【課題】消費電流を低減することができ、信号伝達に必要な電源電圧を低減することができ、電源電圧が揺れても正確に信号を伝達することができるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】本発明のレベルシフト回路は、インバータ回路ＩＮＶ２、レベルシフト素子ＭＯＳ１、第１の抵抗Ｒ１及びカレントミラー回路ＣＭ１を備える。インバータ回路ＩＮＶ２は、入力信号を反転して出力する。レベルシフト素子ＭＯＳ１は、入力信号を反転した信号をゲート信号として動作する。第１の抵抗Ｒ１の一端は、インバータ回路の出力に接続されている。カレントミラー回路ＣＭ１は、第１の抵抗Ｒ１を介してインバータ回路ＩＮＶ２の出力から入力した電流に対応する電流をレベルシフト素子ＭＯＳ１のソースから接地点に流す。 （もっと読む）

【課題】インバータを構成するパワースイッチング素子を構成する半導体基板上に形成される微小電極の出力電流に基づき、フリーホイールダイオードに電流が流れる還流モードを判断し、還流モードと判断される場合にパワースイッチング素子をオフとする場合、還流モードと判断できる領域が狭くなること。
【解決手段】電流センサによって検出される相電流が閾値電流ＩＨｎ以上となることで、下側アームのフリーホイールダイオードに順方向電流が流れる還流モードであると判断する。また、電流センサによって検出される相電流が閾値電流ＩＨｐ以下となることで、上側アームのフリーホイールダイオードに順方向電流が流れる還流モードであると判断する。 （もっと読む）

【課題】第１スイッチング素子２２および第１抵抗体２４を介してパワースイッチング素子Ｓｗのゲートと電源２０とを接続して且つ、第２スイッチング素子２８および第２抵抗体２６を介してゲートとエミッタとを接続する駆動装置において、ゲート電圧の設定ができないこと。
【解決手段】操作信号ｇがパワースイッチング素子Ｓｗをオン操作する指令に切り替わることで、第１スイッチング素子２２および第２スイッチング素子２８の双方のオン状態を実現する。これにより、ゲート印加電圧は、第１抵抗体２４および第２抵抗体２６によって電源２０が分圧された電圧Ｖｃとなる。その後、ミラー期間が終了することで、第２スイッチング素子２８をオフ状態に切り替え、ゲート印加電圧を電源２０の電圧Ｖｃにする。 （もっと読む）

