【課題】負荷に流れる電流に応じて、いわゆるデッドタイムにおいて逆回復を完了するために適切な値へと逆方向電圧を設定する。
【解決手段】第１及び第２の配線８１，８２と、ＩＧＢＴ３１及びＭＯＳＦＥＴ４１と、直流電圧源５２と、スイッチング素子２２とが備えられる。ＭＯＳＦＥＴ４１には寄生ダイオード４１ａが寄生する。直流電圧源５２は可変の直流電圧を出力する。スイッチング素子２２は直流電圧源５２と寄生ダイオード４１ａとの間に介在して設けられる。そしてＩＧＢＴ３１及びＭＯＳＦＥＴ４１のいずれもが非導通であるときにのみ、寄生ダイオード４１ａに逆方向電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】別途に電源を用意する必要なく、寄生ダイオードに対して低損失で逆回復させるための逆方向電圧を得る。
【解決手段】直流電源２１は直流電圧Ｅｄよりも小さい直流電圧Ｅｓを出力する。その負極は配線８１に、正極はスイッチング素子２２の一端に接続される。スイッチング素子２２の他端はダイオード２３のアノードに接続され、ダイオード２３のカソードはＭＯＳＦＥＴのドレインに（従って寄生ダイオード４１ａのカソードに）接続される。寄生ダイオード４１ａからコイル９１へと順方向電流が流れている状態から、ＩＧＢＴ３１を経由して直流電圧Ｅｄが逆方向に印加される前に、スイッチング素子２２が導通する。これによりダイオード２３を介して直流電圧Ｅｓを用いて寄生ダイオード４１ａを逆回復させる。 （もっと読む）

【課題】ソフトスイッチング制御で用いる補助コンデンサの充放電を負荷状態にかかわらず確実とし、スイッチング損失の低減や電圧サージの抑制を図ることができる電源装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路１３のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２間の接続点Ｎ２と、補助スイッチング回路１４の補助コンデンサＣ１，Ｃ２間の接続点Ｎ１との間に共振回路１５が設けられる。共振回路１５は、補助コンデンサＣ１，Ｃ２の放電開始となるスイッチング素子Ｓ３，Ｓ４の各オフに先立って共振動作し、補助コンデンサＣ１，Ｃ２の放電電流に基づくスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２の出力電流が増大するような共振電流を生じさせる。これにより、補助コンデンサＣ１，Ｃ２の放電速度が速くなり、該補助コンデンサＣ１，Ｃ２の放電時間が短縮化される。 （もっと読む）

【課題】高さの異なるチップと金属板電極とに同時に接続でき、ガードリングとの絶縁距離を保て、配線インダクタンスを小さくできるバスバー基板を備えた電力用半導体モジュールを得ることである。
【解決手段】絶縁板の一方の面に金属電極板が接合された主基板と、主基板の金属電極板に接合された半導体チップと、主基板と対向する層間絶縁板の面に形成した下層配線回路と下層配線回路の反対側の層間絶縁板の面に形成した上層配線回路とが設けられたバスバー基板とを備えた電力用半導体モジュールであって、下層配線回路に設けられ、下層配線回路と半導体チップと導通させ、下層配線回路自身で形成された突起と、上層配線回路に設けられ、上層配線回路と半導体チップとを導通させ、上層配線回路自身で形成された突起とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】高放熱・低インダクタンスであり、さらに基板上の薄い配線層の信頼性を維持することが可能な半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
上アームに配置された上アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｕと、下アームに配置された下アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｌとを有する。上アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｕのソース端子と、下アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｌのドレイン端子とは、配線層からなる第１配線１４により接続される。また、第１配線と並列接続されるとともに、半導体スイッチング素子のスイッチング時に、第１配線に比べて低周波の電流成分が流れやすい第２配線１０を備える。 （もっと読む）

【課題】直列接続回路において、磁気結合手段によってスイッチングタイミングが調整されているにもかかわらず、ターンオン時に於て電圧アンバランスが発生する恐れがある。
【解決手段】直列接続した各半導体スイッチング素子のゲート信号タイミングのズレは磁気結合手段で抑制し、テイル電流特性などの素子特性の違いに起因する電圧アンバランスはターンオン時の素子電圧に基づいて入力容量の充電時間を調整する手段を付加することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】低速域から高速域に亘って高効率で安定したモータ制御を行うことができるモータ制御装置及びモータ制御方法を提供する。
【解決手段】モータ１の駆動をスイッチング素子２のオン、オフに基づいて制御するインバータを用いる。モータ１の回転域を検出し、検出されたモータの回転域に基づいて、スイッチング周波数制御手段６によりスイッチング素子２のスイッチング周波数を可変させる。スイッチング周波数制御手段６は、低速域においてはスイッチング周波数を低減させ、高速域においてはスイッチング周波数を増加させる。 （もっと読む）

