【課題】２つのスイッチング素子が直列に接続された上下アームを並列に接続してなる主回路と、該各スイッチング素子を駆動させるためのゲート駆動回路と、を備えた電力変換装置において、上アームのスイッチング素子におけるゲート駆動回路の電源を構成するコンデンサに対し、急速充電及び放電を抑制できるような構成を得る。
【解決手段】交流電源（2）によって充電されたコンデンサ（21）と、上アームのスイッチング素子（Su,Sv,Sw）と、そのゲート駆動回路（20）に対し、該スイッチング素子（Su,Sv,Sw）のソース側よりも低い電圧を供給可能な上アーム用コンデンサ（23）と、によって充電回路（24）を構成する。制御用電源回路（40）が交流電源（2）に接続され状態で且つインバータ回路（13）側に電力が供給されていない状態で、上記スイッチング素子（Su,Sv,Sw）をオンオフ動作させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のドライブ回路にパルストランスが用いられるインバータ回路において、パルストランスの小型化を図る。
【解決手段】スイッチング素子には、ドライブ回路からパルストランスを介して駆動電圧が供給される。スイッチング素子がＪＦＥＴで構成されることにより、駆動電圧が小さくなり、パルストランスの小型化が図られる。 （もっと読む）

【課題】トランス自体をシールドせずに輻射ノイズを低減させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１１は、トランス１２の２次巻線１４に中間タップ１４ａが設けられ、中間タップ１４ａの端子部１４ｂがＬＣフィルタ回路１６を介してプラス側出力端子１７ａに接続され、２次巻線１４の両端子２０ａ，２０ｂがそれぞれ異なる整流用素子２１ａ，２１ｂを介してマイナス側出力端子１７ｂに接続されている。トランス１２は、２次巻線１４の両端子２０ａ，２０ｂが隣り合う位置となるように構成されている。トランス１２、ＬＣフィルタ回路１６及び整流用素子２１ａ，２１ｂは、ＧＮＤとして機能するヒートシンク上に絶縁層を介して実装されている。整流用素子２１ａ，２１ｂとしてスイッチング素子が使用されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの使用によってチップ面積の実質的節約と電流検出精度の向上を図るため、基準端子と検出端子の間のボンディングワイヤによって構成される抵抗を用いて電流を検出する電流検出装置を提供する。
【解決手段】電流検出回路、電圧調整電源回路、およびパッケージキャリアを有する電流検出装置を開示する。電流検出回路は、基準端子と検出端子を有する。電圧調整電源回路は出力電圧を生成するために用いられ、電流を伝達するための電流伝達端子を有する。パッケージキャリアは、電流検出回路、電圧調整電源回路、基準パッド、および電流伝達パッドを保持するために用いられる。パッケージキャリアは、少なくとも１本の共通電圧リードを有する。電流伝達パッドは少なくとも１本のボンディングワイヤを介して基準パッドに結合され、等価抵抗が電流伝達パッドと基準パッドの間の結合経路上に構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】電磁気学に忠実でありながら設計が容易な、1MHzを超える繰り返し周波数においても電力変換効率が高く電磁適合性に優れたスイッチングモード電力変換装置を提供する。
【解決手段】 スイッチングモード電力変換装置の設計に孤立電磁波コンセプトを適用する。降圧型コンバータにおいてMOS FET６４の受電側に損失線路６０、送電側に損失線路６３が接続され、損失線路６０と直流電源４間に低インピーダンス損失線路５５が接続され、損失線路６３の負荷側にリアクトル７４が接続される。MOS FET６４が励起した孤立電磁波は損失線路６０、６３上で大幅に減衰するが、リアクトル７４にはMOS
FET６４の上昇時間で直流電源電圧が印加され降圧型コンバータは正常に機能する。孤立電磁波はさらに低インピーダンス損失線路５５中でも減衰するので、降圧型コンバータからの不要電磁波は実用上完全に抑圧される。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドＦＥＴスイッチとローサイドＦＥＴスイッチを備えたハーフブリッジ回路において、ゲート容量によるエネルギーロスを低減する。
【解決手段】ハーフブリッジ回路１０は、直列接続されたハイサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ１及びローサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ２と、両ＦＥＴスイッチの各ゲート容量を充放電して交互にオンオフするためのハーフブリッジドライバ１２とを備え、両ＦＥＴスイッチの接続点１１１に出力を発生する。ハーフブリッジドライバ１２は、一方のＦＥＴ１がターンオフするとき、ＦＥＴ１のゲート容量に充電されている電荷を、トランスＴＲ３を介して、ターンオンする他方のＦＥＴ２のゲート容量に回生する。これにより、ゲート容量によるエネルギーロスが低減され、ＦＥＴスイッチのスイッチング周波数が高周波であっても、発熱が防止され高効率となる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドＦＥＴスイッチとローサイドＦＥＴスイッチを備えたハーフブリッジ回路において、ゲート容量によるエネルギーロスを低減する。
