【課題】インバータ回路とそれを構成するスイッチ素子を駆動・制御する駆動・制御回路において、追加回路規模が少なく、所望の負電位を動的に印加できる駆動・制御回路、また、インバータ回路における短絡電流を削減し、損失の少ない電力変換回路を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１，第２スイッチ素子（下側アームのスイッチ素子ＬＳＷ，同様の上側アームのスイッチ素子）を有するインバータ回路と駆動回路（Ｌ側ゲート駆動回路ＬＧＤ，同様のＨ側ゲート駆動回路）と制御回路とを有し、駆動回路は、スイッチ素子のゲート電極をソース電位に駆動する回路と、スイッチ素子のゲート電極を負電位に駆動する回路とを有し、負電位に駆動する回路の出力ノードとスイッチ素子との間に直列にコンデンサが接続され、制御回路は、スイッチ素子がオフ状態からオン状態になる直前のスイッチ素子のゲート電極の電圧をソース電位と同じであるように制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】入力された電力をスイッチングして所定の電力に変換する電力変換装置において、スイッチング素子がオン電圧降下の個体差を有していても、オン電圧補償を精度よく行えるようにする。
【解決手段】交流電力又は直流電力をスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）のスイッチングで所定の電力に変換して出力する電力変換部（4）を設ける。スイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）の実装状態におけるオン抵抗（Ron）の個体差、又はグループ単位の偏差に基づいて、電力変換部（4）の出力電圧（vu,vv,vw）を制御する制御部（5）を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の電力変換装置では、ゲート抵抗切り替え回路部に速い応答性が要求されるため、ノイズにより誤動作し易く、場合によっては、誤動作により装置の保護機能が働き、動作停止してしまうことがあった。
【解決手段】太陽電池１の直流電圧を交流電圧に変換し、交流の系統電源に電力を供給する電力変換装置２であって、電力変換装置２は、複数のパワー半導体スイッチSH、SLと、これらのパワー半導体スイッチSH、SLをオン／オフ動作させるゲート駆動回路GH、GLと、これらのゲート駆動回路に挿入されたゲート抵抗RG1、RG2と、ゲート駆動回路GH、GLにオン／オフ信号を供給すると共に、ゲート抵抗値を変更する制御信号を出力する制御回路２２とを備え、制御回路２２は、予め設定された時刻にゲート抵抗値変更信号を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】ドライバＦＥＴを集積回路に内蔵する場合に、集積回路の発熱量を低減することを可能にしたスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチング電源装置５０において、ハイサイドスイッチ素子１２の電源端子７にカソード側を接続し、出力端子６にアノード側を接続したダイオード（第１のダイオード）１４、及びローサイドスイッチ素子１１のグランド端子５にアノードを接続し、出力端子６にカソードを接続したダイオード（第２のダイオード）１３を集積回路９の外部に備え、ハイサイドスイッチ素子１２及びローサイドスイッチ素子１１が共にオフする期間に、ダイオード１４又はダイオード１３の何れか一方が導通し、駆動信号生成部２は、ダイオード１３がオフした時点でハイサイドスイッチ素子１２を導通させるＰＷＭ＿Ｈを生成し、ダイオード１４がオフした時点でローサイドスイッチ素子１１を導通させるＰＷＭ＿Ｌを生成する。 （もっと読む）

【課題】各周期間における直流電流のばらつきを低減できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１はスイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６を有し、入力線Ｐ１，Ｐ２の間の直流電圧をＭ（Ｍは自然数）相交流電圧に変換してこの交流電圧を出力線Ｐｕ，Ｐｖ，Ｐｗへと出力する。入力線Ｐ１，Ｐ２に流れる直流電流ｉｄｃは出力線Ｐｕ，Ｐｖ，Ｐｗを流れる交流電圧の基本波の周期の２Ｍ分の１倍の周期を有して脈動する。例えば制御部３は、直流電流ｉｄｃを検出し、直流電流ｉｄｃの各周期間におけるオフセット量の差が低減するように、各周期でのスイッチングパターンに応じた相の前記交流電圧についての電圧指令Ｖ*に対して補正を行い、補正後の電圧指令に基づいてスイッチング素子Ｓ１〜Ｓ６を制御する。 （もっと読む）

