【課題】パワースイッチング素子Ｓｗのゲートに電荷を充放電することでパワースイッチング素子Ｓｗを駆動するに際し、ゲートに蓄えられる電荷量の変化速度の調節に制約が生じやすいこと。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓｗのゲートに電荷を充電するための電源２２とゲートとの間には、充電用スイッチング素子Ｓｃ１、Ｓｃ２、…の並列接続体が直列接続されている。また、パワースイッチング素子Ｓｗのゲート及びエミッタＥには、放電用スイッチング素子Ｓｄ１，Ｓｄ２…の並列接続体が直列接続されている。これら充電用スイッチング素子Ｓｃ１，Ｓｃ２…や放電用スイッチング素子Ｓｄ１，Ｓｄ２…は、半導体集積回路（ＩＣ２０）内に形成されている。これらのうちオン状態とするものは、ＥＥＰＲＯＭ２４ａ内に記憶されたスイッチングパターンによって規定される。 （もっと読む）

【課題】少なくともＶ／ｆ制御方式とベクトル制御方式との２種類の制御方式を備えたインバータ装置において、低速領域における半導体スイッチング素子の過熱保護をその制御方式に応じて切り換えることができるインバータ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御方式切換器１１によりＶ／ｆ制御回路２１が選択されてインバータ装置がＶ／ｆ制御方式により駆動される場合には、電流制限回路８０は電流制限値ｉ_LIM2が選
択されるとともに、キャリア周波数発生回路３０はキャリア周波数信号ｆ_C2が選択される。また、制御方式切換器１１によりベクトル制御回路２２が選択されてインバータ装置がベクトル制御方式により駆動される場合には、電流制限回路８０は電流制限値ｉ_LIM1が選
択されるとともに、キャリア周波数発生回路３０はキャリア周波数信号ｆ_C1が選択される。 （もっと読む）

【課題】発熱がダイオードに集中することを抑制できるスイッチング制御回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子に並列接続されるダイオードと、スイッチング素子又はダイオードの少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に応じて、スイッチング素子の逆方向導通時に流れる電流を制御する制御手段を有する。 （もっと読む）

【課題】リカバリ電流の小さいＳｉＣのダイオードを並列接続したパワー半導体素子のスイッチング回路で、ＭＨｚ帯のノイズを増加することなく、ターンオン損失、リカバリ損失を大幅に低減し、インバータの低損失化、低ノイズ化に寄与する。
【解決手段】Ｓｉ−ＩＧＢＴとＳｉＣのダイオードを組合せたモジュールとオンゲート抵抗をオフゲート抵抗より小さくしたパワー半導体素子のスイッチング回路及びインバータ回路とする。 （もっと読む）