【課題】インバータ等に適用される半導体デバイスは、寄生ダイオードにより誘導負荷からの還流電流を通流する場合、ダイオードの順方向電圧による損失が大きくなることが懸念され、また双方向デバイスを適用した場合には、２つのゲート端子を駆動する必要があり、制御の複雑化、かつ高コストになるという課題があった。
【解決手段】第一ゲート端子２、第二ゲート端子３、第一ソース端子４、第二ソース端子５を備え、第一ゲート端子２、第二ゲート端子３を各オンオフすることで４つの動作モードを有する双方向スイッチ１に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子２あるいは第二ゲート端子３の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ２つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストに電源変換回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失が小さく、安価なインバータを提供する。
【解決手段】このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。したがって、低耐圧のＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを使用するので、内蔵ダイオードＤの逆回復電流を低減でき、スイッチング損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】モータ制御の安定性を維持しつつ、エネルギ効率が向上した車両のモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】車両のモータ駆動装置は、電圧コンバータ１２と、インバータ１４を矩形波制御モードと過変調制御モードとを用いて制御し、モータＭ１の実電流値と過変調制御モードを適用した場合の電流指令値との関係が切替条件を満たすか否かに基づいて矩形波制御モードから過変調制御モードに制御モードを切替える制御装置３０とを備える。制御装置３０は、電圧コンバータ１２が昇圧動作を開始した直後には、通常時よりも、制御モードの切替が発生しやすいように切替条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】逆回復時に発生するリカバリー電流、リカバリー電流に伴うリカバリー損失を低減し、システムの高効率化に寄与するインバータ駆動装置等を得る。
【解決手段】スイッチング素子４ａ〜４ｃと、スイッチング素子４ａ〜４ｃに並列接続された還流ダイオード５ａ〜５ｃとを備える片側アーム３ａ〜３ｃを有するインバータ駆動装置２であって、スイッチング素子４ａ〜４ｃと二次側巻線とを並列接続する変圧器６ａ〜６ｃと、変圧器６ａ〜６ｃの一次側巻線への電流供給を制御する変圧器駆動回路１１ａ〜１１ｃとを一対のアームのうちの少なくとも一方のアームに備え、スイッチング素子４ａ〜４ｃのスイッチング動作に係る信号に基づいて、変圧器駆動回路１１ａ〜１１ｃの駆動に係る変圧器駆動信号を作成して変圧器駆動回路１１ａ〜１１ｃに出力する変圧器駆動信号作成回路１５をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で半導体スイッチの誤オンを防止することができるスイッチング素子駆動回路および該スイッチング素子駆動回路を備える電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ７をオンする際、パルス電圧源１から正の電圧をトランス２に印加し、この電圧を半導体スイッチ７のゲートに印加することで、半導体スイッチ７のゲート・ソース間の寄生容量７ａを充電する。パルス電圧源１から負の電圧をトランス２に印加すると、放電回路を構成するトランジスタ６がオンして半導体スイッチ７のゲート・ソース間の寄生容量７ａの電荷が放電され、半導体スイッチ７がターンオフする。その後、短絡回路を構成する短絡スイッチ８がオンして半導体スイッチ７のゲート・ソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるＩＧＢＴ（Ｑ１１）に、誘導性負荷Ｌ１１とユニポーラ型の還流ダイオードＤ１２が接続されている。Ｑ１１のターンオフ時に、Ｑ１１のコレクタからコンデンサＣ１１とダイオードＤ１１及び抵抗Ｒ１９を介して、ベース抵抗Ｒ１２へ電流が流れ、ベース抵抗Ｒ１２で電圧が発生し、ＰＮＰトランジスタＱ１２のベース電圧Ｖｂは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサＣ１１とベース抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１９によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１９で分圧される。これによりＱ１２のベース電圧Ｖｂの変化速度、即ちＱ１１のゲート電圧Ｖｇの変化速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】電圧又は電流ゼロ・スイッチングする三相共振型ＡＣ−ＤＣコンバータの提供。
【解決手段】「同一方向に直列接続したダイオード２つ」が３対有って、それらの各・接続点に三相交流の電源端子を１つずつ接続し、その開放カソード３つを可制御スイッチ６の一端に接続し、その開放アノード３つを可制御スイッチ７の一端に接続し、可制御スイッチ６、７の両開放端・間に共振コイル４３、５３を直列接続し、両共振コイルの接続点とその１つの電源端子の間に共振コンデンサ１４を接続し、共振コイル４３が放出する磁気エネルギーに基づく電流を取り出す為に「それと磁気結合された出力コイル４４、整流ダイオード４５及び平滑コンデンサ４６」を設け、共振コイル５３にも同様に出力コイル５４、整流ダイオード５５及び平滑コンデンサ５６を設け、両可制御スイッチを交互にオン制御して電流ゼロ・スイッチングさせるオン制御手段３５を設ける。 （もっと読む）

【課題】逆回復時に発生するリカバリー電流、リカバリー電流に伴うリカバリー損失を低減し、システムの高効率化に寄与するインバータ駆動装置等を得る。
【解決手段】スイッチング素子４ａ〜４ｃと、スイッチング素子４ａ〜４ｃに並列接続された還流ダイオード５ａ〜５ｃとを備える片側アーム４ａ〜４ｃを有するインバータ駆動装置２であって、、スイッチング素子４ａ〜４ｃと二次側巻線とを並列接続する変圧器６ａ〜６ｃと、変圧器６ａ〜６ｃの一次側巻線への電流供給を制御する変圧器駆動回路１１ａ〜１１ｃとを一対のアームのうちの一方のアームに備える。 （もっと読む）

【課題】低出力電圧領域にて素子内部温度が上昇することを抑制する。
【解決手段】零から正の最大値で変化する三角波と零から負の最大値で変化する三角波の２つの三角波を搬送波として用いて変換するユニポーラ変調と、負の最大値から正の最大値で変化する三角波とその三角波より設定値だけ負側にずらした三角波の２つの三角波を搬送波として用いて変換するダイポーラ変調とを、選択的に用いて、変調波信号を搬送波と比較することによりオン・オフ信号を得てスイッチング素子に動作指令を出力するものであって、ユニポーラ変調を選択しているときに、素子内部温度上昇に基づいた運転時間判定を行い、ダイポーラ変調に切り替える。
【効果】インバータの運転制限やコストアップをすることなくＰＷＭ変調方式を切り替え可能な直列多重型インバータを提供できる。 （もっと読む）

【課題】 電力用半導体をターンオフするために負電圧の電源を用いない単純な構成で、ゲート閾値電圧が低い電力用半導体素子でも、高速かつ確実に遮断させることを目的とする。
【解決手段】 主端子と制御基準端子と制御端子とを有しこの制御端子と制御基準端子との間に充電される電荷を制御して主端子と制御基準端子との間を流れる電流を制御するよう構成された電力用半導体を駆動する電力用半導体の駆動回路において、電源端子とグランド端子とを有する電源を備え、電源端子と制御端子の間に充電用制御回路を、制御基準端子とグランド端子の間に充電用スイッチを、電源端子と制御基準端子の間に放電用制御回路を、制御端子とグランド端子の間に放電用スイッチを、設けた。 （もっと読む）

