【課題】ゲートブロックが解除される際に、インバータの操作量を適切に算出することが容易となる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力系統に連系し、直流電力を交流電力に変換して電力系統に出力する電力変換装置であって、入力されるゲート信号に応じて、前記変換の動作を行うインバータと、系統電力の検出情報を用いて前記インバータの操作量を算出し、該算出の結果に基づいて生成した前記ゲート信号を前記インバータに送出する制御部と、を備え、前記制御部は、瞬低の発生を判定する系統状態判定部と、前記系統状態判定部の判定結果に応じて、前記インバータの出力を遮断するゲートブロックが行われるようにするゲートブロック部と、前記ゲートブロックが解除される際に、前記操作量の算出に関するパラメータを初期化する初期化処理部と、を有する電力変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】高圧側のコンデンサおよび低圧側のコンデンサの放電を迅速に行なうと共にインバータの過熱を抑制する。
【解決手段】システムメインリレー４３によりバッテリ３６が緊急遮断されたときには、昇圧コンバータ４０の上アームをオフとした状態で下アームをスイッチングすることにより、低圧側コンデンサ４６に蓄えられた電荷を昇圧コンバータ４０に流してその電力を消費し、モータ３２の回転が停止したときにインバータ３４の下アームをオンとした状態で上アームをスイッチングすることにより、高圧側コンデンサ４８に蓄えられた電荷をインバータ３４に流してその電力を消費する。これにより、迅速に低圧側コンデンサ４６と高圧側コンデンサ４８に蓄えられた電荷を放電することができ、インバータ３４の過熱を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のインバータの間における電圧の干渉による悪影響の抑制を、省スペースな装置において実現することができるインバータ装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置は、ＰＮ母線に接続された第１インバータと、ＰＮ母線に接続された第２インバータと、ＰＮ母線における第１インバータと第２インバータの間に接続されたクランプ回路とを備える。クランプ回路は、ツェナーダイオードと、スイッチング素子とを備える。ツェナーダイオードは、ＰＮ母線におけるＰ母線にカソードが接続しＮ母線にアノードが接続する。スイッチング素子は、Ｐ母線とＮ母線との間に介在し、制御端子がツェナーダイオードのアノードと接続したものである。 （もっと読む）

【課題】車両のステアリングの操舵力をモータでアシストする電動パワーステアリング装置において、モータ電流値はモータの出力の上昇に応じて大きくなり、モータ電流値が大きくなればモータを駆動させるパワー基板に備えられた半導体モジュールの温度が上昇し、過熱状態が続くと半導体モジュールが熱破壊を起こしてしまう。
【解決手段】ＧＮＤプレーン50はパワー基板接続部58a及び制御基板接続部58b、トルクセンサアンプ基板接続部58c、掛部56のカバー10との接続部、ヒートシンク接触面52cを除く表面にアルマイト加工を施し、アルマイト皮膜44を備え、パワー基板60の半導体モジュール対向面60aとパワー基板接触面52bのアルマイト皮膜44とが接触している。 （もっと読む）

【課題】冷却構造を大型化することなく複数の伝熱経路を有する冷却構造を実現して冷却性能を向上させることのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の電力変換装置１は、複数の冷却面を備えたパワーモジュール２と、 パワーモジュール２の複数の冷却面のうち少なくとも２面以上と接するように構成されたユニットケース３、４とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置全体の小型化を可能とすると共に、放熱性を向上しながら、発熱源や大電流経路から回路基板を遠ざけることが可能な半導体制御装置を提供する。
【解決手段】半導体制御装置１は、冷却部材２１、３１及び半導体素子２３（Ｕ）〜２５（Ｗ）、３３（Ｕ）〜３５（Ｗ）を各々有する複数の半導体モジュール２、３と、複数の半導体モジュールを制御する制御素子を実装した回路基板５５と、を装着するケース７が、ケース内に内部空間Ｓを画成する筒状の側壁７１を備え、側壁の両端には、互いに対向した第１の開口７Ｈ１及び第２の開口７Ｈ２が画成され、複数の半導体モジュールが、第１の開口側で側壁に装着された第１の半導体モジュール２と、第２の開口側で側壁に装着された第２の半導体モジュール３を含み、かつ、回路基板が、内部空間内において、第１の半導体モジュールと第２の半導体モジュールとの間に配置される。 （もっと読む）