【課題】被加熱物の状態、種類等に応じて最適な回路構成で加熱を行うとともに、負荷電流の周波数が高い場合でもスイッチングロスを低減することのできる誘導加熱装置を得る。
【解決手段】２つのスイッチング素子を直列に接続した直列回路（アーム）を２回路と、アームの中点より出力された出力端に接続された加熱コイル８と、加熱コイル８に接続されたコンデンサ９と、スイッチング素子の動作を制御する制御部と、２つのアームの接続を切り替えるスイッチと、を備え、スイッチは、２つのアームを１つのフルブリッジ回路として加熱コイル８に接続した状態と、２つのアームをそれぞれ独立したハーフブリッジ回路として加熱コイル８に接続した状態と、を切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】入力電流波形の歪みを抑制しつつも簡単にキャリアを生成できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】キャリアＣ１が値０〜ｄｒｔをとる場合にスイッチ素子Ｓｒｐを導通させ、キャリアＣ１が値ｄｒｔ〜１をとる場合にスイッチ素子Ｓｓｐを導通させ、キャリアＣ１の一周期Ｔを、指令値以上の期間Ｔｓと、指令値以下の期間Ｔｒに区分する。期間Ｔｓ，Ｔｒのそれぞれはｄｓｔ・Ｔ、ｄｒｔ・Ｔで計算される。インバータ２のキャリアＣ２にコンバータ１のキャリアＣ１と同じものを採用し、値ｄｒｔを基準値とし、当該基準値よりも大きい側と小さい側のそれぞれにおいてインバータ２の指令値を設ける。キャリアＣ２において値ｄｒｔ以上の値をとる期間Ｔｓをｄ０，ｄ４，ｄ６の比で、また値ｄｒｔ以下の値をとる期間Ｔｓをｄ０，ｄ４，ｄ６の比で、それぞれ分割する。 （もっと読む）

【課題】インバータ装置から発生する騒音を抑制し、かつ、インバータ装置の電力変換効率も低下させないＰＷＭ信号生成回路を提供する。
【解決手段】インバータ装置をＰＷＭ制御するための信号を生成するＰＷＭ信号生成回路において、キャリア信号生成手段と、指令値信号生成手段と、キャリア信号と指令値信号とからパルス信号を生成するパルス信号生成手段とを備えた。キャリア信号生成手段は、直流電力を生成する直流電源の状態量に応じた周波数のキャリア信号を生成するようにし、当該状態量が所定の値以上の場合は生成するキャリア信号の周波数を人間の可聴領域の上限近傍の所定周波数以上とし、当該状態量が所定の値より小さい場合は生成するキャリア信号の周波数を所定周波数より低いものとするようにした。 （もっと読む）

【課題】セット部側と送受信データ量を減らし、同じ性能のフォトカプラを使用した場合でも高通信スピードの放電ランプ点灯装置を実現する。
【解決手段】電源１１の直流電圧をコンバータ１２にて降圧し、インバータ１５で交流電圧に変換し、ランプ始動回路１６で高圧電圧を発生し放電ランプ１７を点灯させる。制御回路２０はスイッチング信号ａとスイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２とＳＷ３，ＳＷ４を交互にオンオフさせる駆動信号ｄをそれぞれ生成する。スイッチング信号ａはインターフェース回路１９に供給される制御信号ＳＣＩのデューティに基づき、駆動信号ｄは点灯、消灯、調光等の情報を含んだ制御信号ＳＣＩの立ち上がりに基づくタイミングでそれぞれ生成する。制御回路２０はランプ点灯制御部１００からの温度情報ｅに基づき異なるデューティのフラグ信号ＦＧを出力する。このフラグ信号ＦＧに基づき、セット部２００側でランプ点灯制御部１００の状態が把握できる。 （もっと読む）