【課題】有段変速機の変速段を変更する際にバッテリへの過大な電力の供給をより確実に抑制する。
【解決手段】変速機の変速段が変更中でないときには第１のキャリア周波数Ｆｈｉを用いてＰＷＭ信号を設定してモータを駆動するインバータをスイッチング制御し（Ｓ１１０，１２０，１４０）、変速機３９の変速段が変更されている最中には第１のキャリア周波数Ｆｈｉよりも低い第２のキャリア周波数Ｆｌｏを用いてＰＷＭ信号を設定してインバータをスイッチング制御するため（Ｓ１１０，１３０，１４０）、変速段の変更中はモータの電流の脈動（リプル電流）を大きくして損失を増加させてモータの消費電力が不足するのを防止するから、モータからのパワーが減少した場合であってもバッテリに過大な電力が供給されるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高温動作が可能で、かつ、高耐圧を達成するスイッチング制御装置及びショットキーダイオードを提供する。
【解決手段】モータ制御装置１は、電動モータ２と、交流電力を供給する交流電源としての三相交流電源３と、トランジスタ７とショットキーダイオード８からなる複数のスイッチング回路部１０を有し、三相交流電源３から出力される交流電力を直流電力に変換するコンバータ部４と、コンバータ部４によって変換された直流電力を整流する整流部５と、複数のスイッチング回路部１０を有し、整流部５によって整流された直流電力を任意の周波数及び電圧に変換して電動モータ２に供給するインバータ部６とを備える。スイッチング回路部１０は、β―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】直流電圧の低下を抑えつつ、各相のブートコンデンサの駆動電圧のバラツキを低減させるように充電することが可能なブートコンデンサの充電方法を提供する。
【解決手段】インバータにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各ブートコンデンサを電源回路３０によって充電するブートコンデンサの充電方法であって、以下の３つのステップを備えている。第１ステップでは、トランジスタ４１及びトランジスタ４２が、前置充電期間において、トランジスタ４２をオフ状態に維持して、トランジスタ４１を介して電源回路３０によってブートコンデンサ３２等を充電する。前置充電期間とは、通常のスイッチングを行う通常動作期間よりも前の期間のことをいう。また、第２ステップでは、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相のブートコンデンサそれぞれに対して、第１ステップによって行う充電を１〜２０パルスずつ割り当てて行う。そして、第３ステップでは、第２ステップを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】廉価で効率電力変換装置並びにこれを用いた冷凍空調システム及び太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】電動機１を駆動するインバータ回路２（電力変換装置）は、ＳＪ構造のＭＯＳ ＦＥＴ５と、このＭＯＳ ＦＥＴ５と逆方向に直列接続され、ＭＯＳ ＦＥＴ５への逆流を抑止するための逆流防止ダイオード７と、ＭＯＳ ＦＥＴ５と逆流防止ダイオード７の直列回路に並列に接続された還流ダイオード８とで構成した片側アームを少なくとも１つ以上具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】コントローラの負荷増加を抑制しつつ、リップル電流の低減を図る。
【解決手段】インバータ３０，３０ａのそれぞれについて、負荷の要求（トルク指令値）に応じて設定される各相の初期変調率指令ｍu1〜ｍw1，ｍu2〜ｍw2をそれぞれオフセットさせることにより、最終的な各相の変調率指令ｍu1*〜ｍw1*，ｍu2*〜ｍw2*を生成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量と抵抗の値が異なる複数のスナバ回路を用意する必要がなく、且つ逆バイアス時に還流ダイオードに発生する振動現象の収束時間を短縮できる半導体装置及び電力変換装置を提供する。
【解決手段】アノード端子３００とカソード端子４００からなる一対の接続端子と、一対の接続端子間に接続されたユニポーラ動作する還流ダイオード１００と、一対の接続端子間に還流ダイオード１００と並列接続され、少なくともキャパシタ２１０と抵抗２２０を含む半導体スナバ回路２００と備え、半導体スナバ回路２００のキャパシタ２１０と抵抗２２０の値が可変である。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮する。
【解決手段】半導体装置は、還流ダイオードＤと、還流ダイオードＤに対し並列に接続され、且つ、キャパシタと抵抗を有する半導体スナバ回路２００と、から構成され、半導体スナバ回路中２００のキャパシタが、還流ダイオードＤの遮断状態において、還流ダイオードＤにより空乏層が形成される前記半導体基体中の領域とは異なる位置に形成されるので、還流ダイオードＤの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の電力用半導体装置では、還流ダイオードが発生する逆回復電流により、回路内で電流、電圧の振動現象が生じるおそれがあったため、電流電圧の振動現象を抑制するスイッチング回路を提供する
【解決手段】ユニポーラダイオード１０１とバイポーラダイオード１０２とが同じ方向に並列接続された並列回路と、前記並列回路に接続されたスイッチング素子１０３とを備える （もっと読む）

【課題】電力変換装置の小型化及びインダクタンスの低減。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。また、伝導性部材上に環状の電気的な経路が形成されるように、基板に実装された半導体素子と入力端子及び出力端子のそれぞれとを電気的に接続している。 （もっと読む）

