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Fターム[5H740BA12]の内容

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Fターム[5H740BA12]に分類される特許

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【課題】スイッチング時に生じる電力損失を低減することが可能な半導体素子駆動装置及び電圧変換装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】並列接続された複数の半導体素子を含むスイッチング手段21と、前記複数の半導体素子を駆動する駆動手段30と、前記駆動手段30を制御する制御手段40と、を有する半導体素子駆動装置であって、前記制御手段40は、前記スイッチング手段21の出力する電流値を監視する電流値監視手段44と、前記駆動手段30の駆動状態を監視する駆動状態監視手段43と、前記スイッチング手段21及び前記駆動手段30の電気特性に関する情報を記憶する情報記憶手段42と、前記電流値監視手段44の監視する前記電流値、前記駆動状態監視手段43の監視する前記駆動状態、及び、前記情報記憶手段42の記憶する前記情報に基いて、前記複数の半導体素子のうちの一部を停止する半導体素子停止手段41と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタTrのゲート電圧VGを駆動するものであって、ゲート電圧VG(図1ではゲート電圧VGの分圧電圧Va)と所定の閾値電圧Vbとの高低関係を検出する電圧検出回路41と、電圧検出回路41の検出結果に基づいて出力トランジスタTrのゲートと電源電圧VCCの印加端との間を導通/遮断するスイッチ51と、を有して成る構成とされている。 (もっと読む)


【課題】過電圧保護回路を介して突入電流が流れるのを防止する。
【解決手段】過電圧保護回路は、外部入力端子と外部出力端子を有し、外部入力端子に入力される入力電圧が所定のしきい値電圧を超えると、外部入力端子と外部出力端子のスイッチトランジスタをオフする。チャージポンプ回路10は、入力電圧Vdcを昇圧し、スイッチトランジスタのゲートに出力する。ソフトスタート抵抗R20は第2入力端子Pi2から出力キャパシタCoにフライングキャパシタCf1、Cf2を介さず至る経路上に設けられる。バイパススイッチSW20はソフトスタート抵抗R20と並列に設けられる。昇圧動作の開始に先立ち、スイッチSW1、SW4、SW7を所定時間オンし、バイパススイッチSW20をオフする。その後、バイパススイッチSW20をオンし、チャージポンプ動作を開始する。 (もっと読む)


【課題】ゲート用電源の構成を改善し、インバータ等を構成する複数の半導体スイッチのスイッチング周波数とスイッチング電圧を向上できる高周波交流電源装置を提供する。
【解決手段】直流電圧を高速でスイッチングする複数の半導体スイッチ20と、これらの半導体スイッチをそれぞれ駆動する複数のゲートドライブ回路19と、これらのゲートドライブ回路に整流回路27を介してそれぞれ駆動用電力を供給するゲート用電源7とで構成された高周波交流電源装置において、ゲート用電源7は、少なくとも閉じた磁路を形成する複数のトランスコア18、これらのトランスコアを貫通する共通の1次巻線16、及びこの1次巻線と空間距離を設けてトランスコアに巻回され、各ゲートドライブ回路にそれぞれ接続された複数の2次巻線17とを有する複数のトランス15と、直流電圧をスイッチングし、共通の1次巻線に交流電圧を供給するトランスドライブ回路14とを備えた。 (もっと読む)


【課題】アームを、異なる絶縁基板において並列接続されたスイッチング素子にて構成した場合における、各絶縁基板を通して流す電流の均等化を図ることができるインバータモジュールを提供する。
【解決手段】セラミック配線板21aにおけるスイッチング素子Q3aとセラミック配線板21bにおけるスイッチング素子Q3bの共通のドレイン用配線パターン同士が、正極用配線部材27におけるスイッチング素子Q3aの通電経路に形成されるインダクタンスL1、および、正極用配線部材27におけるスイッチング素子Q3bの通電経路に形成されるインダクタンスL2よりも小さなインダクタンスL5を有するボンディングワイヤ43により接続されている。 (もっと読む)


【課題】ハイサイド,ロウサイドの駆動用トランジスタを備える場合、タイマ等の回路を付加することなく双方のトランジスタの熱的負担を均等化する負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドのFET4を発熱源として、ロウサイド電流制御部を構成する抵抗素子6と、トランジスタTr3,Tr4とに対して付与される温度勾配が異なるように各素子を配置して、ロウサイド電流制御部がFETをフルオン制御した後に定電流制御に、ハイサイド電流制御部がFET4を定電流制御した後にフルオン制御に移行させる。具体的には、FET4の形成領域に対してロウサイド電流制御回路の抵抗素子6を近接側に配置し、カレントミラー回路を構成するトランジスタTr3,Tr4を上記形成領域の遠隔側に配置する。 (もっと読む)


