【課題】 信号伝送が行われる回路間の基準電位の電位差が変動しても確実に信号を伝達できるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を解決するために、インターフェース回路４を、レベルシフト回路２０と、このレベルシフト回路２０の動作用電源電圧の電位を選択するための電位選択回路１０から構成した。電位選択回路１０は複数の入力電位のうちの一つを選択し、レベルシフト回路２０は第１の電位を基準電位とする電圧パルスを入力し、第２の電位を基準電位とする電圧パルスを出力し、前記電位選択回路の出力電位と第１の電位との電位差及び前記選択電位と第２の電位との電位差で動作する。 （もっと読む）

【課題】高圧側と低圧側の間に一対以上のノーマリ・オンの半導体スイッチング素子が直列に接続されている場合、ゲート駆動回路の異常動作時に各半導体スイッチング素子に流れる過電流を抑制する。
【解決手段】ノーマリ・オン（ディプレッション型）のハイアーム側半導体スイッチング素子１５ａ〜１５ｃと、同じくノーマリ・オンのローアーム側半導体スイッチング素子１７ａ〜１７ｃとを直列に接続している場合に、各半導体スイッチング素子１５ａ〜１５ｃ，１７ａ〜１７ｃの各ゲートを、抵抗１９ａ〜１９ｃ，２１ａ〜２１ｃを介してそれぞれ電源Ｂのマイナス（−）側に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で確実に異常を検出することができ、装置の小型化、低コスト化を図った異常検出装置を提供する。
【解決手段】電圧電流変換回路１１がＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン−ソース間電圧に応じた、つまり、負荷電流ＩＬに応じた電流ＩＳを出力する。コンデンサＣ１が、電圧電流変換回路１１からの電流ＩＳによって充電される。カレントミラー回路１２が、コンデンサＣ１に蓄積された電荷を放電する。コンパレータＣＰ１が、コンデンサＣ１の両端電圧が基準電圧Ｖref1を超えたとき、異常を検出する。また、互いに寄生ダイオードの向きが対向するように直列接続されたＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ２がバッテリ−負荷１０間に設けられて、バッテリの逆接保護が図られている。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗を小さくさせつつ、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ドレイン領域４１と、チャネル領域４２と、ソース領域４３と、トレンチ４４内に第１の絶縁膜２を介して設けられる第１のゲート電極３と、トレンチ４４内に第１の絶縁膜２を介して設けられると共に第１のゲート電極３の下方に第２の絶縁膜４を介して設けられる第２のゲート電極５とを備えて構成し、第１のゲート電極３に、ドレイン領域４１とソース領域４３との間に流れる電流を制御する第１のゲート信号を入力し、第２のゲート電極５に、少なくとも第１のゲート信号がローレベルのとき正の電圧である第２のゲート信号を入力する。 （もっと読む）

通信リンクを通して電力を与えるための電源装置は、電流制限しきい値に基づいてシステムの出力電流を限定するための電流制限回路と、システムの出力パラメータに従って電流制限しきい値を設定するためのしきい値回路とを有する。しきい値回路は、特にシステムの実質的に一定の出力電力を達成するために、システムの出力電圧に従って電流制限しきい値を制御することができる。
（もっと読む）

【課題】待機時電力を削減し、アクロスザラインコンデンサの放電の時定数を所定の値にする直流電源装置を提供する。
【解決手段】交流電源の双極に接続されローパスフィルタを構成するアクロスザラインコンデンサを備えた直流電源装置であって、
第１のトランジスタＱ３は、交流電源が接続される状態においては、オンし、第1のトランジスタＱ３に従属接続される第２のトランジスタＱ４はオフし、第２のトランジスタＱ４のドレイン側抵抗とソース側抵抗に電流を流さず、交流電源が非接続状態となると第１のトランジスタＱ３は、ほぼ瞬時にオフするとともに第2のトランジスタＱ４はオンし第２のトランジスタＱ４のドレイン側抵抗とソース側抵抗を通じて所定の時間内で、アクロスザラインコンデンサＣ５の充電電圧を放電する。 （もっと読む）

【課題】 容量性負荷の起動時における過電流保護機能の不本意な作動を防止して電源装置自体を、更には負荷を正常に起動することのできる電源装置を提供する。
【解決手段】 例えば電池から負荷への電源供給ライン（大電流パス）に介挿されたスイッチ素子（例えばＦＥＴ）２と、大電流パスに並列な小電流パスを形成する補助スイッチ素子（例えばＦＥＴ）１２および小電流パスに電流が流れたときにスイッチ素子をオフ動作させる制御素子１１を備えた過電流検出回路と、前記負荷の起動時に補助スイッチ素子をオン動作させて小電流パスを形成する制御手段とを備える。そして負荷の起動時には小電流パスを介して負荷に電力供給し、この電力供給が正常に行われた後に大電流パスを介して負荷に電力供給する。 （もっと読む）

