【課題】スイッチング損失および発熱損失を低減することができ、しかも小型化が可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】主電極の一方が正極端子１０に接続された電力用半導体スイッチング素子２１および該電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子１１との間に接続されたＭＯＳＦＥＴ２２を備えたカスコード素子２０と、正極端子にカソード電極が接続され、負極端子にアノード電極が接続された高速ダイオード３０と、電力用半導体スイッチング素子の制御端子と負極端子との間に接続され、制御端子と負極端子との間を所定値以下の電位差に制御する電力用半導体スイッチング素子駆動回路６０と、ＭＯＳＦＥＴの制御端子と負極端子との間に接続されて該ＭＯＳＦＥＴを制御するＭＯＳＦＥＴ駆動回路７０とを備える。 （もっと読む）

電源の完全性を監視するための回路と方法が提供され、回路と方法は、リセット信号の裏にある原因、場合によっては電源障害の裏にある理由を診断するための追加のリソース／情報をもたらす。ここで説明する第１の方法は、１つまたは複数のシステム構成要素に供給される電源電圧のレベルを監視するための例示のステップを提供する。第２の方法は、電源（または接地供給源）と１つまたは複数の供給ピンの間の電気的接続を監視するための例示のステップを表す。方法のそれぞれは、たとえばステータス・レジスタ内に記憶された１つまたは複数のビットの状態を監視するものである。方法は、電源異常の発生を検出するために、別々にまたは互いに関連して用いることができる。
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本発明は、工業用の空冷式のスイッチング電源の動作方法に関する。ここでは、スイッチング電源内に配置された熱源によって影響される温度をサーモエレメント（１１，１２，１３，１４，１５）によって測定し、制御装置に通知し、異なる測定点に配置された少なくとも２つのサーモエレメント（１１，１２，１３，１４，１５）によって測定された温度を、該制御装置に通知し、温度パターンと比較する。既知の温度パターンと比較することにより、全体的な熱的状況を連続的に検出し、この熱的状況から制御装置に対する設定を導出することができる。
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【課題】 １個の外部制御端子を用いてデッドタイムコントロール回路を制御し、ハイサイド側のスイッチング素子及びローサイド側のスイッチング素子を同時にオフするデッドタイムを設ける。
【解決手段】 ドライバ部１は、信号入力回路２、デッドタイムコントロール部５、ドライブ回路６ａ、ドライブ回路６ｂ、ハイサイド側Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタＨＮＴ、及びローサイド側Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタＬＮＴから構成されている。デッドタイムコントロール部５は、デッドタイムコントロール回路３及びデッドタイムコントロール回路４を有し、外部制御端子（１個）から入力される信号にもとづいて、ハイサイド側Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタＨＮＴ及びローサイド側Ｎｃｈ パワートランジスタＬＮＴが同時に“ＯＦＦ”するようにデッドタイムコントロールを行う。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴを用いた電流振幅制限回路と過電流防止回路の開発、および、スイッチ付き電流振幅制限回路とスイッチ付き過電流防止回路の開発。
【解決手段】 エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流は、非飽和領域での動作では抵抗特性を示し、飽和領域での動作では定電流特性を示す。図１のように、直流電源に負荷回路とＭＯＳＦＥＴＱ１とＱ２を直列接続する。スイッチ素子であるＱ２をオンにし、電流振幅制限素子であるＱ１を常時飽和領域で動作させれば電流振幅制限回路になり、Ｑ１を過電流時のみ飽和領域で動作させれば過電流防止回路になる。Ｑ２の機能をＱ１に持たせれば、スイッチ付き電流振幅制限回路やスイッチ付き過電流防止回路になる。図５と図６は、交流電源に応用した回路例である。 （もっと読む）

