【課題】効率向上を実現した半導体装置とスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】第１パワーＭＯＳＦＥＴを構成する第１半導体チップ、第２パワーＭＯＳＦＥＴを構成する第２半導体チップ及び第３半導体チップとを１つのパッケージに搭載する。上記第３半導体チップは、上記第１、第２パワーＭＯＳＦＥＴを相補的に駆動する駆動回路を含み、上記駆動回路から出力される駆動信号の電圧レベルに温度上昇に対応して上昇させる温度依存性を持たせる電圧制御手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度検出素子と過熱保護回路との間の配線に断線が生じたときに、負荷駆動回路に使用されるスイッチング素子の熱破損を防止する。
【解決手段】直流電源(V_CC)及び負荷(4)に直列に接続されるスイッチング素子(3)と、スイッチング素子(3)をオン・オフ制御する制御信号を発生する駆動回路(5)と、スイッチング素子(3)の温度を検出する温度検出素子(6)と、温度検出素子(6)が所定以上の温度を検出したときに、過熱検出信号を発生する過熱保護回路(7)と、温度検出素子(6)の一方及び他方の端子に接続されて温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出するカレントミラー回路(12)を有する断線検出回路(11)とを負荷駆動装置に設ける。過熱保護回路(7)が過熱検出信号を発生したとき又は断線検出回路(11)が温度検出素子(6)と過熱保護回路(7)との間の断線を検出したとき、スイッチング素子(3)への駆動回路(5)の制御信号を停止する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の出力段のインバータがスイッチングする際に、プラス昇圧チャージポンプ回路が出力する正の高電源電位が異常に低下するのを防止する。
【解決手段】しきい値が切り換え可能なシュミットインバータ２０と、シュミットインバータ２０の出力が印加された出力インバータ３０と、この出力インバータ３０の出力電圧Ｖｏｕｔに応じてシュミットインバータ２０のしきい値を切り換える帰還インバータ４０を備えるものである。この回路によれば、シュミットインバータ２０の入力電圧がハイレベルからロウレベルに変化する過程で、シュミットインバータ２０のしきい値が高しきい値ＶｔＨから低しきい値ＶｔＬに切り換えられる。そのため、シュミットインバータ２０の出力電圧のハイレベルへの変化は最初は急速であるが途中から遅くなる。 （もっと読む）

【課題】 従来技術の欠点を克服し、また、高電圧の応用形態及び高速の応用形態において高効率のフローティング駆動回路を提供する。
【解決手段】 本発明によるフローティング駆動回路は、入力信号を受信するための入力回路を備える。ラッチ回路が、トリガ信号を受信して、ラッチ信号を生成する。ラッチ信号を用いて、スイッチがオン／オフに切り替えられる。カップリングコンデンサが入力回路とラッチ回路との間に接続され、入力信号に応答して、トリガ信号を生成する。コンデンサを充電するために、ダイオードが、電圧源からラッチ回路のフローティング電源供給端子に接続される。そのコンデンサは、ラッチ回路のフローティング電源供給端子とフローティンググランド端子との間に接続され、ラッチ回路に電源電圧を与える。ラッチ回路は、カップリングコンデンサを介して、入力信号によって制御される。 （もっと読む）

【課題】回生エネルギー消費回路を備える電源装置において、専用回路を設けることなくその回生エネルギー消費回路の故障を検出する。
【解決手段】ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、所定の直流電圧を生成して負荷３に供給する。電流検出回路１２により得られる電流値は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の通常動作時は、過電流の発生を検出するため又はスイッチ回路１１を制御するために利用される。回生エネルギー消費回路１３は、回生抵抗Ｒおよびスイッチング素子Ｑｒから構成されている。回生抵抗Ｒの状態を診断する際には、ＤＣ／ＤＣコンバータ１の出力を実質的に無負荷状態とし、スイッチング素子Ｑｒをオン状態に制御する。電流検出回路１２により得られる電流値に基づいて回生抵抗Ｒの抵抗値を検出する。 （もっと読む）

