【課題】消費電力を低減した駆動装置を提供する。
【解決手段】コイルに電流を供給する第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと直列接続され、前記コイルから電流が供給される第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴがオフしているときに前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオンするように第１駆動信号を出力する第１駆動回路と、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴがオフしているときに前記第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオンするように第２駆動信号を出力する第２駆動回路と、ドレインソース路が前記第１駆動回路の出力及び前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのゲートの間に接続されるＰ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ及び前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧を共に所定電圧にクランプするクランプ回路と、前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのドレインソースに並列接続される第１抵抗と、を備えた駆動装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明はキャリア周波数が増加しても出力電圧の低下を抑える電源回路を提供することである。
【解決手段】直流電力を交流電力に変換し、かつ上アームおよび下アームを構成する複数のスイッチング素子からなるインバータ回路と、前記複数のスイッチング素子を制御する制御回路と、前記制御回路からの信号に基づき、前記複数のスイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路に電力を供給する絶縁型電源回路と、を有し、前記制御回路は、前記電源回路から前記駆動回路に出力する電源電圧を制御し、前記駆動回路は、キャリア周波数、および前記電源電圧に基づいて前記複数のスイッチング素子を駆動し、前記電源回路は、前記駆動回路に出力された電圧を電源制御ＩＣに出力するフィードバック回路を有し、前記フィードバック回路は前記キャリア周波数の変化に基づいて前記電源制御ＩＣに出力する電圧を制御するダミー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】デッドタイムの補償電圧の振幅を適切にチューニングすることができる電力変換器の制御装置を提供する。
【解決手段】電力変換器から電動機へ供給される電圧が前記電力変換器に設定されたデッドタイムによって歪むことを抑制するための補償電圧を記憶した記憶手段と、電流理想指令に対応した電圧指令に前記補償電圧を合算した合算電圧指令に基づいて前記電力変換器を制御し、前記合算電圧指令に基づいた前記電動機の駆動力に過不足が生じた場合に、前記電力変換器から前記電動機に流れこむ駆動電流の値を調整することにより、前記駆動力を調整する調整手段と、前記駆動電流の値が調整されたときに前記駆動電流上に発生する電流脈動の値と前記電流理想指令との値の差が所定の基準値よりも小さくなるように、前記補償電圧の振幅を補正する補正手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１の半導体素子駆動回路１３は、ゲート抵抗２１と、電圧源２２と、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３と、バッファ１１１と、を備えている。バッファ１１１は、従来良く使われる方式であるトランジスタ１１１ｔａ，１１１ｔｂで構成されるＩＧＢＴ駆動用のバッファ回路の少なくとも一部である。ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、トランス１２１と、抵抗１２２と、を備えている。即ち、トランス１２１が、ｄｉ／ｄｔ検出部及びゲイン部に対応する。なお、電圧源２２とバッファ１１１とを結ぶ経路に抵抗１２２が直列接続され、抵抗１２２の両端が、トランス１２１の２次側に接続されており、当該経路上の抵抗１２２の両端の間が、電圧源に対応する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。また、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１がターンオンするときに、図示せぬＦＷＤの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。このようなｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、帰還電圧ＶＦＢを駆動信号の電圧の一部として印加するタイミングを遅延させる遅延フィルタとして、ＬＰＦ回路２０１を備えている。ＬＰＦ２０１の遅延量、即ちインダクタンスＬｄを適度に調整することで、還流ダイオードの電圧におけるサージ電圧を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】インバータを用いた交流電動機制御において、効率を低下させることなくインバータのスイッチングによるサージ電圧を抑制する。
【解決手段】交流制御指令（Ｖｕ）とキャリア信号（Ｖｃｗ）との電圧比較に基づいて、インバータ各相のスイッチング素子のオンオフが制御される。交流制御指令（Ｖｕ）は、三相変調のための本来の交流電圧指令（Ｖｕ♯）に、３次高調波電圧（Ｖｕｈ）を重畳することによって得られる。３次高調波電圧（Ｖｕｈ）は、相電流の特定タイミング（ｔｐ１、ｔｐ２）を含む所定の電流位相期間（Ｔ１）において、当該相でのスイッチング素子のオンオフが固定されるように設定される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失が小さく、かつ、安定してモータを動作させることが可能なモータ駆動回路を提供する。
【解決手段】モータ駆動回路１は、インバータ回路２と、制御回路部３と、バッファ回路４ａ〜４ｃと、抵抗Ｒ２と、キャパシタ素子Ｃ１〜Ｃ３とを備えている。バッファ回路４ａは、ＰＭＯＳトランジスタＱ１ａと、ＮＭＯＳトランジスタＱ１ｂと、抵抗Ｒ１ａと、抵抗Ｒ２ａとを有する。バッファ回路４ａ〜４ｃにＭＯＳトランジスタを用いるため、ターンオン時間Ｔｏｎおよびターンオフ時間Ｔｏｆｆを短くでき、スイッチング損失を小さくできる。また、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートをハイに設定する場合は抵抗Ｒ２ａを介して充電し、ロウに設定する場合は抵抗Ｒ２ａ，Ｒ１ａを介して放電するため、ターンオフ時間Ｔｏｆｆよりターンオン時間Ｔｏｎが長くなる。そのため、すべての相をオフに設定するデッドタイムを設ける必要がなく、モータを安定して駆動できる。 （もっと読む）