【課題】容易な構成でパワー半導体チップを効率よく冷却できる冷却手段を備えた電力変換装置及びそれを備えた冷凍装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置（30）は、パワー半導体チップ（50）と、該パワー半導体チップ（50）が接続される主回路が形成された主基板（51）とを備えている。電力変換装置（30）に、表面（52b）に絶縁層（54）を介してパワー半導体チップ（50）が実装され、裏面（52a）に冷却用流体が流通する冷却管（23a）が嵌め込まれる凹溝（52c）が形成されると共に、主基板（51）とは別部材で形成された放熱基板（52）と、該放熱基板（52）が主基板（51）と異なる面に位置するように放熱基板（52）を主基板（51）に固定する固定部材（53）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】系統の停電時にも、サーバの停止を極力少なくする。
【解決手段】パワーコンディショナ６は、太陽光発電システムの発電した直流電力を昇圧チョッパ７で昇圧し、この昇圧された直流電力をインバータ８で交流電力に変換して交流電源系統１１に接続する。そして、ＬＡＮボード２１が組み込み可能に構成され、このＬＡＮボードは、太陽光発電システムの発電した直流電力を電圧調整した直流電力または、系統からの交流電力をＡＣ／ＤＣ変換器３２で変換した直流電力が選択的に供給されるとともに、アドレス管理部、メモリー、時計部および演算部を具備してサーバ機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴのターンオフ時のスイッチング損失を低減できるとともにサージ電圧を低減できる電子回路を提供する。
【解決手段】バスバー６１ａにおけるＵ相用モジュール３の第１電源端子３１寄りの部分と、バスバー６４ａにおけるＵ相用モジュール３の第２電源端子３２寄りの部分との間に、コンデンサ９１が接続されている。バスバー６２におけるＶ相用モジュール４の第１電源端子４１寄りの部分と、バスバー６５におけるＶ相用モジュール４の第２電源端子４２寄りの部分との間に、コンデンサ９２が接続されている。バスバー６３におけるＷ相用モジュール５の第１電源端子５１寄りの部分と、バスバー６６におけるＷ相用モジュール５の第２電源端子５２寄りの部分との間に、コンデンサ９３が接続されている。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路の過電流保護、過電圧保護、過電力保護を行う。
【解決手段】電力制御装置１０は、直流電源１１に接続されて入力電圧Ｖccが印加され、モータ１３に電力を供給するインバータ回路１２と、このインバータ回路１２に流れる入力電流Ｉinを、この入力電流Ｉinに相当する電圧Ｖin2に変換して検出する入力電流検出回路２１と、インバータ回路１２を制御する電流電圧制御部２０を備えている。電流電圧制御部２０は、入力電圧Ｖccが印加されたときのインバータ回路１２に流れる電流の制限値に相当する基準電圧Ｖrefを生成し、基準電圧Ｖrefと電圧Ｖin2とを比較することにより、入力電圧Ｖccに応じた所望の入力電流制限値Ｉmax以内で動作するようにインバータ回路１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子を用いた直流電源の電力変換装置であって、半導体チップ上でスナバ回路を構成してもリンギング（回路共振）に伴うノイズを十分に低減可能な小型化の電力変換装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドとローサイドの一方の主回路における主スイッチング素子が、ＯＮ−ＯＦＦ状態を繰り返すように制御されると共に、もう一方の主回路におけるダイオードが、フリーホイールダイオードとして用いられ、直列接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２、コンデンサＣ１，Ｃ２および第２スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２からなるスナバ回路Ｎ１，Ｎ２が、複数、前記主回路に並列接続されてなり、第２スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２が、前記ＯＮ−ＯＦＦ状態を繰り返す主スイッチング素子のターンＯＮまたはターンＯＦＦに先行して、順にターンＯＮする電力変換装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】制御回路基板の誤動作を防止しやすく、かつ故障しにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と、冷却器３と、制御回路基板４と、平滑コンデンサ５と、放電抵抗６とを備える。制御回路基板４は、半導体モジュール２の制御端子２１に接続されている。放電抵抗５は、平滑コンデンサ５に並列接続され、制御回路基板４に取り付けられている。制御回路基板４は、タイミング制御部４１と、ドライブ回路部４２と、電源回路部４０とを備える。タイミング制御部４１および電源回路部４０の少なくとも一方と、放電抵抗６との間にドライブ回路部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】一方の金属板の貫通孔内において他方の金属板を押し出して鍛圧により接合する場合、一方の金属板の方が他方よりも硬度が小さくても結合できるようにする。
【解決手段】一方の金属板１１の貫通孔１２内に、他方の金属板２１の鍛圧部２２が押し出されている。鍛圧部２２の底部側のほぼ中央に鍛圧部２２を外周側に広げる凹部２２ａが形成されている。また、第２の金属板２１における鍛圧部２２と反対面側には、貫通孔１２よりも小さい幅の第１の溝２３と、この第１の溝２３よりも大きい幅の第２の溝２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源における電力損失を最小にするデッドタイムの設定に関して、信頼性をより高める。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング部１８は、スイッチング駆動部５、温度検出部１９、デッドタイム設定部２１を有する。温度検出部１９は、スイッチング駆動部５の温度Θを示す温度検出信号２０をデッドタイム設定部２１へ出力する。デッドタイム設定部２１は、温度検出部１９により出力された温度Θが示す温度検出信号に基づき、スイッチング駆動部５の温度Θがより低いデッドタイムｄｔを探索する。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図りつつ、スイッチング素子の短絡故障時にモータジェネレータで発生した逆起電力から装置を保護することができる回転駆動装置を提供する。
【解決手段】回転駆動装置１は、三相交流式のモータジェネレータ２と、このモータジェネレータ２とパワーケーブル３を介して接続された三相式のインバータ４とを備えている。インバータ４は、正共通線７と負共通線８との間に直列接続されたトランジスタ９ａ，１０ａ、トランジスタ９ｂ，１０ｂ及びトランジスタ９ｃ，１０ｃを有している。トランジスタ９ａ〜９ｃのコレクタ端子と正共通線７との間にはシャント抵抗１４ａ〜１４ｃが接続され、トランジスタ１０ａ〜１０ｃのエミッタ端子と負共通線８との間にはシャント抵抗１５ａ〜１５ｃが接続されている。シャント抵抗１４ａ〜１５ｃは、ヒューズ機能を有し、所定量以上の電流が流れるとオープン故障を起こすような素子である。 （もっと読む）