【課題】回路構成の簡素化又は制御回路で行われる演算処理の簡素化が図られたスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子駆動回路110では、マイコン111に内蔵された中央演算処理回路CPU又はメモリ回路Me等によって演算処理を行う。このとき、中央演算処理回路CPUで、スイッチング素子120の温度情報に関係する認識値を抽出し、かかる認識値の結果に応じてPWM信号の出力制御を行う。メモリ回路Meには、マップ化された情報群が記録されている。かかる情報群は、電流値情報と電圧値情報と温度情報の認識値との組合せが複数パターン記録され、マイコン111では、温度情報の認識値を認識することにより、スイッチング素子120の現在温度が危険温度か安全温度であるかの判別を行う。 (もっと読む)


【課題】ノイズの影響を抑制したい周波数帯域を変更しても迅速にノイズレベルを低減することができる電力変換装置の制御装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置2の制御装置1は、電力変換装置のスイッチング素子を開閉するための制御信号の周波数であるキャリア周波数を時間と共に変化させるキャリア周波数可変部9と、キャリア周波数の高調波に対応する所望周波数帯域を決定し、該帯域をキャリア周波数可変部9へ指令するEMI抑制帯域決定部11とを備える。キャリア周波数可変部9は、複数の所望周波数帯域に基づいてそれぞれ選択されたキャリア周波数値の集合であるキャリア周波数群を複数有し、EMI抑制帯域決定部11が指令した帯域に対応したキャリア周波数群を選択し、選択したキャリア周波数群の平均値又は中央値の周波数以下の周波数を該キャリア周波数群の中から選択して使用開始する。 (もっと読む)


【課題】MOSゲート付き電力デバイスを駆動するための集積回路ゲートドライバを提供する。
【解決手段】半及び全ブリッジ電力コンバータトポロジーに対して高側及び低側スイッチングデバイスを駆動するための絶縁ゲートドライバ回路の実施形態が開示される。ここに開示する回路は、充分なデッドタイムを与え、広範囲のデューティサイクルにわたって動作し、そして単一の電源(Vcc)しか必要としない。この回路の典型的な用途は、高電圧DCレールにより付勢される冷陰極蛍光ランプ(CCFL)インバータを含む。 (もっと読む)


【課題】スイッチングに伴う電流損失が小さいDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータ1において、高電位電源配線PHと低電位電源配線PLとの間にハイサイド・パワートランジスタQ1及びローサイド・パワートランジスタQ2を直列に接続する。また、接続点LXと出力端子Toutとの間にLCフィルタ15を接続する。そして、ハイサイド・パワートランジスタQ1のゲートに印加される電位の範囲及びローサイド・パワートランジスタQ2のゲートに印加される電位の範囲を、ハイサイド・パワートランジスタQ1及びローサイド・パワートランジスタQ2からなる回路の両端に印加される電位間の範囲(Vin1〜GND)の内側に設定する。 (もっと読む)


【課題】プリドライバ回路のトランジスタサイズを小さくしてICのチップエリア占有面積を小さくすること可能である上に、出力回路のスイッチング素子の駆動の高速化を図ることが可能な半導体装置の提供。
【解決手段】この発明は、少なくともMOSトランジスタQN1、QN2を直列接続してなる出力回路2と、MOSトランジスタQN1を駆動するプリドライバ回路3Aと、を備えている。プリドライバ回路3Aは、MOSトランジスタQN1を駆動する低耐圧トランジスタであるMOSトランジスタQN36を含み、このMOSトランジスタQN36は半導体基板と分離層を介して形成するようにした。 (もっと読む)


【課題】 スイッチング素子を具えた電力変換装置において、電力変換装置の大出力時であっても正確にスイッチング素子の状態を判断する技術を提案する。
【解決手段】 スイッチング素子動作手段20は、スイッチング素子41の制御端子411にゲート信号を出力するスイッチング素子駆動回路202と、スイッチング素子41がオフからオンへ動作してパルス状電圧を生成する際の制御端子411の電圧平行期間の電圧の大小に基づきスイッチング素子41の状態を判断するスイッチング素子状態判断手段203を具える。 (もっと読む)


【課題】PFCコントローラを用いた電源装置の軽負荷時における効率を大幅に向上させる。
【解決手段】PFCコントローラ10には、電圧/電流変換部17が設けられている。電圧/電流変換部17は、出力電圧の電圧レベルを検出する誤差増幅器11から出力された信号の電圧を任意の電流値に変換し、補正電流として出力する。電圧/電流変換部17は、誤差増幅器11が軽負荷時と検出した際に大きな電流値の補正電流を出力し、PFCコントローラ10が出力電圧を下げる制御を行う。 (もっと読む)


