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Fターム[5G323BB04]の内容

電線ケーブルの製造 (4,138) | 導電層の形成 (1,338) | 蒸着法 (124)

Fターム[5G323BB04]に分類される特許

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【課題】太陽電池の電極等に適用されその導電性が改善された酸化亜鉛系透明導電膜積層体を提供する。
【解決手段】スパッタリング法等により基板上に成膜され、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体であって、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ga/(Zn+Ga)の原子数比でガリウム含有量が5.6〜10.0%に設定されかつ膜厚が20〜40nmに設定された酸化亜鉛系薄膜層(1)により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層(1)上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層(1)よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層(2)により構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルやPDP,LCDやエレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ材料等に用いられる透明電極の材料において、高い耐環境変動と高い光線透過率を同時に達成可能な透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】屈折率が1.35〜1.70を示す、低屈折率のカーボン層3を透明金属酸化物層4の中間層に使用し、さらにその上に極薄膜厚の透明金属酸化物層を形成することで、「導電性」「透明性」という課題を解決することが可能な透明導電膜を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】ペン書き耐久性を高めるとともに、ペンでの書き心地を改善する透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法、タッチパネル及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】透明基材と、透明基材上の一方の面に形成されたクッション層と、クッション層上に形成されたハードコート層と、透明基材上のもう一方の面に形成された第1の透明導電膜と、を備え、クッション層の弾性係数は10N/m以上10N/m以下であり、クッション層の層厚は1μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性フィルム。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性を有する導電層を高精細なパターンにて形成し、高性能な抵抗膜式のタッチパネルを得る。
【解決手段】酸化物セラミックス、非酸化物セラミックス及び金属からなる群から選ばれる少なくとも1種を主成分として含有する透明多孔質層を備えた透明性樹脂基材の該透明多孔質層面に、体積平均粒子径が1nm〜2μmである導電性粒子の表面に界面活性剤が吸着された粉末を含む導電性ペーストを用いて幾何学パターンを形成する印刷工程と、
該透明性樹脂基材上に形成された導電性ペーストを加熱処理して該透明多孔質層面に幾何学パターンの導電部を形成する工程により、透明導電性フィルムを製造する。 (もっと読む)


【課題】簡便な手法で製造可能であり、かつ、短波長領域の光も透過することが可能な透明電極およびその製造方法を提供する。また、作製された透明電極の光透過率が酸化によって低下することがない透明電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法により複数種の金属を気化させて基板表面へ蒸着して、上記基板表面に透明電極として上記複数種の金属を含む合金薄膜を形成し、上記複数種の金属には少なくともアルミニウムおよび銀が主成分として含まれるようにしたものであり、上記合金薄膜全体に対する上記アルミニウムの割合が、組成比において上記合金薄膜全体の2割乃至8割であるようにした。 (もっと読む)


【課題】1×10-4Ωcm未満の抵抗率を有する低抵抗ITO薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、CVD法、有機金属CVD法、有機金属CVD−原子層積層法、及びMBE(分子線エピタキシー)法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ITO薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、In23の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ITO薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、ZnO純度が98%以上のZnO焼結体からなり、該焼結体がY、La、Sc、Ce、Pr、Nd、PmおよびSmの群から選ばれた1種または2種以上の添加元素を含有し、かつ該焼結体が3〜50%の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とし、好ましく、比抵抗9.5×10-4以下、および可視光透過率87%以上のZnO膜を形成するZnO蒸着材およびそのZnO膜。 (もっと読む)


本発明は、改良された光学的及び電気的特性の透明導電性酸化(TCO)薄膜を提供し、更にTCO薄膜の製造方法を提供する。特には、本発明はTCOの光学的特性の改善及び電気的特性の生産後の改良を可能にするTCO薄膜を製造するオンライン方法を提供する。
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【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、ZnOを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素のYと第二添加元素とを含み、該第二添加元素がB、Al、GaおよびScの群から選ばれた1種または2種以上の元素であり、Yの含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内であり、第二添加元素の含有量が0.1〜10質量%の範囲内であり、Yの含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が3〜50%の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とし、好ましくは、第一添加元素のYと第二添加元素の合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、CeおよびGaを含み、Ce含有量がGa含有量より多く、Ce含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内およびGa含有量が0.1〜10質量%の範囲内であるZnO多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が3〜50%の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、CeとGaの合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、ZnOを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素と第二添加元素とを含み、第一添加元素がPr、Nd、PmおよびSmの群から選ばれた1種または2種以上の元素であり、第二添加元素がB、Al、GaおよびScの群から選ばれた1種または2種以上の元素であり、第一添加元素の含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内であり、第二添加元素の含有量が0.1〜10質量%の範囲内であり、第一添加元素の含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が3〜50%の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とするZnO蒸着材、およびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、ZnOを主成分とする焼結体からなり、該焼結体が第一添加元素のLaと第二添加元素とを含み、該第二添加元素がB、Al、GaおよびScの群から選ばれた1種または2種以上の元素であり、Laの含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内であり、第二添加元素の含有量が0.1〜10質量%の範囲内であり、Laの含有量が第二添加元素の含有量より多く、かつ該焼結体が3〜50%の気孔率を有する多孔質焼結体であることを特徴とし、好ましくは、第一添加元素のLaと第二添加元素の合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】
成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なZnO膜を形成するZnO蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】
透明導電膜の成膜に用いられるZnO蒸着材であって、CeおよびAlを含み、Ce含有量がAl含有量より多く、Ce含有量が0.1〜14.9質量%の範囲内およびAl含有量が0.1〜10質量%の範囲内であるZnO多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が3〜50%の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、CeとAlの合計含有量が0.2〜15質量%、平均気孔径0.1〜500μm、平均結晶粒径1〜500μmのZnO蒸着材であるZnO多孔質焼結体とその製造方法。 (もっと読む)