本発明は、スイッチング指令信号を、カスケード接続型２レベルコンバータ（１）のセル（２₁，．．．，２_n）に供給する方法（２０）に関するものである。前記セル（２₁，．．．，２_n）は、直列接続される２つの半導体素子（３ａ，３ｂ）に並列接続されるコンデンサ（Ｃ）を含む。前記カスケード接続型２レベルコンバータ（１）は、カスケード接続され、かつ直流電圧側の第１極（４ａ）と第２極（４ｂ）との間の１つの相に配置される前記セル群のうちの２つ以上のセルを含み、前記相は２つの相アーム（７，８）に分割される。前記方法（２０）は：前記セルの前記コンデンサの電圧を測定するステップ（２１）と；補正電圧基準値を、電圧基準値及び前記コンデンサ群の前記測定電圧に基づいて計算するステップ（２２）であって、前記電圧基準値が、ａｃ側に出力されることになる所望のａｃ電流に対応する、前記ステップ（２２）と；前記補正電圧基準値（ｒ）を使用して、スイッチング指令信号を計算するステップと、そして前記スイッチング指令信号を前記セル（２₁，．．．，２_n）に供給するステップと、を含むことを特徴とする。
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【課題】 スイッチング素子の過電圧を低減すると共にスイッチング素子の発熱も抑制できる電力変換装置等を提供する。
【解決手段】 電源及び多相電動機と接続され、当該電源から供給される電力を変換して多相電動機に供給する。この時、多相電動機の各相に接続された複数のスイッチング素子のうち、第１スイッチング素子の相電流が正から負となる転流期間（時刻ｔ３：Ｗ相，時刻ｔ４：Ｕ相）と、複数のスイッチング素子のうち、第２スイッチング素子の相電流が負から正となる転流期間（時刻ｔ３：Ｖ相、時刻ｔ４：Ｗ相）とを少なくとも一部で重複させる。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓｗ及びその入出力端子に逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＦＤを備える電力変換回路を駆動対象とするものにあって、パワースイッチング素子Ｓｗが低温において信頼性が低下しやすいこと。
【解決手段】フリーホイールダイオードＦＤに電流が流れる場合、コンパレータ８２から論理「Ｈ」の信号が出力される。この信号は、パワースイッチング素子Ｓｗを強制的にオフ状態とする指令信号となる。ただし、感温ダイオード９０の温度が低い場合、ヒステリシスコンパレータ９４の出力信号が論理「Ｌ」となるため、ＡＮＤ回路９８を介して駆動ＩＣ６０に出力される最終的な信号は、論理「Ｌ」となり、パワースイッチング素子Ｓｗの強制的なオフ操作はなされない。 （もっと読む）

【課題】浮遊インダクタンスを最小限に抑制するとともに、半導体スイッチ素子からスナバモジュールへの熱伝導を抑制したスナバモジュールを提供する。
【解決手段】電力変換回路に用いられる半導体スイッチ素子に、取付ネジによって接続されるスナバモジュールにおいて、前記スナバモジュールの端子２は、スナバ回路を収納するための筐体１から突設した突設部４と、前記突設部４の端部から折曲形成され、前記半導体スイッチ素子の主端子に接続される接続部６と、を備える。また、前記突設部４に形成された取付ネジ頭部を挿通するネジ頭部挿通孔７と、前記接続部６に形成された取付ネジ軸部を挿通するネジ軸部挿通孔３とを連通させる。 （もっと読む）

【課題】複数の発振器を用いること無く所望の周波数でスイッチング制御可能なスイッチング電源を提供する。
【解決手段】本発明のスイッチング電源は、クロックに従って動作する演算処理部としてのマイコン１を有し、このマイコン１のクロック周波数をスイッチング周波数として動作し、クロック周波数の発振周波数のみを可変させることでスイッチング周波数を可変させるよう構成したものである。 （もっと読む）

【課題】分圧点の電圧変化を抑制する。
【解決手段】コントローラ４は、制御周期毎に、補助スイッチンング回路のそれぞれを通過する電荷量に基づいて、補助スイッチング回路側から分圧点側へ通過する電荷量と、分圧点側から主スイッチング回路側に通過する電荷量とを比較する。そして、コントローラ４は、この比較結果に基づいて、補助スイッチング回路を通過する電荷量が最大となる補助スイッチング回路についてスイッチング動作の動作期間を短く補正する。 （もっと読む）

【課題】各素子を近接配置する必要がなく、部品点数やコストの増大を招くことがなく、容易に実現することが可能であって、スイッチング素子の切換えに伴うサージ電圧を効果的に抑える。
【解決手段】第３及び第２トランジスタ１３、１２がオンからオフに切換わっても、各寄生インダクタンス５６ｂ、５５ｃに電流が流れ続けている。これは、第４ダイオード２４のカソードＫを第３トランジスタ１３のエミッタＥ近傍に接続し、かつ第１ダイオード２１のアノードＡを第２トランジスタ１２のコレクタＣ近傍に接続したことから、第４ダイオード２４から誘導性負荷１７への電流経路が寄生インダクタンス５６ｂを介して形成され、かつ直流抵抗１８から第１ダイオード２１への電流経路が寄生インダクタンス５５ｃを介して形成されるためである。 （もっと読む）