【課題】直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散できるシリーズレギュレータを提供することを課題とする。
【解決手段】複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂを直列に接続したシリーズレギュレータ５であって、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子５ｅ，５ｇと、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂにそれぞれ設けられ、出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタ５ｊ，５ｋを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インバータの電力変換効率を向上させる。
【解決手段】インバータ２００は、それぞれ電圧が異なる複数の直流電源Ｖ１、Ｖ２からの直流電力を交流電力に変換する。インバータ２００は制御部２０を備える。制御部２０は、第１の直流電源Ｖ１からの電源電圧Ｅ１、第２の直流電源Ｖ２からの電源電圧Ｅ２と、２つの電源電圧の電位差（Ｅ１−Ｅ２）を用いて擬似正弦波を発生させる。制御部２０は、複数の直流電源Ｖ１、Ｖ２ごとに設けられるＨブリッジ回路を制御することで、擬似正弦波を生成する。 （もっと読む）

【課題】モデル予測制御によりスイッチング状態の切替数が増大すること。
【解決手段】現在の操作状態を表現する電圧ベクトルＶ（ｎ）について、予測電流ベクトルＩｄｑｅと指令電流ベクトルＩｄｑｒとの誤差ベクトルｅｄｑのノルム｜ｅｄｑ｜が閾値ｅｔｈよりも大きい場合、この一連の処理を実行する。ここで、現在の操作状態を表現する電圧ベクトルＶ（ｎ）が有効電圧ベクトルである場合（ステップＳ３４：ＹＥＳ）、平均電圧ベクトルＶａとのなす角度が規定角度Ａ（≦２０°）以下のものがあるか否かを判断する（ステップＳ３８：ＹＥＳ）。そして、肯定判断される場合、ゼロ電圧ベクトルの優先度が高いとし（ステップＳ４０）、これに関する誤差ベクトルｅｄｑのノルム｜ｅｄｑ｜が閾値ｅｔｈ以下と判断される場合（ステップＳ４２）、ゼロ電圧ベクトルを採用する（ステップＳ４６）。 （もっと読む）

【課題】複数個のチョッパ回路部を備えるマルチフェーズコンバータについて、各チョッパ回路部のコイルを流れる電流の増減周期の出現タイミングを均等化することが困難なこと。
【解決手段】マスタ相の電流の変化速度の反転タイミング間の時間間隔Ｔ１を計測する。第ｍ（ｍ＝２〜ｎ）のスレーブ相については、マスタ相のコイルを流れる電流がゼロとなるタイミングから、「Ｔ１（ｍ−１）／ｎ」だけ遅延したタイミングをコイルを流れる電流がゼロとなる目標タイミングＴＭに設定する。実際のタイミングＴ（ｍ）を目標タイミングＴＭにフィードバック制御すべく、スレーブ相のスイッチング素子のオン時間を操作する。 （もっと読む）