導電性ナノ構造ベースの透明導電体のコントラスト比を向上させる方法について説明する。コントラスト比は、導電性ナノ構造をめっきし、その後、下層の導電性ナノ構造をエッチングまたは酸化するステップによって、ナノ構造の光散乱および反射率の低減によって大幅に改善する。一実施形態は、基板と、基板上の導電性膜であって、複数の金属ナノ構造を備える導電性膜とを備える透明導電体であって、1000を超えるコントラスト比を有する透明導電体について説明する。
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【課題】
凹凸部を有する透明電極は、デバイス形成時に電流の短絡の原因となる可能性があるが、平坦化処理には非常に高い精度の技術が必要であった。
【解決手段】
「透明基板上に少なくとも2層以上の酸化亜鉛を主成分とする透明導電層を有する透明導電膜であって、透明基板に最も近い第1の透明導電層が透明基板と反対側に凹凸構造を有するものであり、第1の透明導電層上に上記凹凸構造を埋めるようにして形成された第2の透明導電層を有する透明導電膜」を提供する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、従来の真空蒸着設備を用い成膜することの出来る、導電性、透明性、及び外観に優れたアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜を提供する。
【解決手段】
不純物ドーパントとして少なくともフッ化アルミニウムを0.01〜10重量%の割合で含む酸化亜鉛焼結体をターゲット材料とした真空蒸着法により、基板上に成膜されることを特徴とするアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜。 (もっと読む)


【課題】
従来多数の太陽電池セルをモジュール化して実用化していた太陽光発電に変えて、多数のセルを用意することなく一気にモジュール化した太陽電池を実現することを可能とする光電極モジュールとして利用可能な透明導電性フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも、高分子樹脂よりなる透明基材フィルムと、前記透明基材フィルムの表面に第1導電性物質をグリッド状に積層してなる第1導電層と、前記透明基材フィルム表面の前記第1導電層及び前記第1導電層が積層されていない部分の表面に第2導電性物質を積層してなる第2導電層と、をこの順に積層してなる透明導電性フィルムであって、前記第2導電性物質の電気抵抗値よりも前記第1導電性物質の電気抵抗値の方が低く、前記透明導電性フィルムの全光線透過率が30%以上であり、かつ抵抗値が30Ω/□以下である、透明導電性フィルムである、透明導電性フィルムとした。 (もっと読む)


【課題】ITO膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるZnO蒸着材において、ZnOを主成分としたペレットからなり、ペレットがPr、Nd、Pm及びSmからなる群より選ばれた1種又は2種以上の第1元素と、B、Al、Ga及びScからなる群より選ばれた1種又は2種以上の第2元素の双方を含み、第1元素が第2元素よりも含有割合が高く、第1元素の含有割合が0.1〜14.9質量%、第2元素の含有割合が0.1〜10質量%の範囲内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ITO膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるZnO蒸着材において、ZnOを主成分としたペレットからなり、ペレットがCeとBの双方の元素を含み、CeがBよりも含有割合が高く、Ceの含有割合が0.1〜14.9質量%、Bの含有割合が0.1〜10質量%の範囲内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単で、しかも低コストで効率よく透明導電性フィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】i)透明な支持体を供給し、ii)該透明支持体上に、10μmを越えない厚さを有する導電性フィルムを沈着させ、次いで、iii)各々のラインが10nm〜2μmの幅を有すると共に隣接ライン間の距離が10nm〜2μmであるライン群によって形成されるパターンであって所望の光透過率に対応する充実スペース/空スペース比が得られるように予め決定される該パターンが、該透明支持体上の該導電性フィルムの残存部分によって規定されるように、該透明支持体の表面の一部から該導電性フィルムの全厚さ部分を除去する。 (もっと読む)


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