【課題】素子数が少なく、導通損失やスイッチング損失が低減可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】第1及び第2の直流電圧源を直列接続してなる第1の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第1及び第2のスイッチング素子とを直列接続してなる第2の直列回路と、ダイオードを逆並列に接続した第5及び第6のスイッチング素子を直列接続してなる第3の直列回路と、をそれぞれ並列接続し、第1及び第2の直流電圧源との接続点及び、第1及び第2のスイッチング素子との接続点との間に、第3及び第4のスイッチング素子とを逆並列接続してなる双方向スイッチング素子を接続し、第1及び第2のスイッチング素子との接続点と、第5及び第6のスイッチング素子との接続点と、をそれぞれ出力端子とする。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、電圧制限回路１２３と、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。制御回路１２４は、記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、従来のように、２つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路１２１と電圧制限回路１２３によって、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、特性に応じてＩＧＢＴ１１０ｄを適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】ブートコンデンサを、インバータの制御において適切に充電する。
【解決手段】インバータ４Ｕの備えるハイアーム側スイッチング素子たるトランジスタ４２の制御は、ハイアーム制御回路３３によって行われる。ハイアーム制御回路３３はブートコンデンサ３２の充電電圧が供給されて動作する。ブートコンデンサ３２の充電は、負荷６を駆動するための通常の動作期間に先立つ前置充電期間において行われる。前置充電期間においてはトランジスタ４２はオフしたままである一方、ローアーム側スイッチング素子たるＩＧＢＴ４１がオン／オフを繰り返す。これにより、通常の動作期間の前に、制御電源回路３０に大きな負担を掛けることなく、制御電源回路３０にブートコンデンサ３２を充電させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】低出力時の出力安定化、省電力化に寄与することができるアーク加工用電源装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路及び補助スイッチング回路の各スイッチング素子ＴＲ１〜ＴＲ５が十分にオン可能な所定狭パルス幅（最小パルス幅Ｗｍ０，Ｗｓ０）より大となるオンパルス幅Ｗｍ，Ｗｓに設定されるような出力要求時にはＰＷＭ制御が実施される。一方、オンパルス幅Ｗｍ，Ｗｓがその所定狭パルス幅より小となり得る低出力要求時には、オンパルス幅Ｗｍ，Ｗｓをその所定狭パルス幅に固定した状態での制御パルス信号の位相調整を行うＰＳＭ制御に制御態様が切り替えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、上記のような問題を解消し、ｄＶ／ｄｔによる誤動作を防止しつつも、外部要因に左右されることのない汎用的な誤動作防止機能を有する半導体回路および半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体回路は、ＯＮ駆動信号に応答してＯＮ駆動電荷を充電するコンデンサ４０と、ＯＦＦ駆動信号に応答してＯＦＦ駆動電荷を充電するコンデンサ４１と、ＯＮ駆動信号に応答して第１トリガー信号を発生させる信号発生回路２０と、ＯＦＦ駆動信号に応答して第２トリガー信号を発生させる信号発生回路２１と、第２トリガー信号に応答して、ＯＮ駆動電荷を放電する放電回路３０と、第１トリガー信号に応答して、ＯＦＦ駆動電荷を放電する放電回路３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】リカバリサージ電圧の発生を抑制することにより素子破壊を防ぐ、スイッチング回路、ハーフブリッジ回路および三相インバータ回路提供すること。
【解決手段】回路開閉端子と制御信号用端子とボディダイオードとを有する第１および第２のスイッチング素子が逆直列に接続された直列回路と、直列回路に第１のスイッチング素子のボディダイオードと同じ導通方向で並列に接続された外付けダイオードと、第１のスイッチング素子に流れる電流方向を検出する電流検出回路と、電流検出回路で検出した電流方向が第１のスイッチング素子のボディダイオードに対して順方向に流れる場合には第１および第２のスイッチング素子を閉制御し、電流検出回路で検出した電流方向が第１のスイッチング素子のボディダイオードに対して逆方向に流れる場合には第１および第２のスイッチング素子をゲート信号に基づいて開閉制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定してゼロ電圧スイッチングが可能な共振型電力変換装置を提供する。
