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Fターム[5G323BB04]の内容

電線ケーブルの製造 (4,138) | 導電層の形成 (1,338) | 蒸着法 (124)

Fターム[5G323BB04]に分類される特許

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【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ5〜20nmの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が10−4Ω・cm以下であり、波長300nmと波長500nmとピーク波長のいずれかの光の透過率が70%以上である。波長700nmおよび800nmの少なくとも一方の光の透過率が60%以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が80%以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる1種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる1種以上の含有量が10体積%以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 イオンプレーティング法による、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/(Zn+Ti)が0.02を超え0.1以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でMo/(Zn+Mo)=0.02以上0.1以下となるよう含有されている。 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび/またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび/またはタンタルが原子数比でX/(Zn+X)=0.02以上0.1以下(式中、Xはニオブおよび/またはタンタル)となるよう含有されている。 (もっと読む)


【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.1〜500μmの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は3〜50%の範囲の気孔率を有することが好ましく、1〜500μmの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が99.0%以上あって平均粒径が0.1〜10μmであるZnO粉末とバインダと有機溶媒とを混合してZnO粉末の濃度が45〜75重量%のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が50〜300μmの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してZnO多孔質焼結体を得る工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後及び屈曲後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた太陽電池及びエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フレキシブル基材11の少なくとも片面に、(A)ポリオルガノシロキサン系化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層12と、(B)透明導電層13とが順次形成された透明導電性フィルム10とする。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛を有する透明導電膜を含み、シート抵抗が低く、かつ、湿熱条件後においてもシート抵抗の変動が少なく、屈曲性に優れた酸化亜鉛系導電性積層体及びその製造方法並びに酸化亜鉛系導電性積層体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系導電性積層体1は、基材11の少なくとも片面に、アンダーコート層12と、透明導電膜13とが形成された酸化亜鉛系導電性積層体であって、透明導電膜は、酸化亜鉛系導電材料からなる透明導電層を複数層形成してなり、かつ透明導電膜のキャリア密度が2.0×1020〜9.8×1020cm−3であり、酸化亜鉛系導電性積層体は、直径15mm丸棒に対して透明導電膜を内側にして屈曲させ、屈曲前後でのシート抵抗値変化率が50以下である。 (もっと読む)


【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】フレキシブル基材11の少なくとも片面に、(A)珪素、炭素及び酸素を含む元素からなる化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層12と、(B)透明導電層13とが順次形成された透明導電性フィルムとする。 (もっと読む)


【課題】透過率が高く、かつ表面抵抗値が低い透明導電性積層体および該透明導電性積層体を簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】透明基材10と、透明基材10の上に形成された透明導電性材料からなる透明導電層20とを有する透明導電性積層体1であって、透明基材10が、隣り合う突起12中心間の平均間隔が400nm以下である複数の突起12を表面に有し、透明導電層20が、突起12の上に選択的にかつ透明導電性積層体1の面方向に互いに離間して形成された複数の柱状部22と、柱状部22および柱状部22の間の空隙26を覆うように連続して形成された層状部24とを有する。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲットおよび酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、該透明導電膜形成材料は、チタンが原子数比でTi/(Zn+Ti)=0.02超0.1以下、窒素とチタンが原子数比でN/Ti=0.1〜0.6となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体であり、前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、低原子価酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される。 (もっと読む)


【課題】 基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が2〜25J/cmであるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。 (もっと読む)


【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
(a)Cu/(Zn+Cu+M)=0.01〜0.10
(b)M/(Zn+Cu+M)=0.01〜0.10
(c)(Cu+M)/(Zn+Cu+M)=0.02〜0.10
(但し、MはAlまたはGaを表わす。) (もっと読む)


【課題】光透過率が高く、かつ電気抵抗が低い低抵抗透明導電性フィルム、この低抵抗透明導電性フィルムを安価にて製造することができ、しかも生産性に優れた低抵抗透明導電性フィルムの製造方法、及び、この低抵抗透明導電性フィルムを備えた太陽電池並びに電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の低抵抗透明導電性フィルム1は、柔軟性を有する透明基材11と、この透明基材11上に設けられ金属細線を網目状に形成してなる金属細線層14と、この金属細線層14の開口部17及びその周縁部を覆うように設けられた透明樹脂層15と、これら金属細線層14及び透明樹脂層15を覆うように設けられた透明導電膜16とを備え、金属細線層14は、断面方向の厚みが外側に向かって減少する形状を有する。 (もっと読む)


