中間層を形成することができ、優れた超電導特性を有するテープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】テープ状の配向金属基板に、600℃以上の温度雰囲気下で、前記配向金属基板の最表層と中間層材料との格子不整合が3%以下になる所定の張力を掛けた状態で、前記配向金属基板上に、配向率80%以上の中間層を形成することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。前記テープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法を用いて、配向金属基板上に形成された中間層の上に、酸化物超電導薄膜を形成して、テープ状の酸化物超電導薄膜線材を製造することを特徴とするテープ状の酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】超電導線材の層間剥離を防止する被覆超電導線材の製造方法、超電導線材被覆の電着方法、及び、被覆超電導線材を提供する。
【解決手段】基板(11)の上に超電導層(14)を形成して超電導線材(11−15)を完成し、ポリイミド電着液(22)に浸漬した超電導線材(11−15)に通電して超電導線材(11−15)の周りにポリイミド層(16)を形成する。 (もっと読む)


【課題】良好な超電導特性の酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を工程時間を短縮して効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、良好な超電導特性の酸化物超電導導体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材10は、金属基材1上に、第1拡散防止層11と、第2拡散防止層12と、第3拡散防止層13と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に設けられてなり、第2拡散防止層12の表面粗さRaが、金属基材1の表面粗さRaよりも低く設定されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超電導特性の劣化を抑制しつつ、超電導線材をエナメル被覆可能なエナメル被覆超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】エナメル被覆超電導線材1の製造方法は、基材上11に、中間層12とキャップ層13と酸化物超電導層14と保護層15と金属安定化層16とがこの順に積層された超電導線材の外周面に、エナメル樹脂を塗布して焼付けることによりエナメル層20を形成して超電導線材をエナメル被覆する方法であって、前記エナメル樹脂の焼付け温度を200℃以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】湾曲した状態で超電導装置に用いても磁場の影響を受けにくく、安定した超電導特性を得ること。
【解決手段】極低温容器内に設置された超電導装置に対して、室温環境下に設置された電源から電力を供給する超電導電流リード100において、両端のそれぞれに一対の電極131、133が接合されたリード本体152の表裏面152a、152b上に、複数の超電導線材160をそれぞれ並行に配置されている。超電導線材160は、両端部が電極131、133にそれぞれ接続されている。超電導線材160は、ReBaCu系超電材料からなる酸化物超電導層163を備え、酸化物超電導層163中には、Y,Zr、Sn、Ti、Ceのうち少なくとも一つを含む50nm以下の酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散している。 (もっと読む)


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