【課題】大電力用主電源スイッチングについて、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子の誤作動を防ぐ技術を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１００は、ゲート電極、接地に接続されるソース電極、及び電源電位Ｖ_ｄｄに接続されるドレイン電極を有するノーマリーオフ型のスイッチング素子１３０と、スイッチング素子１３０のゲート電極及びソース電極に、それぞれ接続される、ドレイン電極及びソース電極、並びに、ゲート電極を有するノーマリーオン型ＦＥＴ１３２とを含む。本回路１００を駆動するための電源供給が無い場合、ノーマリーオン型ＦＥＴ１３２はオン状態となる。その結果、スイッチング素子１３０のゲート／ソース間電位は０Ｖとなり、スイッチング素子１３０はオフ状態を保つ。本回路１００は、雑音電圧によるスイッチング素子１３０の誤作動を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明は素子のスイッチング特性を改善したゲート駆動回路に係り、素子のスイッチング特性を任意に決定でき、十分な短絡耐量と、定常損失の抑制ができるゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】パワースイッチング素子のゲートのオン動作を行うオン側回路を備える。該オン側回路は、第一オン電圧の電圧供給を行う第一オン電源、第一オン配線、および、ゲート駆動信号により制御され該第一オン配線に形成される第一オンスイッチを備える第一オン側電源回路と、
該パワースイッチング素子の定常状態に該ゲートに印加すべき電圧である第二オン電圧の電圧供給を行う第二オン電源、第二オン配線、該第二オン配線に形成される第二オンスイッチ、および、該ゲート駆動信号を遅延して該第二オンスイッチに伝達するオン側遅延回路を備える第二オン側電源回路と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】主にスイッチング素子での電圧降下による電圧誤差の補償と同時にＰＷＭ信号のスイッチングタイミングを管理でき、ソフト演算負荷の増減及びハード回路の追加部分を最小限に抑えることができるＰＷＭ変調形電力変換器の制御技術を提供する。
【解決手段】ＰＷＭ信号を発生するＰＷＭ信号発生手段を有する半導体集積回路に、ＰＷＭタイマユニット１００として、外部からＰＷＭ信号より遅延して入力するパルス信号のパルス幅をカウントするカウンタ１０３Ａと、カウンタ１０３Ａのカウンタ値をＰＷＭ信号に同期して取り込むレジスタ１０３Ｂと、外部から入力するパルス信号の源信号となるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ方式回路において互いに直列接続される２つのスイッチング素子が同時にオンしないようにそれらスイッチング素子を駆動することが可能なドライブ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに直列接続されるＭＯＳＦＥＴ３２、３３及びＭＯＳＦＥＴ３４、３５がそれぞれ直流電源３６に並列接続されるブリッジ方式回路３１のＭＯＳＦＥＴ３２〜３５をオン、オフさせるためのドライブ回路１において、出力端子２４の電位を上昇させてＭＯＳＦＥＴ３２をオンさせるｎｐｎバイポーラトランジスタ２２をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１２と、ＭＯＳＦＥＴ３２がオンしたときＭＯＳＦＥＴ３３のドレイン−ゲート間の寄生容量に蓄積される電荷を引き抜くｐｎｐバイポーラトランジスタ２３をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】供給電圧の変更に柔軟に対応可能なドライバ回路を提供する
【解決手段】ドライバ回路（２５０）は、ブリッジ回路（２５１〜２５４）と、駆動信号の電圧値を調整することによって、ブリッジ回路に含まれる各トランジスタのゲートに供給するためのゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＬ２，ＤＨ２，ＤＬ１）を生成するレベルシフタ回路（３１１，３１３）とを備える。レベルシフタ回路（３１１，３１３）は、上アームトランジスタ（２５１）に供給される上アーム用ゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＨ２）のレベルを、可変供給電圧（ＶＳＵＰ）の電圧値に応じて調整する。 （もっと読む）

【課題】線部品の作製に複雑な加工を施すことなく、電気部品の接続部の配線インダクタンスを小さくする。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ１のコレクタ端子Ｃと平滑コンデンサＣの直流正極端子Ｃ−Ｐを接続する配線導体１０１、スイッチング素子Ｑ１のエミッタ端子Ｅとスイッチング素子Ｑ２のコレクタ端子Ｃを接続する配線導体２０１、スイッチング素子Ｑ２のエミッタ端子Ｅと平滑コンデンサＣの直流負極端子Ｃ−Ｎを接続する配線導体３０１を設け、配線導体１０１、２０１上に跨るように配線導体３０１を配置する。 （もっと読む）

本発明は、ハイブリッド車両の電力分路の制御装置に関し、本装置は、ＤＣ側がＤＣ電圧保存ユニット（８）に接続され、ＡＣ側が多相電気機器（３、４）に連結されたインバーター（１、２）を備える。本発明によれば、機器（３、４）は、エンジン／エンジン、又は発電機／発電機モードで動作することができ、制御ユニット（２３）は、そのような場合、第２インバーター（２）のチョッピングスイッチ（Ｉ２）を、第１インバーター（１）の同スイッチ（Ｉ１）から時間的にずれるように制御する第１手段（２４、２５）を含み、インバーターの制御ユニット（２３）は、そのチョッピングスイッチ（Ｉ１、Ｉ２）を、パルス幅ベクトル変調によって制御する手段（２６）を含む。
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【課題】大形化を招くことなく全体の損失を低減できるスイッチング回路を得る。
【解決手段】主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａがそのボディダイオード２ａ，４ａが逆直列になるようにして直列に接続された直列回路に対して並列に外付けダイオード５が接続されている。主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａはソース端子ｓ同士、ゲート端子ｇ同士が接続され、ボディダイオード２ａと同極性に外付けダイオード５が接続されるとともに、駆動回路６ａにより主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａが同時にスイッチング制御される。主ボディダイオード２ａに環流する電流は従ボディダイオード４ａによって遮断されるので、環流電流は及びリカバリ電流はともに外付けダイオード５に流れることになるが、高性能な外付けダイオード５を自由に選択でき、全体の損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をパルス制御する場合に、パルス幅低減の要請を緩和できる半導体回路を提供する。
【解決手段】インバータ装置を駆動する半導体回路であって、インバータ装置の高圧側スイッチング素子を制御する入力信号を受けてパルス信号を発生するパルス発生回路３１と、高圧側スイッチング素子を駆動する駆動回路３８と、パルス発生回路３１で発生したパルス信号を駆動回路３８へ伝達する伝達回路２３と、を含み、この伝達回路２３においてワイドギャップ半導体を使用した。 （もっと読む）