【課題】内部への水分の浸入を防止して、白化を防止することができる透明導電膜層シー
トを提供する。
【解決手段】 透明導電膜層シート5は、波長550nmにおける面内方向リタデーショ
ン値Reが20nm以下で水蒸気透過性が高い材質からなる基体シート7と、基体シート
7の一方面の上に形成された透明導電膜層3と、透明導電膜層3を覆うように形成された
粘着層4と、基体シート7の他方面に積層された水蒸気バリア性のある材質からなる保護
シート1とを備えている。保護シート1を立体形状に加工して、粘着層4の側面を被覆す
るように構成してもよい。 (もっと読む)


【課題】内部への水分の浸入を防止して、白化を防止することができる透明導電膜層シー
トを提供する。
【解決手段】透明導電膜層シート5は、水蒸気バリア性のある材質からなる基体シート1
と、基体シート1の一方面の上に形成された透明導電膜層3と、透明導電膜層3を覆うよ
うに形成された粘着層4と、粘着層4の上に積層された、波長550nmにおける面内方
向リタデーション値Reが20nm以下の光学等方性シート7とを備えている。透明導電
膜層シート5は、光学等方性シート7の上に形成された透明導電膜層3と、その透明導電
膜層3を覆うように形成された粘着層4とを更に備えていてもよい。基体シート1が、粘
着層4の側面まで被覆されるよう立体形状に形成されていてもよい。 (もっと読む)


本発明は、真空チャンバー(1)内で、基板(2)上で、ホスト材料及びドープ材料を含んだ透明で伝導性の層を堆積する方法であって、ホスト材料は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物からなり、かつドープ材料は、第3主族又は第4主族からの少なくとも1つの金属又は半金属の元素の酸化物を含む前記方法において、PVD法を使用したホスト材料の堆積の間に、酸素及び前駆物質が真空チャンバー(1)内に供給され、前駆物質は、第3主族又は第4主族からの少なくとも1つの元素を含み、かつドープ材料の濃度が、勾配を有する層厚推移において形成される。本発明はさらに金属合金酸化物でできた透明で伝導性の層に関する。
(もっと読む)


【課題】導電フィルムにおけるクラックの発生が抑制された合わせガラスを提供すること。
【解決手段】第1のガラス基板、第1の接着層、導電フィルム、第2の接着層、および第2のガラス基板がこの順に積層され、前記導電フィルムが、樹脂フィルム上に酸化物層と金属層とが交互に(2n+1)層(但し、nは1以上4以下の整数)積層された合わせガラスであって、前記酸化物層は、前記酸化物層を主として構成する酸化物に対する前記酸化物層に含有されるH原子のモル比に、前記酸化物層における全酸化物に対する前記酸化物層を主として構成する酸化物のモル比を乗じて算出されるH量が0.03以下であるもの。 (もっと読む)


【課題】透明性に優れ、且つ、低い表面抵抗率を有すると共に、表面平滑性を有していて安価に製造することが可能な、透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】(1)透明樹脂基材2の片面上に、溶剤溶解性の印刷材料を印刷したパターンを、細線メッシュパターン用のネガ型の遮蔽マスク8として形成し、(2)遮蔽マスク8が透明樹脂基材2を覆っている状態で、透明樹脂基材2の上に、スパッタまたは真空蒸着により、金属薄膜9を形成し、(3)遮蔽マスク8を溶剤に溶解させて除去し、金属薄膜5からなる細線メッシュパターンを表出させ、(4)細線メッシュパターンの金属薄膜5が成す凸状部と、金属薄膜5が形成されていない凹状の開口部7の一部または全面に、透明性を有する導電樹脂層6を、前記凸状部が埋没するように被覆し、導電樹脂層6による被覆表面の表面高低差が50〜400nmとする。 (もっと読む)


【課題】グラフェンの製造方法、その製造方法によって製造されたグラフェン、そのグラフェンからなる導電性薄膜、透明電極、放熱素子または発熱素子を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法は、(a)ベース部材110と、前記ベース部材上に形成された親水性酸化層120と、前記酸化層上に形成された疎水性金属触媒層130と、前記金属触媒層上に形成されたグラフェン層140とを含むグラフェン部材を準備する段階と、(b)前記グラフェン部材に水を提供する段階と、(c)前記酸化層から前記金属触媒層を分離する段階と、(d)エッチング法を用いて前記金属触媒層を除去する段階とを含む。前記グラフェン上には転写部材150が配置される。 (もっと読む)


【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型TiOの酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するF:TiOであり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、TiとFとからなる化合物にパルスレーザを照射し、300℃以上650℃以下加熱された基板11上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。 (もっと読む)


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