【課題】駆動トランスに発生するリンギングに起因して生じる主発振素子の誤動作を、簡単な回路構成で、大きな損失を伴うことなく防止可能なスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】入力電圧をオン・オフして交流電圧を発生させる主発振素子Q1,Q1と、所定のパルス幅変調された制御パルスを生成する制御パルス生成部16を有する。制御パルスと同位相の駆動パルスを出力して、主発振素子Q1,Q2を駆動する駆動回路18を備える。駆動回路18は、駆動トランスT2の1次側巻線に交流電圧を発生させる主スイッチ素子Q3を有する。駆動トランスT2の2次側巻線に接続され、主スイッチ素子Q3のオン・オフによって、主発振素子Q1,Q2を駆動する駆動パルスを出力する主発振素子駆動部26a,26bを備える。主スイッチ素子Q3がオフの期間中に、駆動トランスT2の1次側巻線における正方向の電圧発生を抑制する巻線クランプ部24を備える。 (もっと読む)


【課題】リカバリ電流に起因するサージを抑制することが困難なこと。
【解決手段】パワースイッチング素子Swのゲートには、抵抗体42、コイル34及びコンデンサ36の並列回路、及びコイル38aを介して駆動IC32の電圧が印加される。駆動IC32によって電圧が印加されると、ゲート電圧は、コイル34,38aと寄生キャパシタ40との共振現象によって上昇、低下、上昇の3ステップを有して変動する。ここで、ゲート電圧の低下期間と、リカバリ電流の減少期間とを同期させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高速ターンオフが可能なスイッチング素子の高速な電流遮断に伴い発生するスイッチングノイズを確実に低減するとともに、スイッチング素子の駆動回路系を安定に動作させることができる半導体素子の駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子QのゲートにダイオードDrのカソードを接続し、前記半導体素子のソースに前記ダイオードのアノードを接続するとともに、
前記ゲートと前記カソードとの間又は前記ソースと前記アノードとの間に抵抗Rrが挿入接続されたフィードバック回路10を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】定電圧発生回路に対して供給される電源電圧に変動があった場合でも、所定の差分を有する電圧を精度よく発生させる定電圧発生回路、および、その定電圧発生回路を備えたA/D変換回路を提供する。
【解決手段】第1入力端子11、第2入力端子12、第1出力端子21、第2出力端子22および入力コモン端子13を備えた全差動型OPアンプ50と、電源VDDとグランドとの間に直列接続された抵抗R2、抵抗R3および定電流源10と、電源VDDとグランドとの間に直列接続された抵抗R1,R1とを備える。抵抗R2の両端子は、第1入力端子11および第2入力端子12にそれぞれ接続され、抵抗R1,R1の接続点は、入力コモン端子13に接続されている。 (もっと読む)


【課題】誤動作なく負荷の異常時にスイッチ素子をオフできると共に、異常発生時に制御信号を止めることができる。
【解決手段】MOS−FET2のドレイン電圧を検出し、MOS−FET2のドレイン電圧に異常があると、保護トランジスタ3をオンさせて、MOS−FET2を遮断し、負荷1への電源の供給を遮断する。負荷1とMOS−FET2との接続点の出力を検出値としてフィードバック端子18から取り込み、検出値に応じて、制御出力端子6からの制御信号の出力を制御することで、短絡時や断線時に、制御信号を止めることができる。ダイオード7と抵抗8との接続点の検出出力を、抵抗8、コンデンサ15からなる時定数回路を介して、保護トランジスタ3のベースに供給することで、誤動作が防止できる。 (もっと読む)


【課題】負荷が待機状態のときに、負荷駆動装置に駆動電源を供給する電源供給回路などを低消費電力で駆動制御するのに好適な駆動信号供給制御用半導体装置を提供する。
【解決手段】モータ駆動装置1を、制御回路10と、駆動信号供給制御回路20と、電源供給回路30と、トランジスタ駆動回路40と、電流検出回路60とを含んだ構成とし、駆動信号供給制御回路20において、設定された供給モードに応じて電源供給回路30を構成するDC/DCコンバータ31及びLDO32と、電流検出回路60とに供給する駆動信号(バイアス電圧信号、昇圧クロック信号)の供給制御をそれぞれに対して独立に行う。バイアス電圧の供給制御は、バイアス電圧選択回路34〜36においてバイアス電圧を生成するバイアス電流信号を制御することで行ない、昇圧クロック信号については、モードに応じた供給のオン・オフ及び低周波数での供給を制御することで行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、コストの低減や信頼性の向上を実現することが可能なスイッチ制御装置、及び、これを用いたモータ駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るスイッチ制御装置1は、入力信号INに基づいてスイッチ制御信号を生成するコントローラが集積化された第1半導体チップ10と、前記スイッチ制御信号に基づいてスイッチNUの駆動制御を行うドライバが集積化された第2半導体チップ20と、第1半導体チップ10と第2半導体チップ20との間を直流的に絶縁しながら前記スイッチ制御信号などの受け渡しを行う直流絶縁素子が集積化された第3半導体チップ30と、を一のパッケージに封止して成る構成とされている。 (もっと読む)


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