【課題】力行時における電力蓄積手段の過放電あるいは回生時における電力蓄積手段の過充電を防止する。
【解決手段】
直流電源電圧（架線電圧）に電圧調整手段の出力電圧を加算してインバータ装置に印加される電圧を上昇させて、回生ブレーキ力を高めるようにした鉄道車両の駆動制御装置において、前記インバータ装置が力行動作または回生動作を開始する際には、これに先んじて予め電流制御手段を動作させておくと共に、前記インバータ装置が力行動作または回生動作を停止する際には、これに後れて前記電流制御手段を停止させることで、少なくともインバータ装置の動作期間中は、前記電流制御手段を確実に動作させることにより、前記電圧調整手段の出力電圧（電力蓄積手段に通流する電流）を前記電流制御手段により調整することにより、力行時の過放電あるいは回生時の過充電を防止する。 （もっと読む）

【課題】相対するＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴに短絡電流が流れることのないようにする。
【解決手段】電動機の駆動装置１１は、交流電源に接続されて直流電力を出力する整流回路１７と、整流回路１７の直流電力を三相交流電力に変換して電動機を駆動する三相インバータ回路２１と、三相インバータ回路２１の通電相を切り替えると共に電動機２３の駆動を制御するためのＰＷＭ信号を三相インバータ回路２１に供給する制御回路２５とを備える。三相インバータ回路２１は、寄生ダイオードを有し、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ素子よりなる上アームおよび下アームを、三相の各相についてそれぞれ備える。ＰＷＭ信号は、各相について、上アームを駆動するためのオン期間および下アームを駆動するためのオン期間が相互に重ならないようにデッドタイム期間を挟んで設定される。 （もっと読む）

【課題】インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子２２を第１モールド樹脂部２６で封止した半導体素子モジュール２１を金型５０内に配し、金型５０に設けられた流入口５４Ａから第２樹脂材料を金型５０内に流入させて行うインサート成形により第２モールド樹脂部３３が第１モールド樹脂部２６を包囲するように形成される電装ユニット１０であって、半導体素子モジュール２１は、半導体スイッチング素子２２と電気的に接続される複数の端子２３Ｂ，２４Ｂ，２５Ｂを備え、第１モールド樹脂部２６は、端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、第１モールド樹脂部２６のうち端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部２８Ａが形成されており、この先細部２８Ａは、金型５０における流入口５４Ａに対応する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来の３レベル変換回路の双方向スイッチのスナバ回路では、電圧クランプ形スナバが適用できないため、スナバ損失が大きくなること、スナバを構成するために多くのスイッチ素子が必要となることなどにより、装置が大型で、変換効率が低下する問題がある。
【解決手段】双方向スイッチをダイオードを逆並列接続した第1及び第2の半導体スイッチを直列接続した第1の半導体スイッチ直列回路と、ダイオードを逆並列接続した第３及び第４の半導体スイッチを直列接続した第２の半導体スイッチ直列回路との並列回路で構成し、前記第1及び第2の半導体スイッチ又は前記第３及び第４の半導体スイッチと並列に半導体スイッチ素子の両端電圧を直流電源電圧にクランプする電圧クランプ形スナバを接続する。 （もっと読む）