【解決手段】ハーフブリッジ回路１０は、直列接続されたハイサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ１及びローサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ２と、両ＦＥＴスイッチの各ゲート容量を充放電して交互にオンオフするためのハーフブリッジドライバ１２とを備え、両ＦＥＴスイッチの接続点１１１に出力を発生する。ハーフブリッジドライバ１２は、ＦＥＴスイッチのゲート容量を充電するための電源ＶＧと、ＦＥＴスイッチがターンオフするとき、そのＦＥＴスイッチのゲート容量に充電されている電荷を放電し、そのエネルギーを電源ＶＧに回生するためのトランスＴＲ２、ＴＲ３とを備えた。これにより、ゲート容量によるエネルギーロスが低減され、ＦＥＴスイッチのスイッチング周波数が高周波であっても、発熱が防止され高効率となる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧回路および絶縁デバイスを追加せずに、簡素で低コストで小形な回路でデッドタイムを補償電力変換装置とデッドタイム補償方法を提供する。
【解決手段】第１スイッチング素子と第２スイッチング素子を交互に駆動するＰＷＭ信号にオンディレイ時間を設けて第１ゲート信号と第２ゲート信号を生成するゲート信号生成部（２６）と、第１スイッチング素子を駆動する第１ゲートドライブ（２３）と、第２スイッチング素子を駆動する第２ゲートドライブ（２４）と、を備えた電力変換装置において、第２スイッチング素子のゲート電圧に基づいて、第２スイッチング素子がオフしてから第１スイッチング素子がオンするまでの第１デッドタイムと、第１スイッチング素子がオフしてから第２スイッチング素子がオンするまでの第２デッドタイムを生成するデッドタイム生成部（２５）を備え、ゲート信号生成部は、第１デッドタイムと第２デッドタイムに基づいて第１スイッチング素子のオンディレイ時間、および第２スイッチング素子のオンディレイ時間を可変する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の種類によらず半導体素子を確実に保護することが可能な半導体素子駆動回路を提供する。
【解決手段】このＩＧＢＴ駆動回路では、ＩＧＢＴ１のゲート−補助エミッタ間にトランジスタ６を接続し、ＩＧＢＴ１の主電流Ｉが所定値Ｉ１を超えたことに応じてトランジスタ６を導通させ、その所定時間Ｔｄ１経過後に制御信号ＶＣを「Ｌ」レベルにし、トランジスタ６を非導通にするとともにＩＧＢＴ１のゲートの電荷を抵抗素子２０およびトランジスタ１７を介して放電させる。したがって、ＩＧＢＴ１のコレクタに発生するサージ電圧ＶＳを小さく抑制できる。 （もっと読む）

【課題】並列接続されたスイッチング素子に均等に損失と発熱を分散させることができるスイッチング素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】各スイッチング素子（５−１，５−２）の内の第１のスイッチング素子のオフタイミングと残る第２のスイッチング素子のオフタイミングとがずれるように第１、第２のスイッチング素子（５−１，５−２）を駆動する。この駆動方法では、第１のスイッチング素子が第２のスイッチング素子よりも早くオフする状態と、第２のスイッチング素子が第１のスイッチング素子よりも早くオフする状態と、が所定周期ごとに交互に実現される。 （もっと読む）

【課題】コンバータ等に適用される半導体デバイスとして２つのゲート端子を有する双方向デバイスを適用した場合に、誘導負荷からの還流電流を通流する制御をおこないかつ制御の簡素化、および低コスト化を実現させる。
【解決手段】第一ゲート端子２、第二ゲート端子３、ドレイン端子４、ソース端子５を備え、第一ゲート端子２、第二ゲート端子３を各オンオフすることで４つの動作モードを有する双方向スイッチ１に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子２あるいは第二ゲート端子３の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ２つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストにコンバータ回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】インバータ等に適用される半導体デバイスは、寄生ダイオードにより誘導負荷からの還流電流を通流する場合、ダイオードの順方向電圧による損失が大きくなることが懸念され、また双方向デバイスを適用した場合には、２つのゲート端子を駆動する必要があり、制御の複雑化、かつ高コストになるという課題があった。
【解決手段】第一ゲート端子２、第二ゲート端子３、ドレイン端子４、ソース端子５を備え、第一ゲート端子２、第二ゲート端子３を各オンオフすることで４つの動作モードを有する双方向スイッチ１に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子２あるいは第二ゲート端子３の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ２つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストに実現することができる。 （もっと読む）

【課題】過電流の検出閾値に満たないレベルの電流が流れ続けた場合にも、保護動作を行うことができる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】通電停止手段は、正常範囲にある通電電流に応じた検出電流と、閾値電流Ｉ１とが流入，流出する検出点において、検出電流が増加することでソース電流とシンク電流とのバランスが通常動作時の安定状態から許容範囲を超えて変化すると、ＦＥＴ２による通電を停止させる。この場合、検出点に直接コレクタが接続されるトランジスタ７を発熱源２０の遠隔に配置し、定電流減８を発熱源２０に近接させて配置して、発熱に応じて閾値電流を減少させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣＤＣコンバータＣＶのトランス２０の１次側コイル２０ａ及び２次側コイル２０ｂ間の寄生キャパシタｃｐ３、パルストランスＰＴの１次側コイル及び２次側コイル間の寄生キャパシタｃｐ１、ｃｐ２、及びグランドラインＧＬを備えるループ回路にコモンモード電流が流れること。