【課題】 可能な限り電子機器の停止時間を短くし、必要最小限の部品交換で電子機器を再動作可能な、安全性と信頼性を確保した電源装置を供給する。
【解決手段】 商用電源から供給される電圧を変換して負荷に対して電力を供給する電源装置１１０は、電源回路１７０の出力の異常を検出する異常検出手段として機能する電流検出回路１７４、電圧検出回路１７５と、電源回路１７０への電力供給をオンオフする第１のスイッチ手段１２１と、電源回路１７０から負荷への電力供給をオンオフする第２のスイッチ手段１２２と、異常検出手段で異常が検出された場合、第１及び第２のスイッチ手段１２１、１２２をオンオフ制御することにより電源回路１７０の異常か負荷の異常かを診断するコントロール部１９０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、上側および下側の変換整流器（Ｔ１，…，Ｔ６）を有する少なくとも１つの相モジュール（１００）を有する電力変換回路であって、各変換整流器（Ｔ１，…，Ｔ６）が少なくとも１つの２極のサブシステムを有する電力変換回路に関する。本発明によれば、各２極のサブシステム（１４）が、電気的に直列に接続された４つのターンオフ制御可能な半導体スイッチ（２１，２３，２５，２７）と、それぞれ１つのターンオフ制御可能な半導体スイッチ（２１，２３，２５，２７）に電気的に逆並列に接続された４つのダイオード（２２，２４，２６，２８）と、電気的に直列に接続されて半導体スイッチ（２１，２３，２５，２７）の直列接続回路に並列に接続された２つの単極性の蓄積コンデンサ（２９，３０）と、共通電位（Ｐ０）に導電接続された基準電位端子（Ｍ）を有する電子装置（３２）とを有する。４つの電位段階を有する端子電圧（Ｕ_X21）が発生可能である接続端子（Ｘ２，Ｘ１）を有するサブシステム（１４）が得られ、このサブシステム（１４）は、エネルギー供給が対称的に行なわれる１個のみの電子装置（３２）を有し、電位絶縁のために高い費用を必要としない。
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【課題】 過渡状態において貫通電流が流れるのを阻止する。
【解決手段】 発振回路６２の発振信号がパルストランス６０に供給され、２つの出力側２６、５６に互いに逆相の第１及び第２の出力信号を発生する。第１及び第２の出力信号に基づいて両者の間にデッドタイムを持つ第１及び第２の制御信号を、デッドタイム生成回路２８が発生する。ＭＯＳＦＥＴ４、６が第１及び第２の制御信号によってデッドタイムをおいて交互に導通させられる。起動時に、抵抗器９０、９２、トランジスタ９４、充電回路９６からなる周波数変更回路が発振回路６２の発振信号の周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力で信頼性の高いブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】 電源ＶＤＲＶの立上がりに、制御部７０はプリチャージ信号Ｓ７０に予備充電用のパルスを形成し、その後にＰＷＭ信号発生回路７１がＮＭＯＳ４１をオンオフさせるパルス列を発生する。ブートストラップ回路５０は、予備充電用パルスに基づきＮＭＯＳ５２を介してＰＭＯＳ５８を充電し、その後、ＰＭＯＳ５８の充電電圧と電源ＶＤＲＶの電圧を加算した電圧をＰＭＯＳ５６を介してＮＭＯＳ６０のゲートに与え、ＮＭＯＳ６０をオンさせてキャパシタ６１を充電する。ＮＭＯＳ４１をオンさせるタイミングで、キャパシタ６１の充電電圧をＮＭＯＳ４１のゲート・ソース間に与え、ＮＭＯＳ４１をオンさせる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳゲート付き電力デバイスを駆動するための集積回路ゲートドライバを提供する。
【解決手段】半及び全ブリッジ電力コンバータトポロジーに対して高側及び低側スイッチングデバイスを駆動するための絶縁ゲートドライバ回路の実施形態が開示される。ここに開示する回路は、充分なデッドタイムを与え、広範囲のデューティサイクルにわたって動作し、そして単一の電源（Ｖｃｃ）しか必要としない。この回路の典型的な用途は、高電圧ＤＣレールにより付勢される冷陰極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）インバータを含む。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス等に対して、大型化することなしに更に動作的なノイズ耐量を向上することができ、ノイズに起因するスイッチング誤動作によるパワーデバイスの破壊を防止することができるブリッジ駆動回路装置を提供する。
【解決手段】ブリッジ回路のうち直流主電源１からの高電位側端子３と接続された高電位側パワースイッチング素子１２は、マイコン９からの高電位側外部駆動入力信号１８に対して低電位側駆動半導体１５内で入力信号処理回路４７により信号処理して定電流変換回路５４により定電流変換した定電流信号を、高電位側パワースイッチング素子駆動用信号１９として、低電位側駆動半導体１５から高電位側駆動半導体１４のフィルタ回路５５を通じて高電位側パワースイッチング素子駆動回路２８により、スイッチングを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】 モータドライバ回路におけるスピードアップ回路の故障によるスイッチング素子の過電流による熱破壊を防止することができるモータドライバ回路を提供すること。
【解決手段】 モータ２１に駆動電流を流すためのスイッチング素子２２と、該スイッチング素子２２のスイッチングを制御するプリドライバ回路２４の出力端子と前記スイッチング素子２２のスイッチング端子との間に接続され、前記スイッチング素子２２のスイッチング電圧の減衰を加速させるためのスピードアップ回路２３とを備えたモータドライバ回路２０において、スピードアップ回路２３の故障を検出するための故障検知手段２６を装備する。 （もっと読む）

【目的】ハイブリッド自動車および電気自動車用モータ等に使用するインバータ装置の冷却構造および冷却装置に関し、部品点数の削減と冷却効果の高い冷却装置を提供する。
【解決手段】
高熱伝導材からなるヒートシンクの一方面に冷却フィンを形成したヒートシンクと、当該冷却フィン形成面の裏面側にパワー半導体素子の熱抵抗が小さく且つ熱容量が小さいパワー半導体素子が高熱伝導性材料を用いて接合され、当該冷却フィン付きヒートシンクに冷却水を流し絶縁型パッケージパワー半導体素子を冷却していることを冷却装置とする。 （もっと読む）

