【課題】付加する起動回路を小面積とし、高電源電圧でも低消費電流を実現した定電流回路を提供すること。
【解決手段】ＰＮＰ型のトランジスタＱ１，Ｑ２からなる第１のカレントミラー回路と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ１からなる第２のカレントミラー回路より構成された起動回路において、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ５とＮ型のＪＦＥＴトランジスタＪ１からなる起動回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で電源電圧の状態に関係なく安定した動作を確保することができる起動回路を提供する。
【解決手段】本発明は、低電源電位を基準として動作するバイアス回路の電流源（電源電圧ＶＥ）と並列に配置されて起動電流を流すためのＰチャネルトランジスタＭＰ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと高電位電源との間に配置された第１のスイッチＳ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと低電位電源との間に直列に配置された抵抗Ｒ３と第２のスイッチＳ２と、を備え、第１のスイッチＳ１は定電流源のバイアス電圧でオン／オフし、第２のスイッチＳ２はシステム電源の起動に関する電源起動信号でオン／オフする。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプの小型化や薄型化（延いては、ＬＥＤに電力供給を行う電源モジュールの小型化や薄型化）を実現する。
【解決手段】駆動電流生成回路２５は、変動電圧Ｖａを基準として動作する半導体装置Ｘと、半導体装置Ｘの指示に基づいてＬＥＤモジュール１０の駆動電流ＩＬＥＤを生成する駆動電流生成部Ｙと、接地電圧を基準とした第１調光電圧Ｖｄ１から変動電圧Ｖａを基準とした第２調光電圧Ｖｄ２を生成する調光電圧変換部Ｚと、を有し、半導体装置Ｘは、第２調光電圧Ｖｄ２に基づいて駆動電流生成部Ｙの駆動制御を行う。 （もっと読む）

【課題】次段回路で基準電圧として用いられる定電圧を生成する基準電圧回路について、ツェナーダイオードの製造ばらつき等が出力定電圧の温度特性に及ぼす影響を低減する。また、当該出力定電圧の温度特性の平坦性を向上する。また、回路規模の増大を抑制しつつ優れた起動性、応答性および安定性を実現する。
【解決手段】分圧回路３３２は直列接続されたダイオード３０４，３０６，３０８に対して並列的に設けられている。分圧回路３３２の低電位側接続点ｙの電圧は正の温度特性を示し、分圧回路３３２の高電位側接続点ｘの電圧は負の温度特性を示す。分圧点ｚにおける定電圧Ｖ０が平坦な温度特性を持つように分圧抵抗３１６，３１８の抵抗値が設定されている。分圧回路３３２の分圧点ｚは、フィードバックループに接続されることなく次段回路へ接続されることにより、次段回路へ定電圧Ｖ０を出力する。 （もっと読む）

【課題】 １つのトリミング抵抗により出力電流の増加方向と減少方向の両方向の調整が可能な定電流回路を提供する。
【解決手段】 トリミング抵抗ＴＲ１１と抵抗Ｒ１１の電圧降下をトランジスタ対Ｑ１４、Ｑ１５により比較し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より小さい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流のみを流し、トリミング抵抗ＴＲ１１の電圧降下が抵抗Ｒ１１より大きい場合は、トランジスタＱ１１にトリミング抵抗に流れる電流に加えて、トランジスタＱ１７から電流を供給する。この回路構成により、トリミング抵抗の抵抗値の増加に従い、出力電流Ｉｏｕｔが減少した後、増加する特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】所望のフの字特性を得ることが可能な電流制限回路及び電源回路を提供することを目的としている。
【解決手段】出力電圧に応じた検出電圧を検出する検出回路と、前記検出電圧に応じた制御電流を生成する制御電流生成回路と、前記検出電圧を検出するための第一のトランジスタと、前記第一のトランジスタと接続されており、前記出力電流の制限のオン／オフを制御するための第二のトランジスタと、前記第二のトランジスタのベースとエミッタとの間に接続されており、前記第二のトランジスタのベースの電位を所定値より大きくするための抵抗と、を有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を使用せずナノアンペアレベルの電流で動作可能なＢＧＲ回路及びサブＢＧＲ回路を提供する。
【解決手段】電流源回路１０は所定の電流を発生し、電圧発生回路２０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を含み、電流源回路１０からの電流に基づいて、半導体素子のバンドギャップ電圧に基づいた負の温度特性を有するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥを出力し、温度特性制御回路３０は、電流源回路１０からの電流に基づいてベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥの負の温度特性を実質的に相殺する正の温度特性を有する電圧Ｖ_ＧＧを発生し、ベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥに電圧Ｖ_ＧＧを加算して出力電圧Ｖ_ＲＥＦ１を出力する。 （もっと読む）

【課題】充電電流の温度依存性が小さい低コストの充電用定電流回路と、その充電用定電流回路を用いた過充電防止機能を備えた充電装置を提供する。
【解決手段】ベースとエミッタとコレクタとベースとがそれぞれ接続される同極性の第１のトランジスタと第２のトランジスタと、第１のトランジスタのベースに一端を順方向に接続するダイオードと、ダイオードの他端と当該第１のトランジスタのエミッタとの間に直列に接続される第１の抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタと第２のトランジスタのベースとの接続点に一端を接続する第２の抵抗素子と、を備え、第１のトランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度変化をダイオードの温度変化で打ち消す。 （もっと読む）

