【課題】昇圧回路を流れる電流を検出する電流センサとしてコア無しのものを用いつつも、モータとインバータとを結ぶ導体を流れる電流からその電流センサへの磁気干渉を防止する。
【解決手段】バッテリと昇圧コンバータを結ぶバスバＢＣＬを、第１及び第２のインバータとモータジェネレータＭＧ１及びＭＧ２とをそれぞれ結ぶバスバーの組同士の間、すなわちＭＧ１用の最も右側のバスバーＢＷ１とＭＧ２用の最も左側のバスバーＢＵ２との間に設ける。バスバーＢＷ１及びＢＵ２には、それぞれ当該バスバーＢＷ１及びＢＵ２を流れる電流を計測するための、集磁コアＣＷ１及びＣＵ２を備えた電流センサＳＷ１及びＳＵ２が設けられている。バスバーＢＣＬのうち、集磁コアＣＷ１及びＣＵ２の間の位置に、バスバーＢＣＬを流れる電流を検出するためのコアなしの電流センサＳＣＬが設けられている。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】安全性に優れ、簡単に構成できてコストダウンが図れるパワーコンディショナを提供する。
【解決手段】発電設備２１からの発電に基づく直流出力を交流変換するインバータ１２と、インバータ１２を系統２２に接続する系統連系スイッチ１３と、インバータ１２の交流変換動作および系統連系スイッチ１３の開閉動作を制御する制御部１５と、を備え、制御部１５は、インバータ１２および系統連系スイッチ１３の制御状態、系統連系スイッチ１３の系統２２側に生じる第１の電圧、系統連系スイッチ１３のインバータ１２側に生じる第２の電圧、および、系統２２の系統電圧に関連する閾値に基づいて、系統連系スイッチ１３の故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、生産性の低下を抑制するとともに配線インダクタンスの低減を図ることである。
【解決手段】上記課題を解決するために、上アーム回路部を有する第１パッケージと、下アーム回路部を有する第２パッケージと、第１及び第２パッケージを収納するための収納空間及びその収納空間と繋がる開口を形成する金属製のケースと、前記上アーム回路部と前記下アーム回路部とを接続する中間接続導体とを備え、前記ケースは、第１放熱部と前記収納空間を介してその第１放熱部と対向する第２放熱部とを含み、前記第１パッケージは、当該第１及び第２パッケージとの配置方向が前記第１及び前記第２の放熱部とのそれぞれの対向面と平行になるように配置され、前記中間接続導体は、前記ケースの前記収納空間において前記第１パッケージから延びるエミッタ側端子と前記第２パッケージから延びるコレクタ側端子とを接続される。 （もっと読む）

【課題】複数のインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２，ＩＮＶ３を単一の基板に搭載する場合、熱によって過大な応力が加わるおそれがあること。
【解決手段】ケースＣＡ内に、電源用基板４０および変換用基板４２，４４，４６が収納されている。電源用基板４０には、インバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２，ＩＮＶ３の共通の電源装置（平滑コンデンサ１８等）が搭載されている。変換用基板４２にはインバータＩＮＶ１が搭載され、変換用基板４４にはインバータＩＮＶ２が搭載され、変換用基板４６にはインバータＩＮＶ３が搭載される。変換用基板４２，４４，４６は一列に配置され、これらは接続部材５０によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電源回路において、規定値以上の電圧が入力されても平滑化用のコンデンサの防爆弁が働かないようにする対策を安価に実現する。
【解決手段】電源回路１は、第２のスイッチング素子である接合形トランジスタ７が導通状態と非導通状態に切換えられて、第１のスイッチング素子である電界効果トランジスタ６が導通状態と非導通状態に切換えられることによって、トランス５の２次側コイル５２から所定の電圧を出力する。そして、電源回路１は、整流回路部３に規定値以上の電圧が入力されると、ヒューズ溶断回路１４の働きによって、接合形トランジスタ７が電界効果トランジスタ６を非導通状態にしようとする作用に抗して、電界効果トランジスタ６が導通状態になる。これにより、ヒューズ１３に過電流が流れて、平滑化用のコンデンサ４の防爆弁が働く前に、ヒューズ１３が溶断される。 （もっと読む）

【課題】安全処理を行うための演算処理部の数を低減することができるインバータ装置を提供する。
【解決手段】ネットワーク３を介して外部コントローラ１と通信データの送受信を行う通信機能を有する通信処理部２１と、前記通信データに基づいて電力変換器へ制御信号を出力する制御装置２４と、前記通信データによって設定される安全機能を有する安全処理部２２とを備えたインバータ装置２であって、前記安全処理部２２の安全処理機能の一部を、前記通信処理部２１を構成する演算処理部２１ｂで実行する。 （もっと読む）