【課題】単一の直流電源を使用しながらも簡単な構成で、ターンオン時の逆バイアス電圧の印加を実現できる絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート電圧に応じて、グランドラインに接続されたエミッタと所定の電圧が供給されるコレクタとの間に流れる電流を制御する絶縁ゲート型半導体素子を駆動する駆動回路は、グランドラインＧＮＤと直流電圧ＶＤが供給される電圧ラインとの間に直列接続され、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲート電圧を制御するためのトランジスタＱ１，Ｑ２と、ゲート電圧を直流電圧ＶＤより低く維持するための電圧クランプ回路と、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲートとトランジスタＱ１，Ｑ２の接続点との間に設けられ、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのオン時に充電され、オフ時に逆バイアス電圧を発生するコンデンサＣ１などで構成される。 （もっと読む）

【課題】種々の保護機能を備えるとともに低損失の電源入力回路を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ５と１２のドレイン同士を接続して直列に接続する。ＭＯＳＦＥＴ５をスイッチ回路として機能させ、ＭＯＳＦＥＴ１２を理想ダイオードとして機能させる。逆流阻止回路１６は、Ｖ１＜Ｖ２のときにＭＯＳＦＥＴ１２をオフし、Ｖ１≧Ｖ２のときにＭＯＳＦＥＴ１２をオンする。過電圧保護回路１３は、電源入力端子２の電圧が規定電圧を超えたときにＭＯＳＦＥＴ５をオフし、過電流保護回路６は、電源入力線３に流れる電流が規定値を超えるとＭＯＳＦＥＴ５をオフする。ＣＰＵからのオンオフ指令信号によりＭＯＳＦＥＴ５をオンオフする。 （もっと読む）

【課題】コモンモードチョークコイルの磁気飽和を防止し通過しコモンモード過電圧を確実に抑制する過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】コモンモードチョークコイルを前段入力とし外部の負荷に電源を供給する過電圧保護回路において、入力交流電源の一方の相である第１線路に挿入された第１のコイルと、第１のコイルに磁気結合するとともに入力交流電源の他方の相である第２線路に挿入された第２のコイルとを具備するコモンモードチョークコイルと、コモンモードチョークコイルの第１のコイルと直列接続され第１線路に挿入されたノーマルモードチョークコイルと、を備え、外部の負荷に電源を供給しているとき、ノーマルモードチョークコイルが過電流を抑制することによりコモンモードチョークコイルの磁気飽和が回避され、該コモンモードチョークコイルの両入力端にコモンモード過電圧が印加されるとき、外部の負荷へのコモンモード過電圧の通過を抑止する。 （もっと読む）

【課題】 対のスイッチング素子の内の上側のスイッチング素子を駆動するためにレベルシフト回路及びフリップフロップ回路を含む駆動回路においてスイッチング制御信号のオン期間又はオフ期間の幅が短くなると、フリップフロップ回路のリセットパルス又はセットパルスの欠落が生じる恐れがあった。
【解決手段】
スイッチ制御信号に含まれているパルスの前縁と後縁とに同期してセットパルスとリセットパルスとを形成する。セットパルス又はリセットパルスが欠落した時に補正セットパルス又は補正リセットパルスを発生する補正パルス発生回路１０５を設ける。補正セットパルス又は補正リセットパルスを付加するための補正パルス付加回路１０６を設ける。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタを備えた負荷駆動装置においてトランジスタの熱的負荷の低減を図ることができるようにする。
【解決手段】タイマー４０により、負荷１０の通電期間においてローサイドトランジスタＱ２を連続してオンにするとともに負荷１０に流れる電流が定電流となるようにハイサイドトランジスタＱ１を制御する状態から、ハイサイドトランジスタＱ１を連続してオンにするとともに負荷１０に流れる電流が定電流となるようにローサイドトランジスタＱ２を制御する状態に切り替えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＣＤバックライトインバータ駆動回路に関し、さらに詳しくはより安定したオン／オフスイッチングをすることにより発熱特性と駆動効率を向上させることができるＬＣＤバックライトインバータ駆動回路に関する。
【解決手段】本発明は、第１駆動信号を供給する制御部と、第２駆動信号を供給するレベルシフタと上記第１駆動信号のライジング区間をディレイして供給する第１ディレイ回路と、上記第２駆動信号のフォーリング区間をディレイして供給する第２ディレイ回路と、パワースイッチング回路とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、ＬＣＤバックライトインバータ駆動回路でスイッチング素子がオフされる場合スイッチング素子に流れる電流量を減少させることにより発生する熱が減少し、かつ上記スイッチング素子から逆流される電流による発熱を防止し、駆動効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】低電位から高電位側に信号を伝えるレベルシフト回路を有する電力変換回路において、上下アームのアース間の電圧変化ｄＶ／ｄｔによる誤オン及び誤オフを防止できる信頼性の高い電力変換装置を提供する。
【解決手段】主端子間に直列接続された第１および第２電力スイッチング素子からなる少なくとも１アームと低圧側回路から高圧側回路に制御信号を伝達するレベルシフト回路を有する電力変換装置において、レベルシフト回路のセット側に２つの検知電圧レベルを設ける。 （もっと読む）