【課題】貫通電流防止のために、スイッチング制御信号の立ち上がりを遅らせていることによるスイッチング回路の効率を向上させる。
【解決手段】電源の間に直列に接続された第１及び第２のトランジスタＴＲ１ａ，ＴＲ１ｂを有するスイッチング回路であって、トランジスタの制御端子及びソースまたはドレイン間に接続される第１、第２の制御回路１ａ，１ｂと、制御回路内に形成され第１、第２、第３，第４の電圧クランプ素子とを有している。これによりスイッチング素子であるトランジスタの閾値電圧をスイッチング制御信号の中心レベル付近にし、２つのトランジスタが共にオフ状態となるタイミングを作る。この結果、スイッチ動作のときに発生していた貫通電流を防止し、スイッチング速度の高速化とスイッチング回路の高効率化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、ハイサイドスイッチを高速かつ効率的に駆動するためのハイサイド駆動回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ７，Ｑ８、ダイオードＤ１，Ｄ２、キャパシタＣ１，Ｃ２、変圧器Ｔ１によりトリガ信号生成部を構成し、ＰＷＭ信号をトリガ信号に変換する。ダイオードＤ３とキャパシタＣ３によりブートストラップ部を構成し、ハイサイド用電源としてＮチャネルトランジスタＱ５を高速にオン・オフさせる。抵抗Ｒ１，Ｒ２、ダイオードＤ４〜Ｄ８、トランジスタＱ１，Ｑ２、ＮチャネルトランジスタＱ３，Ｑ４は、ハイサイド用の駆動信号生成部を構成し、トリガ信号Ｖ３を、ＮチャネルトランジスタＱ５をドライブするための駆動信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】 負荷に対する電池からの電力供給を制御するＦＥＴの短絡障害を、その定常運転時に速やかに検出し得る診断機能を備えた電源装置を提供する。
【解決手段】 負荷に対する電力源としての電池(１０)の電源出力ラインに直列に介挿された電源出力制御用のＦＥＴ(１１)に対して、そのゲート・ソース間に故障診断用のＦＥＴ(１４)を並列接続し、故障判定回路(１７)においては故障診断用ＦＥＴの出力電圧をモニタして電源出力制御用ＦＥＴの健全性を定する。 （もっと読む）

【課題】 パルス列状の制御信号に基づく半導体素子のオンオフ動作により電力供給の制御を行うことができ、かつ半導体スイッチ素子の破壊を効果的に防ぐことが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】 電力供給制御装置１０には、ＰＷＭ制御信号に基づくゲート端子Ｇのレベル変化によりオンオフ動作するＦＥＴ２０を備えたサーマルＦＥＴ１１が設けられており、このサーマルＦＥＴ１１には、更に、温度センサ２１による検出結果に基づいて強制的にゲート端子Ｇの電圧レベルを変化させてＦＥＴ２０の遮断動作を行う過熱保護回路４２が設けられている。そして、入力レベル検出手段５０によってゲート端子Ｇの電圧レベルに対応した信号がマイコン１２に入力されるようになっており、このマイコン１２は、検出されたゲート端子Ｇの電圧レベルが、ＦＥＴ２０の遮断レベルに所定回数達した場合に制御信号を停止するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 インダクタンスが小さくでき、サージ電圧が小さくかつ小型化が可能なパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワー半導体装置が、冷却面を備えた水冷ブロックと、冷却面上に配置され、パワー半導体素子を含む封止樹脂と、封止樹脂の第１側面から突出した主端子と、第１側面に対して略平行な第２側面から突出した制御端子とを備えたパワーモジュールと、パワーモジュールを挟んで配置された１対の主回路基板と制御端子であって、主端子に接続された主回路基板と制御端子に接続された制御基板とを含む。主端子は、冷却面に略平行な第１領域と、主回路基板と略同一平面となるように該第１領域から角度θだけ屈曲した第２領域からなり、主回路基板と第２領域とが、これらを貫通するボルトとナットにより固定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターンオン時及びターンオフ時の過渡時、消費電力のロスを低減でき、且つ出力電流の高周波成分によるＥＭＩノイズの発生を低減することができる駆動回路を提供する。
【解決手段】一方の端子に負荷が接続されたドライバ素子２のオン／オフを制御する駆動回路であって、ドライバ素子２の制御端子に電流を流し込むスイッチ素子４と、ドライバ素子２の制御端子から電流を引き出すスイッチ素子３とを有するスイッチング回路１と、ドライバ素子２の制御端子と他方の端子との間に設けられた容量素子８とを備える。 （もっと読む）

【課題】大容量のコンデンサを設けることなく、しかも電力源から供給される電力の使用効率を低下させることなく、安定した出力電圧を得ることが可能となる電源回路を提供する。
【解決手段】商用交流電源により動作する電子装置の電源回路において、ブリッジ整流後の脈流を入力コンデンサ１０４で平滑したリップルを含む直流電圧をスイッチング電源回路１１４により所定の電圧に降圧する構成である。電子装置内に設けられ、ゼーベック効果によって熱を電気エネルギーに変換する熱電変換素子９の熱起電力を、電圧安定化回路１１及び電圧変換回路１２を介し電圧加算回路１３からスイッチング電源回路１１４の一次側へ補充電力として付加する。補充電力の電圧を、誤差検出・制御回路１４によりスイッチング電源回路１１４の二次側の出力電圧の変動量に応じて増減し、負帰還制御によって出力電圧を安定させる。 （もっと読む）