【課題】デッドオフ時間中の還流電流の損失を小さくすると共に、寄生ダイオードの逆回復時間を短くすることが可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】４つの双方向スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４でブリッジ回路を構成し、互いに直列接続されていない２組のスイッチ素子Ｑ１とＱ４及びＱ２とＱ４を、デッドオフ時間ΔＴを介して交互にオン及びオフさせる。デッドオフ時間中ΔＴ、そのデッドオフ時間の直前に非導通であったスイッチ素子の組を一時的に導通させて還流電流を流す。 （もっと読む）

【課題】ハーフブリッジ回路のメインスイッチング素子が同時オンになることを確実に防止する。
【解決手段】ローサイド側の入力信号を遅延させてローサイド側遅延信号として出力する遅延回路２０と、ハイサイド側の入力信号からハイサイド側セット出力信号と予備リセット信号とを生成して出力するパルス発生回路１２と、ローサイド側の入力信号がアクティブになってからローサイド側遅延信号がアクティブになるまでの期間、又は予備リセット信号がアクティブである期間にハイサイド側リセット出力信号をアクティブにするリセット信号生成回路３０と、を備えるハーフブリッジドライバとする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置において、電界効果トランジスタのボディダイオードの結晶劣化をより確実に抑制できるようにする。
【解決手段】電力変換装置において、電界効果トランジスタ（Su,Sv,…）と該電界効果トランジスタ（Su,Sv,…）に逆並列接続された還流ダイオード（Du,Dv,…）とを設ける。電界効果トランジスタ（Su,Sv,…）と還流ダイオード（Du,Dv,…）とを接続する共通接続ノード（Nd）から還流ダイオード（Du,Dv,…）までのインピーダンスを、共通接続ノード（Nd）から電界効果トランジスタ（Su,Sv,…）のボディダイオード（Db）までのインピーダンスよりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】過大なサージ電圧から負荷や電源の絶縁劣化を防ぐことができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ２と電動機４との間にリアクトルＬｆとコンデンサＣｆとからなるフィルタ回路が存在する電動機駆動用電力変換装置において、インバータ２を構成する半導体スイッチング素子Ｓｕ〜Ｓｗ，Ｓｘ〜Ｓｚのそれぞれを、第１乃至第３のオン信号からなる制御信号でオンオフ動作させるとともに、第１と第３のオン信号が出力されている時間と、第１のオン信号が出力されてから第２のオン信号が出力されるまでの時間と、第２のオン信号がオフしてから第３のオン信号が出力されるまでの時間とを、フィルタ回路が有する共振周期Ｔの長さに正比例して変化させる。 （もっと読む）

【課題】ノイズやサージを対策しつつ、温度上昇を抑制可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電解コンデンサＣ１は、上側電源ラインと下側電源ラインの間に電気的に接続される。パワーモジュール４は、少なくともひとつのパワートランジスタを内蔵する。ゲートドライブ回路６は、少なくともひとつのパワートランジスタを駆動する。スナバ回路８は、上側電源ラインおよび下側電源ラインと電気的に接続される。第１基板２０は、その第１面Ｓ１にパワーモジュール４が実装され、その第２面Ｓ２にゲートドライブ回路６およびスナバ回路８の構成部品が実装される。第２基板２２は、その第１面Ｓ３に電解コンデンサＣ１が実装される。 （もっと読む）

【課題】ノイズやサージを対策しつつ、温度上昇を抑制可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール４は基板２０の第１面Ｓ１に実装され、ゲートドライブ回路６、複数の電解コンデンサＣ１およびスナバ回路８の構成部品は基板２０の第２面Ｓ２に実装される。複数の電解コンデンサＣ１は、基板２０の中心にクリアランス２１を有するように２つの領域２３、２５に隔てて配置される。スナバ回路の構成部品は、複数の電解コンデンサＣ１に囲まれる領域２９に配置される。 （もっと読む）