【解決手段】直列接続した第１の直流電圧源と第２の直流電圧源の両端に、直列接続した第１の逆導通型スイッチング素子と第２の逆導通型スイッチング素子と、第１の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第１の共振コンデンサと、第２の逆導通型スイッチング素子に並列に接続した第２の共振コンデンサとからなる回路を接続し、第１の直流電圧源と第２の直流電圧源との接続点と第１の逆導通型スイッチング素子と第２の逆導通型スイッチング素子の接続点との間に、共振用スイッチと共振リアクトルとを直列接続してなる共振型電力変換装置において、第１の共振コンデンサと第２の共振コンデンサは、その両端電圧の上昇に対応してその静電容量が減少する特性を有する電圧依存性コンデンサであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング回数を低減できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】キャリア生成部は、電圧指令値Ｖ**がキャリアの最小値以下の値である期間の一つ後の期間であって、キャリアの最小値より大きい第１所定値を採る第１期間Ｔ１０、及び電圧指令値が最大値以上である期間の一つ前の期間であって、電圧指令値が最大値よりも小さい第２所定値を採る第２期間Ｔ１０の少なくともいずれか一方において、単調に減少するキャリアＣ１をスイッチング制御部に与え、電圧指令値が前記最大値以上の値である期間の一つ後の期間であって、最大値よりも小さい第３所定値を採る第３期間Ｔ１３、及び電圧指令値が最小値以下である期間の一つ前の期間であって、電圧指令値が最小値より大きい第４所定値を採る第４期間Ｔ１３の少なくともいずれか一方において、単調に増加するキャリアＣ２をスイッチング制御部に与える。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａには、正常時には流れることがない、所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れる。制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れているとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ制御を行う場合、スイッチング素子のスイッチング状態の切替回数が多くなり、スイッチング状態の切り替えに伴う損失が問題となりやすいこと。
【解決手段】位相設定部３２では、推定トルクＴｅを要求トルクＴｒにフィードバック制御するための操作量として位相δを算出する。一方、ノルム設定部３３では、要求トルクＴｒおよび電気角速度ωを入力としてノルムＶｎを設定する。そして、デッドタイム算出部３４では、電源電圧ＶＤＣとノルムＶｎとに基づき、矩形波制御におけるデッドタイムＤＴを電気角度間隔として算出する。位相補正部３５では、位相設定部３２による位相δを「ＤＴ／２」によって補正する。矩形波信号生成部３６では、補正された位相δとデッドタイムＤＴと回転角度θとに基づき、操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｐ，ｎ）を生成する。 （もっと読む）

【課題】より効率的に負荷を駆動できるようにする。
【解決手段】ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧を調整する電圧調整回路２０とＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号のスイッチングスピードを調整するスイッチングスピード調整回路３０を備え、正弦波ＰＷＭ制御モード、過変調ＰＷＭモード、矩形波制御モード等の制御モードに応じて、ＩＧＢＴ５１〜５６の損失が低減されるように、ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧およびスイッチングスピードを加工する。 （もっと読む）

【課題】逆回復における損失低減をはかりつつ、システムの高効率化をはかり、また、素子の損傷等に対応して信頼向上等をはかることができるインバータ駆動装置等を得る。
【解決手段】変換用のスイッチング素子４と、このスイッチング素子４に並列接続された還流ダイオード５とを備えるアームを一対以上有するインバータ駆動装置２であって、スイッチング素子４および還流ダイオード５に、二次側巻線を並列接続する変圧器６と、変圧器６の一次側巻線への電流供給を制御する変圧器駆動回路１１とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】単独でのシール性能の保証、製造の容易性の確保、更に管状部材と冷却液が循環する冷却液循環回路との間の接続を解除する際にもカバー部材の内部側での冷却液漏れの防止、が可能な半導体冷却装置の実現。
【解決手段】冷却液が流通する冷却室Ｒを有する冷却器３２と、冷却室Ｒに連通する流路を形成する管状部材３５と、半導体素子、冷却器３２及び管状部材３５を収容するカバー部材６０と、を備えた半導体冷却装置５０。カバー部材６０の所定の開口形成面６１に開口部６２が設けられると共に、開口部６２に取り付けられ、カバー部材６０の内部側に窪んだ凹空間ＣＳを形成する凹空間形成部材７０を備え、管状部材３５の先端部が凹空間ＣＳ内に配置され、凹空間形成部材７０とカバー部材６０との間、及び凹空間形成部材７０と管状部材３５との間、が液密状態とされている。 （もっと読む）