【課題】 出力トランジスタをより高いスイッチング周波数まで駆動する。
【解決手段】 指令信号ＳｃがＬレベルになると、トランジスタＱ１９がオン、トランジスタＱ２０がオフ、トランジスタＱ２１、Ｑ２２がオンとなり、ＭＯＳＦＥＴＱ１１がオンからオフに移行する。このとき抵抗Ｒ１９によりトランジスタＱ２１のベース電流が制限され、ベース領域に蓄積される電荷が減少する。トランジスタＱ２１にベース電流が流れている時に指令信号Ｓｃが再びＨレベルになった場合、抵抗Ｒ１９、ダイオードＤ１５および抵抗Ｒ２０の存在によりトランジスタＱ２１、Ｑ２２のベース蓄積電荷が短時間で消滅するので、ターンオフ時間が短くなる。 （もっと読む）

【課題】
従来の過電圧保護回路は、ダイナミッククランプ電圧の設定値によっては回路が誤動作を生じる場合があった。
【解決手段】
本発明にかかる過電圧保護回路は、第１の電源１０１と出力端子１０６との間に接続される出力トランジスタ１０９と、出力端子１０６に接続される負荷１１２と、前記第１の電源１０１と出力端子１０６との間の電圧差を制限するダイナミッククランプ回路１１１と、ダイナミッククランプ回路１１１と出力端子１０６との間に電気的に接続され、基準電圧１０３と出力端子１０６の電圧との比較結果に基づいて導通状態が決定されるクランプ切換スイッチ１１０とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子として機能するパワートランジスタのゲートドライブ電流を低減する。
【解決手段】 時分割的にオンオフを繰り返すパワートランジスタＭ１のゲート電圧Ｖｇ１を制御する制御回路１００において、パワートランジスタＭ１のゲートと接地間に直列に、電荷保存用キャパシタＣ１および電荷転送用スイッチＳＷ１を設ける。ドライバ回路１０は、パワートランジスタＭ１のゲートに、第１電圧Ｖ１または第１電圧より低い第２電圧Ｖ２を印加するとともに、電荷転送用スイッチＳＷ１のオンオフを制御する。ドライバ回路１０は、パワートランジスタＭ１のゲート電圧を第１、第２電圧間で遷移させる所定期間、出力端子１２をハイインピーダンスとし、電荷転送用スイッチＳＷ１をオンして電荷転送を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通電流が大きく流れるのを防ぎつつ、主スイッチング素子のＭＯＳＦＥＴと同期整流用素子のＭＯＳＦＥＴのスイッチングをクロスさせ、リカバリー損失を低減するスイッチング回路の提供を目的とする。
【解決手段】 主スイッチング素子としてのハイサイドＭＯＳＦＥＴ１と同期整流用素子としてのローサイドＭＯＳＦＥＴ２０とを備えるスイッチング回路において、ローサイドＭＯＳＦＥＴ２０に流れる電流を検出する第１の電流検出手段と、ローサイドＭＯＳＦＥＴ２０の寄生ダイオード９に流れる電流を検出する第２の電流検出手段とを備え、第１の電流検出手段により検出される貫通電流と第２の電流検出手段により検出されるリカバリー電流がいずれも小さくなるようにデッドタイムを設定して、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１及びローサイドＭＯＳＦＥＴ２０に対するゲート信号を出力することを特徴とするスイッチング回路。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、平滑回路のコイルを小型化することである。
【解決手段】電圧検出部１４は、電源ライン間の電源電圧が所定電圧以上か否かを検出し、電源電圧が所定値以上のときには、入力遮断部１３をオフ状態にして負荷１２に過電圧が印加されないようにする。これにより平滑回路のコイルＬ１に最大電流定格の小さい小型のコイルＬ１を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 誤動作による上下導通状態をなくし、パワーデバイスの破壊を防ぐことができるパワー用半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｄｖ/ｄｔまたはノイズでのハイサイド駆動回路２の誤動作に伴うハイサイド駆動回路２のレベルシフト回路の所定のノードの電圧が高電圧になったことを素子電圧検出回路２７で検出し、素子電圧検出回路２７の出力信号を、遅延回路２９で制御されるＮＡＮＤ回路２８を介して遮断処理回路３０に与えることにより、ローサイドのパワーデバイス５を強制的に遮断する。これによって、パワーデバイス４、５の同時導通を回避し、パワーデバイス４、５の同時導通によるパワーデバイス４、５の破壊から保護する。 （もっと読む）

【課題】 ドライブ用スイッチング素子Ｑ１として耐圧の低いものを用いつつ、ドライブ用スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時における端子電圧Ｖｄｓの立ち上がりを急峻にする。
【解決手段】 パルストランスＴｐの一次巻線Ｎｐにドライブ用スイッチング素子Ｑ１を介して直流電源電圧Ｖｃｃを印加するようにし、パルストランスＴｐの二次巻線Ｎｓを通じで出力電圧Ｖｇを取り出すようにし、パルストランスＴｐの一次側に、一次巻線Ｎｐと接続された補助巻線Ｎｆを少なくとも一部として有する電圧クランプ回路を設け、パルストランスＴｐの二次側に、二次巻線Ｎｓに少なくともドライブ用スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中電流を流す抵抗Ｒ１を備えたりセット回路を設ける。
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