【課題】直流電源部と、所望の直流電力又は交流電力に変換して負荷に供給する出力電源部と、この直流電源部と出力電源部との接続径路に挿設される電流遮断手段とから構成されてなる好適な電力変換装置を提供する。
【解決手段】直流電源部１０では交流電源１の交流電圧を整流回路１１により整流電圧に変換して出力し、出力電源部２０では平滑コンデンサ２１により前記整流電圧が平滑され、この平滑されてなる直流電圧を入力とする電力変換回路としてのインバータ回路２２により、所望の振幅・周波数の三相交流電圧に変換して電動機３に出力する電力変換装置において、直流電源部１０の出力電圧と出力電源部２０の入力電圧とを監視する１組の電圧監視手段４０を備えることにより、感電等の危険状態を回避するため、電流遮断手段３０が遮断動作をしたときにも、直流電源部１０に交流電源１からの電圧が印加されているか否かを容易に確認することができる。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路における交流出力電圧の対地電圧がアンバランスとなることを抑制した電力変換装置を提供する。
【解決手段】対地に浮遊容量を持つ直流電源が出力する直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（太陽光発電用インバータ装置）３０において、直流電源（太陽電池パネル）１が出力する直流電圧を昇圧する昇圧チョッパ回路２と、前記昇圧チョッパ回路２から出力される直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路３と、を備え、直流電源（太陽電池パネル）１のマイナス極を接地し、昇圧チョッパ回路２のプラス極とインバータ回路２のプラス極を共通接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体積層ユニットにおける半導体モジュールのずれを防ぐと共に、半導体積層ユニットの冷却性能の低下を抑制することのできる電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力変換装置１の製造方法である。電力変換装置１は、半導体積層ユニット１０と、フレーム２と、加圧部材３とを有している。半導体積層ユニット１０は、半導体モジュール１１と冷却管１２１とを積層してなる。フレーム２は、底部２１と、前方壁部２２１及び後方壁部２２２とを有している。加圧部材３は、半導体積層ユニット１０とフレーム２の後方壁部２２２との間に配置される。電力変換装置１は、フレーム２の内側に半導体積層ユニット１０及び加圧部材３を配するにあたり、少なくとも半導体積層ユニット１０に対し加圧部材３の加圧力を付与し始める加圧力付与開始時点においては、加圧部材３の加圧方向を底部２１に向かって傾斜させてある。 （もっと読む）

【課題】故障の範囲を抑制することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置は、Ｕ相ユニット２Ｕが３レベル変換回路として動作するように、メイン素子Ｑ１，Ｑ４およびＡＣスイッチ素子Ｑ２，Ｑ３を制御する制御回路１０を備える。制御回路１０は、ＡＣスイッチ素子Ｑ２，Ｑ３の少なくとも１つが故障したことを検出して、メイン素子Ｑ１，Ｑ４およびＡＣスイッチ素子Ｑ２，Ｑ３をオフする。ＡＣスイッチ素子Ｑ２またはＱ３が故障したまま、Ｕ相ユニット２Ｕの動作が継続された場合、２レベル動作によって、サージ電圧が大きくなる。このためメイン素子Ｑ１またはＱ４が損傷する可能性がある。すべての相のＡＣスイッチ素子およびメイン素子をオフすることで電力変換装置が停止されるため、故障が拡大するのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】外部機器との間で行われる半二重通信における通信データのコリジョンの発生を容易に且つ効果的に防止する。
【解決手段】インバータ装置は、制御手段、送信用データを差動信号に変換する送信信号変換手段、差動信号を受信用データ、観測用データに変換する受信信号変換手段、観測信号変換手段などを備えている。制御手段は、待機手段、検出手段、待ち時間設定手段などを備えている。待機手段は、送信用データの送信が指令される第１時点から待ち時間だけ送信用データの出力を待機する。検出手段は、送信用データおよび観測用データの比較によりコリジョンを検出する。待ち時間設定手段は、送信用データの送信後、コリジョンが検出されると、コリジョンが検出された第２時点より前であり且つ送信信号変換手段が出力可能な状態となる時点以降の第３時点から、コリジョンが検出されなくなる第４時点までの時間を待ち時間として設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を確保するとともに、配線基板を小型化できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】高電位側のＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃは配線基板１６に列状に実装される。低電位側のＩＧＢＴ１１０ｄ〜１１０ｆ、１００ｄ、１０１ｄ〜１０１ｆはＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃに並列して配線基板１６に列状に実装される。冷却管１７０はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃ、１１０ｄ〜１１０ｆ、１００ｄ、１０１ｄ〜１０１ｆの間に配置され、これらを一体的に固定する。配線基板１６はＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃの間に延在する第１スリット１６０を有する。第１スリット１６０の空隙層でＩＧＢＴ１１０ａ〜１１０ｃ、１００ｃ、１０１ａ〜１０１ｃ間の絶縁性を確保できる。そのため、ＩＧＢＴ間の距離を短くでき配線基板を小型化できる。 （もっと読む）