【課題】電力供給制御装置において、異常を精度高く検出しうる構成を提供する。
【解決手段】 電力供給制御装置１０は、パワーＭＯＳＦＥＴ１５と、パワーＭＯＳＦＥＴ１５の電流量に応じたセンス電流が流れるセンスＭＯＳＦＥＴ１６と、センス電流と閾値電流とに基づいて、パワーＭＯＳＦＥＴ１５に流れる電流の異常検出を行う異常検出回路１３とがワンチップ化されて半導体スイッチ素子１１が構成されている。半導体スイッチ素子１１の外部には、パワーＭＯＳＦＥＴ１５のソース端子に接続され、他端が、半導体スイッチ素子１１の外部端子Ｐ４と接続され、一端の接続点の電圧レベルＶｓに応じた電流を、外部端子Ｐ４を通して流す外付け抵抗１２が設けられている。異常検出回路１３は、外部端子Ｐ４に接続されると共に、外部端子Ｐ４を通して流れる電流に応じた閾値電流Ｉａ、Ｉｂと、センス電流とを比較することに基づき異常信号ＳＣ，ＯＣを出力する。 （もっと読む）

【課題】 センス抵抗の両端電圧が負の値に振れた場合でも増幅回路への入力電圧をその負の値に対応する正の値に変換する分圧抵抗に求められる分圧比の精度を下げることができ、集積化の実現を可能とした電流検出回路を提供する。
【解決手段】 センス抵抗１１のノードＮ１に抵抗Ｒ３を介して演算増幅器２０の反転入力端子が接続され、ノードＮ２には抵抗１２を介して演算増幅器２０の非反転入力端子が接続される。非反転入力端子には、抵抗１３と、直流電源Ｂ１とが接続される。抵抗１２と１３の抵抗値を調整することにより、増幅器２０の非反転入力端子の電圧が常に正に維持される。 （もっと読む）

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。電力用半導体スイッチング素子２１はノーマリーオン型であり、第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３はノーマリーオフ型である。 （もっと読む）

【課題】異常を迅速に検出し、パワーＭＯＳＦＥＴでの電力損失を効果的に低減しうる構成を提供する。
【解決手段】電力供給制御装置１０はパワーＭＯＳＦＥＴ１５と、センスＭＯＳＦＥＴ１６と、異常検出回路１３とがワンチップ化されて半導体スイッチ素子１１が構成される。半導体スイッチ素子１１の外部にはパワーＭＯＳＦＥＴ１５のソース端子に接続され、他端が外部端子Ｐ４と接続され、ソース端子の電圧レベルＶｓに応じた電流を外部端子Ｐ４を通して流す外付け抵抗１２を設ける。異常検出回路１３は外部端子Ｐ４に接続されると共に、外部端子Ｐ４を通して流れる電流に応じた閾値電流Ｉａ、Ｉｂと、センス電流とを比較することに基づき異常信号ＳＣ，ＯＣを出力する。閾値電流Ｉａ、Ｉｂは、短絡が生じた場合に、センス電流が即座に閾値に達することなるため、迅速な検出が可能となり、かつパワーＭＯＳＦＥＴでの電力損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 コストダウンの障害となるＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）の使用数を削減しコストダウンを図れる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】 低電位の回路において、パルス発生器１１ａは信号入力端ＨＩＮから入力した信号の正負のエッジを検出し、それぞれのエッジを表すパルス信号をスイッチング素子Ｑ1〜2に出力する。スイッチング素子Ｑ1〜2は電流源Ｉｒｅｓ１〜２をオン／オフし、ＬＤＭＯＳＱ3を介して高電位の回路において、抵抗Ｒ3に電流を供給する。抵抗Ｒ3は電流地に応じた電圧を両端に発生し、異なる閾値を有するインバータＩｎｖ１〜２によって、低電位の回路にて入力された信号の正負のエッジが復元され、パルス検出回路１２ａ、ＲＳ（Reset-Set）フリップフロップ１３、スイッチング素子Ｑ5〜6、抵抗Ｒ13〜14によって、入力された信号が復元される。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも部分的に誘導性の負荷の電源を制御するトランジスタを保護するための方法を提供する。
【解決手段】 第１の導電端子及び制御端子の間に、一方向導電素子と直列逆接続で挿入される少なくとも１つのブレイクオーバコンポーネントを有するトランジスタを保護するための回路であって、前記ブレイクオーバコンポーネントと直列の抵抗素子と、前記一方向導電素子の前記トランジスタと対向する端子及び該トランジスタの第２の導電端子の間の、制御可能な電流源とを有する。そして前記電流源は、前記トランジスタにおける電流によって制御されるようにしている。 （もっと読む）