【解決手段】パルストランスＰＴの１次側の中点タップｍｔを、コンデンサ５０を介して、ＹコンデンサＣＹ２の接続点に接続した。これにより、パルストランスＰＴの寄生キャパシタｃｐ１、ｃｐ２、及びＹコンデンサＣＹ２のいずれか一方を備えるループ回路上を高周波電流が流れるようにすることができ、ひいては、グランドラインＧＬに高周波電流が流れることを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子（Ｔ１）のオン抵抗の偏差±ΔＲonの影響を受けることなく、高精度な過電流検出が可能な負荷回路の過電流保護装置を提供する。
【解決手段】抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ１との比率（Ｒ３／Ｒ１）を増幅率ｍとし、抵抗Ｒ４とＲ５で生成される判定電圧をＶ４とし、ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）のオン抵抗の平均値をＲonとするときに、（Ｖ４／ｍ／Ｒon）で示される電流値と等しい電流がＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）に流れたときに、コンパレータＣＭＰ１の出力信号が反転するように、抵抗Ｒ３に流れる電流Ｉ３を制御する。例えば、オン抵抗の偏差±ΔＲonが正の値である場合には、この偏差±ΔＲonに比例した電流ΔＩ１を電流Ｉ１から減算して電流Ｉ３を生成し、オン抵抗の偏差±ΔＲonが負の値である場合には、この偏差±ΔＲonに比例した電流ΔＩ１を電流Ｉ１に加算した電流Ｉ３を生成する。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路のスイッチング損失の増大を抑制しつつ、インバータ回路のスイッチング速度を調整する際のパラメータの値を取得するための検出回路を不要とする。
【解決手段】車両用インバータ装置は、ＩＧＢＴ１１ａ〜１１ｆを３相ブリッジ接続したインバータ回路を備えたインバータ部１と、インバータ部１の各ＩＧＢＴのゲート端子を制御する駆動指令回路２とを備える。駆動指令回路２は、モータ５に印加すべき要求トルクに基づいて、インバータ部１に備えられたＩＧＢＴ１１ａ〜１１ｆのオン・オフ期間およびＩＧＢＴ１１ａ〜１１ｆのスイッチング速度をスイッチ制御回路１３ａ〜１３ｆを介して制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子による放射ノイズの抑制と発熱抑制とを両立させると共に、その両立用機能の追加と削除を容易にする。
【解決手段】燃料噴射制御装置１において、インジェクタ１０１のコイル１０１ａへ放電されるコンデンサＣ０を充電する昇圧回路２０は、一端に電源電圧ＶＢが供給されるインダクタＬ０の他端とグランド電位との間を断続させるＦＥＴからなる昇圧用トランジスタＴ０を、繰り返しオン／オフさせることでコンデンサＣ０を充電するが、そのトランジスタＴ０に制御電圧を出力する駆動制御回路３０の出力端子Ｐ１と、該トランジスタＴ０のゲート端子との間に設けられたゲート抵抗としての抵抗器Ｒａと並列に、抵抗器Ｒｂとスイッチ２２との直列回路が設けられている。そして、マイコン４０が、エンジン回転数が閾値以上になるとスイッチ２２をオンしてゲート抵抗値を低下させ、トランジスタＴ０の発熱を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 高調波ノイズを低減するとともにスイッチング損失の増大も抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のゲート電圧Ｖｇを切り換えることによってトランジスタＴｒ１０のドレイン電極とソース電極間を導通状態と非導通状態の間で時間的に切り換える。スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間に接続される可変容量素子１４を備えている。その可変容量素子１４の容量は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間の電位差が増加すると低下することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターンオフ過程におけるサージ電圧などの過電圧や過電流を抑制できる電力素子駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート、コレクタ、エミッタを有する電力素子の過電流検出手段と、該過電流検出手段が過電流を検出した際に動作可能状態となるカレントミラー回路を備える。該カレントミラー回路は該電力素子の該コレクタに接続された容量性部品で生成された電流を増幅し、該電力素子の該ゲートへ電流を供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。
【解決手段】電圧制御される主トランジスタと、グランド端子に接続され、前記主トランジスタのゲートスレショルド電圧よりもオン時ドレインーソース間電圧が低い副トランジスタと、第１の抵抗が設けられ、電源装置に接続される端子と前記主トランジスタのゲートとを接続する第１の電力ラインと、前記主トランジスタのゲートから前記副トランジスタへ流れる電流を選択的に許容する第２の電力ラインと、第２の抵抗が設けられ、前記端子と前記副トランジスタとを接続する第３の電力ラインと、を有し、前記第２の抵抗の抵抗値は、前記主トランジスタの容量と前記第１の抵抗の抵抗値の積を前記副トランジスタの容量で除した値よりも小さい値である、スイッチング回路。 （もっと読む）