【課題】小型でありながらブートストラップコンデンサの放電によるドライブ回路の電源電圧の低下を防止することができる電源回路を提供する。
【解決手段】上アームのスイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、配線のインダクタンスに起因してサージ電圧が発生し、スイッチング素子Ｑ１の両端間電圧Ｖが一時的に負荷用電源Ｅ１の電源電圧Ｖ１より高くなり、上アームのスイッチング素子Ｑ１のドレイン端子Ｄから逆流防止用のダイオードＤ２と電圧しきい値決定用のツェナーダイオードＺＤ１を介してブートストラップコンデンサＣの正電極へ充電電流Ｉｃが流れ、ブートストラップコンデンサＣが充電される。充電電流ＩｃによりブートストラップコンデンサＣの両端間電圧が制御用電源Ｅ２の電源電圧Ｖ２より高くなると、ツェナーダイオードＺＤ２のインピーダンスが減少し、これによりブートストラップコンデンサＣが過電圧となることが防止される。 （もっと読む）

スイッチング回路装置１００は、電界効果トランジスタ４０と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を特に、或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にして、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかける回路５０，５２，５４，６０，６２とを有している。実施形態においては、逆回復及びゲートバウンスが同時に軽減される。一実施形態においては、バイアス回路は、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかけるために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと直列に接続されたバイアスダイオード５２と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にするために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと電界効果トランジスタ４０のソースＳとの間に接続されたクランピング電界効果トランジスタユニット６２とを有している。
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【課題】スイッチング時のスパイクノイズを低減する。
【解決手段】バイアス抵抗Ｒ１と並列に、出力回路のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ＋のソース端子とゲート端子に電流制限抵抗Ｒａを介してシャント用ＮＰＮトランジスタＱ１を接続する。前記出力回路のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ−のゲート端子に第２のダイオードＤａのカソード端子と抵抗Ｒｂの一端を接続した直列回路Ｓを抵抗Ｒｂの他端側を前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ−のゲート端子側にして第３の抵抗Ｒ７と並列に接続する。こうすることで、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ＋のターンオフの際のゲートに蓄積した電荷の放電は電流制限抵抗Ｒａを介して行なう。一方、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ−のターンオフの際のゲートに蓄積した電荷の放電は第３の抵抗Ｒ７を介して行なうことで、ターンオフ電流のｄｉ／ｄｔを規制してスパイクノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】温度検出感度が高く、しかも素子数を少なくでき、半導体チップ内に占める面積が小さくて済む過熱検出回路および該過熱検出回路を内蔵した半導体装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】第１の電圧電源（Ｖｄｄ）と第２の電圧電源（ＧＮＤ）の間に設けられた定電圧電源回路（Ｒ３，Ｒ４の直列回路）と、第１の電圧電源と第２の電圧電源の間に設けられた温度検出用ダイオード（Ｄ１）と抵抗（Ｒ１，Ｒ２）と定電流源（Ｉ１）の直列回路と、第１の電圧電源と第２の電圧電源の間に設けられた第１のＭＯＳトランジスタ（Ｍ１）を含むインバータとを有し、定電流源（Ｉ１）の両端の電圧を、インバータを構成している第１のＭＯＳトランジスタ（Ｍ１）のゲート−ソース間電圧とした。この構成により、温度検出の感度が高くなり、高精度の過熱検出が可能となった。 （もっと読む）