【課題】トリミングデータによって調整可能な基準電圧発生回路を備えた半導体装置において、電源が立上がるまでの基準電圧のばらつきの影響を受けないようにする。
【解決手段】半導体装置１０において、基準電圧生成部１は、外部電源電圧ＶＣＣに基づいて、トリミングデータＴＲＭ１に応じて調整された第１の基準電圧Ｖ１＊およびこのトリミングデータＴＲＭ１に依存しない第２の基準電圧Ｖ２を生成する。不揮発性メモリ３は、第１の基準電圧Ｖ１＊に基づく電圧によって動作し、上記のトリミングデータＴＲＭ１を記憶する。パワーオンリセット回路５は、電源立上げ時に外部電源電圧ＶＣＣが第２の基準電圧Ｖ２の定数倍に達したときにリセット信号の論理レベルを切替える。制御回路６は、リセット信号の論理レベルの切替に応答して、不揮発性メモリ３に記憶された上記のトリミングデータＴＲＭ１を基準電圧生成部１に読込ませる。 （もっと読む）

【課題】制御端子に印加される制御信号に応答して負荷電流を供給するように構成される一次ワイドバンドギャップバイポーラパワースイッチングデバイスおよび制御信号を生成するように構成されるドライバデバイスを含む電子回路を提供する。
【解決手段】一次スイッチングデバイスあるいはドライバデバイスのうち少なくとも１つが、光学的に起動するスイッチングデバイスを含むことができる。個別ワイドバンドギャップ半導体デバイスが、制御電流の印加で伝導状態と不伝導状態との間を切替えるように構成される一次バイポーラデバイス段、および制御電流を生成し、かつ一次バイポーラデバイス段に制御電流を供給するように構成されるバイポーラドライバ段を含む。一次バイポーラデバイス段およびバイポーラドライバ段のうち少なくとも１つが、光学的に起動するワイドバンドギャップスイッチングデバイスを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】回路の占有面積の増加および複雑な回路構成をきたすことなく、オフセットの影響を低減して基準電圧を目標値に近づけることのできる基準電圧回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１および第２入力端子を有し、基準電圧VBGRを出力する第１増幅器AMPBM1と、第１負荷素子R1および第１ｐｎ接合素子Q1と、第２および第３負荷素子R2,R3並びに第２ｐｎ接合素子Q2と、を有し、さらに、前記第１増幅器に接続され、第３および第４入力端子を有する第２増幅器AMPBS1と、前記第２増幅器の前記第３および第４入力端子に入力する電圧SELB0,SELA0を発生し、前記第２増幅器を介して前記第１増幅器の前記第１および第２入力端子間のオフセット電圧を低減するオフセット調整電圧発生回路VTRIMG1と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を改善した基準電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧回路１００は、電源端子と接地端子の間に順に直列にスタックされた電流源３０、第１バンドギャップリファレンス回路１０および第２バンドギャップリファレンス回路２０を備える。第１バンドギャップリファレンス回路１０と第２バンドギャップリファレンス回路２０はそれぞれ、互いに反対の温度係数を有する第１基準電圧Ｖｒｅｆ１、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を生成するよう構成される。基準電圧回路１００は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の和電圧Ｖｒｅｆ（＝Ｖｒｅｆ１＋Ｖｒｅｆ２）を出力する。 （もっと読む）

【課題】１次の温度依存性だけではなく、２次以上の温度依存性を補正することにより、高精度のクロック信号を生成する。
【解決手段】シリコンのｐ−ｎ接合ダイオードの順方向電圧Ｖｂｅ０が負の１次温度係数をもつこと、電流密度の異なるｐ−ｎ接合ダイオードの順方向電圧の差（Ｖｐｔａｔ＝Ｖｂｅｎ−Ｖｂｅ０）が正の１次温度係数をもつことを利用し、正の１次の温度係数をもった電流Ｉｐｔａｔと１次の温度係数が小さい電流Ｉ０を生成させ、抵抗Ｒ１０とバイポーラのトランジスタＱ１０〜Ｑ１３からなる電流生成部に、電流Ｉ０，Ｉｐｔａｔを加算および減算することにより、正の２次温度係数をもった電流Ｉｐｔａｔ２を生成し、これを用いて正の２次温度係数をもった基準電圧を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズに対して安定に基準電圧を生成することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】基準電圧発生回路が、ノードＮ_１とノードＮ_２の電位差が０になるようにフィードバックを行う演算増幅器ＡＭＰと、演算増幅器ＡＭＰの出力とノードＮ_１、Ｎ_２の間に接続された抵抗素子Ｒ_１１、Ｒ_２１と、ノードＮ_１、Ｎ_２と接地端子の間に接続されたダイオード接続のバイポーラトランジスタＱ_１、Ｑ_２と、バイポーラトランジスタＱ_１のエミッタとノードＮ_１との間に接続された抵抗素子Ｒ_１２と、バイポーラトランジスタＱ_２のエミッタとノードＮ_２との間に接続された抵抗素子Ｒ_２０、Ｒ_２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の内部電圧生成回路に供給されるグランド電圧の変動による影響を抑制すること。
【解決手段】内部回路は、内部電圧生成回路によって生成される内部電圧に基づいて動作する。また、内部電圧生成回路及び内部回路は、グランド配線を介してグランドに接続される。内部電圧生成回路は、内部電圧が出力される出力端子と、グランド配線に接続されるグランド端子と、電圧が基準電圧に応じた値に制御される中間ノードと、出力端子と中間ノードとの間に接続された第１抵抗部と、中間ノードとグランド端子との間に接続された第２抵抗部と、第１抵抗部の抵抗値Ｒ１と第２抵抗部の抵抗値Ｒ２の比率Ｒ１／Ｒ２を切り換えるスイッチ部と、を備える。スイッチ部は、内部回路が動作する時の比率を、内部回路が動作を停止している時の比率よりも大きくする。 （もっと読む）