【課題】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子のスイッチング損失を大幅に増加させることなく、その過電圧保護が可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子4に対し、逆直列接続したツェナーダイオード91,92とコンデンサ10との直列接続回路を並列に接続することにより、素子4のターンオフ時のサージのみならずダイオード5の逆回復時のサージをも抑制可能にする。これにより、小型で低損失のシステムが構築可能となる。 （もっと読む）

【課題】１個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減する。
【解決手段】スイッチング素子制御装置（１）は、第１の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）をオン制御する第１の制御回路（１１）と、スイッチング素子（ＳＷ１）が低電圧でオン制御されてから第２の信号を出力するオンタイミング制御回路（１２）と、第２の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）を引き続きオン制御する第２の制御回路（１３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子における過大なサージ電流ストレスを回避するとともに、スイッチング素子の選択の自由度を高くする。
【解決手段】ローサイド側のスイッチング素子におけるゲート−ソース間電圧をモニターし、検出したローサイド側のスイッチング素子におけるゲート−ソース間電圧により、ハイサイドのスイッチング素子にゲート信号を出力するタイミングを生成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ内で発生するオン抵抗の上昇を抑制することで、使用するＦＥＴの耐性を下げ、以ってコストを低減する
【解決手段】ＦＥＴをオン・オフするためのゲート電圧を所定タイミングで供給するゲートドライブ回路と、第一入力ラインと前記ゲートドライブ回路との間に介在して、第一入力ラインに供給されるゲートドライブ電圧の電圧値が一定の値になった場合に第一入力ラインとゲートドライブ回路とを導通させる第一のスイッチ回路と、スタート信号が前記ＦＥＴのスイッチング動作をオフにすることを示すローレベルに変化した場合に、この信号変化に応じて第一入力ラインからゲートドライブ回路へのゲートドライブ電圧の供給を遮断する第二のスイッチ回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電流でノイズ耐性に優れた高圧側パワートランジスタを駆動する回路を提供する。
【解決手段】低圧側入力信号（ＨＩＮ）に従って短い期間活性状態となるワンショットパルス（ＯＮ＿Ｂ）を生成するワンショット回路（１１）を設ける。第１および第２の電流供給部（１４，１６）により、入力信号およびワンショットパルスの発生するワンショットパルス信号に従って内部ノード（１５）に電流を供給する。第１の内部ノードを流れる電流をウイルソンカレントミラー回路（２０）で受け、電流検出部（Ｒ３）により電圧信号に変換し、ゲートドライバ（ＤＲＶ）により、スイッチングパワートランジスタの駆動信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】可及的に簡単な構成でかつ可及的にノイズに影響されずに複数のＰＷＭ半導体電力変換装置が互いに同期して動作するＰＷＭ半導体電力変換装置システムおよびＰＷＭ半導体電力変換装置を得ること。
【解決手段】マスタ変換器は、自変換器が備える時刻カウンタが所定の値に達したとき、誤り検出符号を付与した同期データを生成してスレーブ変換器に送信し、スレーブ変換器は、受信した同期データに付与されている誤り検出符号に基づいて前記受信した同期データに誤り検出を行い、前記受信した同期データに誤りが検出されなかった場合、前記同期データを受信完了した時点における自変換器が備える時刻カウンタの値と予め算出されている前記同期データの通信時間とに基づいて自変換器が備える時刻カウンタの値を補正する。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓｗのゲートに電荷を充放電することでパワースイッチング素子Ｓｗを駆動するに際し、ゲートに蓄えられる電荷量の変化速度の調節に制約が生じやすいこと。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓｗのゲートに電荷を充電するための電源２２とゲートとの間には、充電用スイッチング素子Ｓｃ１、Ｓｃ２、…の並列接続体が直列接続されている。また、パワースイッチング素子Ｓｗのゲート及びエミッタＥには、放電用スイッチング素子Ｓｄ１，Ｓｄ２…の並列接続体が直列接続されている。これら充電用スイッチング素子Ｓｃ１，Ｓｃ２…や放電用スイッチング素子Ｓｄ１，Ｓｄ２…は、半導体集積回路（ＩＣ２０）内に形成されている。これらのうちオン状態とするものは、ＥＥＰＲＯＭ２４ａ内に記憶されたスイッチングパターンによって規定される。 （もっと読む）