【課題】直流電圧変換回路のスイッチング素子に駆動信号を供給するパルストランスの飽和を防止することである。
【解決手段】比較器１６は、誤差電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ２以上のときにはローレベルの検出信号をドライブ回路１２に出力する。ドライブ回路１２は、比較器１６の出力信号がローレベルのときには、パルス幅変調信号とその反転信号をパルストランスＰＴ１とＰＴ２に出力しないように制御する。これによりデューティ比の大きいパルス信号がパルストランスに印加されパルストランスが飽和するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるドライブ回路を備えた構成で、電力用のスイッチング素子の誤点弧を防止することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】上アームドライブ回路１３は、スイッチング素子Ｑ１に対して非絶縁で接続されるレベルシフト回路１５を備えている。レベルシフト回路１５は、ドライブ信号入力部１６と、少なくともスイッチング素子Ｑ１をＯＮするときに入力される上アームドライブ信号Ｓｄに対する正負逆の誤点弧防止信号Ｓｐが入力される誤点弧防止信号入力部１７と、誤点弧防止信号Ｓｐに対応する信号を基準電位に対して反転させるＮＯＴ回路１８を備えている。上アームドライブ信号Ｓｄ及びＮＯＴ回路１８で反転された反転信号はＮＡＮＤ回路１９に入力される。ＮＡＮＤ回路１９の出力がトランジスタＱ３，Ｑ４のゲートに入力される。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑止するゲート駆動回路の提供。
【解決手段】ソースフォロワ動作で誘導性負荷Ｌを駆動するトランジスタＱ１よりなるスイッチのゲート駆動回路であって、前記誘導性負荷Ｌと並列に、逆起電力エネルギ回生用の整流素子Ｄ３と、逆起電力による回生電流で充電される容量素子Ｃｂｓとの直列回路を備え、前記容量素子Ｃｂｓの蓄積電圧に基づき、前記スイッチＱ１のゲートに電源供給を行うように制御する回路（トランジスタＴＲ１、ＴＲ２、ダイオードＤ１、Ｄ２）を備えている。容量素子Ｃｂｓと並列に、定電圧素子ＺＤと逆流防止素子Ｄ４の直列回路が接続され、逆起電力による回生電流で充電される前記容量素子の端子間電圧が、所定電圧にクランプされる。 （もっと読む）

【課題】ポータブルラジオやラジカセ（カセット録音テープ内蔵ラジオ）など、ラジオ受信機が内蔵された電子機器は、ノイズ発生が発生するために、スイッチング方式の電源回路は採用されない。珪素鋼板トランスのリニア方式が採用されている。
この珪素鋼板トランスのリニア方式は、待機時の消費電力を１．５Ｗ以下にすることが困難であった。このリニア方式の変換効率は４５％程度で悪かった。このリニア方式は交流電源の電圧が変動すると、負荷の直流電圧も比例して変動していた。
【解決手段】リニア方式の珪素鋼板トランスの１次巻線に受動部品と半導体スイッチを設けて、この半導体スイッチの開閉切換えを交流電源のゼロ電圧付近で行う。
【効果】待機時の消費電力は０．５Ｗ以下に改善できる。変換効率は６５％に改善できる。交流電源が±１０％変動しても、負荷の電圧変動は±１％以内に安定できる。 （もっと読む）