【課題】電流駆動型の半導体装置のゲートへの寄生インダクタンスによる外乱ノイズを低減し、ゲート駆動を高精度化及び安定化させる。
【解決手段】半導体装置１００であって、電流駆動型の半導体素子３と、半導体素子３を制御するゲート駆動回路１１と、接続端子部とを備え、半導体素子３は、窒化物半導体層の積層体の上に形成されたゲート電極パッド１と、オーミック電極パッド２及び５とを有し、接続端子部は、オーミック電極パッド２と接続されたオーミック電極端子６と、オーミック電極パッド５と接続されたオーミック電極端子１０と、オーミック電極パッド２と接続されたゲート駆動用端子７と、ゲート電極パッド１と接続されたゲート端子８とを有し、ゲート駆動回路１１の入力端子はゲート駆動用端子７に接続され、ゲート駆動回路１１の出力端子はゲート端子８に接続され、ゲート駆動回路１１の基準電位をオーミック電極パッド２の電位とする。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができるスイッチング装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置を構成するインバータ回路は、平滑コンデンサと、ＦＥＴと、スナバ回路とを備えている。スナバ回路は、コンデンサによって構成されている。スナバ回路１０２を構成するコンデンサ１０２ａの一方の接続点ａ１から平滑コンデンサ１００を経てコンデンサ１０２ａの他方の接続点ａ２に至る経路ｒ１のインダクタンスＬｒ１が、直列接続されたＦＥＴ１０１ａ、１０１ｄ、及び、コンデンサ１０２ａによって形成される経路ｒ２のインダクタンスＬｒ２の１０倍となるような位置に、コンデンサ１０２ａが接続されている。これにより、従来のように、リカバリー電流を抑える回路を別途設ける必要がなく、簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるＶＣＣ電位を該低圧側駆動回路に与えるＶＣＣ端子と、アノードが該ＶＣＣ端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるＶＢ電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該ＶＢ電位が該ＶＣＣ電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】初期充電回路が不要な自己給電形のゲート駆動回路の電源装置を提供することである。
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子（３）に並列接続された、スナバダイオード（３５）とスナバコンデンサ（３７）とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路（１１）に電源電圧として印加する電源用コンデンサ（５１）と、スナバコンデンサ（３７）の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ（５１）に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ（５１）の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）をオフさせるように構成される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ素子のエミッタ−コレクタ間のサージ電圧を確実に収束させることができる半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体電力変換装置１は、ＩＧＢＴ４と、このＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５と、ＩＧＢＴ４のゲートに並列に接続されたゲート抵抗８ａ〜８ｄと、ＩＧＢＴ４がＯＮからＯＦＦに切り換わる時のＩＧＢＴ４のエミッタ−コレクタ間のサージ電圧を検出するコレクタ電圧検知回路１２と、このコレクタ電圧検知回路１２の検出値と基準電圧Ｖ１との大小を比較するコンパレータ１３と、このコンパレータ１３の出力データに応じてカウンタ値をカウントアップまたはカウントダウンさせるカウンタ１４と、このカウンタ１４のカウンタ値に応じてＩＧＢＴ４をＯＦＦ駆動するためのゲート抵抗８ａ〜８ｄを選択する抵抗選択回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】単純で低コストの構成によってスイッチング損失を回避可能な回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置は、スナバ回路を伴う３レベルパルス幅変調インバータ、陽極・陰極・中央タップ用入力端子、出力端子を有する。インバータは、陽極・陰極用入力端子に接続された外部スイッチング素子、外部端子に接続された内部スイッチング素子を有する。スナバ回路は、コイル、２つのキャパシタ、４つのダイオードを含む直列接続を有する。ダイオードのうち外側の２つは、陽極・陰極用入力端子に直接接続される。内側の２つの間の電気的接続は、一方がコイルを介して中央タップ用入力端子に、他方がインバータの中央橋枝に接続される。キャパシタは、一の端子が直接接続において隣接する内側のダイオードおよび外側のダイオードの１つの間の電気的接続に接続され、他方の端子が外部端子に直接接続される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタとダイオードが半導体基板に混在している半導体素子の駆動方法であって、電力損失が抑制される駆動方法を提供すること。
【解決手段】駆動方法は、ダイオードＤ２を介して還流電流が流れているときに、トランジスタＴｒ２のゲート電極２４にゲート電圧Ｖｇ（Ｔｒ２）を印加するゲート電圧印加工程を備えている。ゲート電圧Ｖｇ（Ｔｒ２）は、第１電圧Ｖ_Ｈ未満に設定されている。第１電圧Ｖ_Ｈは、ダイオードＤ２に逆方向電圧が印加されているときのトンジスタＴｒ２の閾値電圧である。 （もっと読む）

【課題】電力変換モジュールと接続された積層構造のバスバー組立体において、電力変換モジュールのスイッチングによるサージ電圧を低減できるようにする。
【解決手段】板状の第１、及び第２バスバー（2,3）で絶縁体（4）を挟み込んだバスバー組立体（1）において、第１、及び第２バスバー（2,3）には、第１、及び第２モジュール接続部（2b,3b）から見て、コンデンサ接続部（2c,3c）とは反対方向に、絶縁体（4）を介して互いに対向する所定の領域（A）をそれぞれ設ける。 （もっと読む）