【課題】 誤動作による上下導通状態をなくし、パワーデバイスの破壊を防ぐことができるパワー用半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｄｖ/ｄｔまたはノイズでのハイサイド駆動回路２の誤動作に伴うハイサイド駆動回路２のレベルシフト回路の所定のノードの電圧が高電圧になったことを素子電圧検出回路２７で検出し、素子電圧検出回路２７の出力信号を、遅延回路２９で制御されるＮＡＮＤ回路２８を介して遮断処理回路３０に与えることにより、ローサイドのパワーデバイス５を強制的に遮断する。これによって、パワーデバイス４、５の同時導通を回避し、パワーデバイス４、５の同時導通によるパワーデバイス４、５の破壊から保護する。 （もっと読む）

【課題】デプレッション型素子である双方向性スイッチの独特な特徴を考慮して駆動回路および方法を改良する。
【解決手段】本願の一実施形態による双方向半導体スイッチを用いたハーフブリッジのための駆動回路は、ハイサイド双方向半導体スイッチを制御するよう動作可能なハイサイド駆動部を備え、ハイサイド駆動部は、双方向半導体スイッチに負バイアス電圧を供給して、ハイサイド双方向半導体スイッチをＯＦＦにする。ローサイド駆動部は、ローサイド双方向半導体スイッチを制御するよう動作可能であってよい。負端子がハイサイド駆動部に接続された外部電圧源が備えられてよい。電圧源の負端子とハイサイド駆動部との間にハイサイド駆動スイッチが配置され、ローサイド駆動部がローサイド双方向半導体スイッチをＯＮにする時に、ハイサイド駆動部を電圧源の負端子に接続するよう動作可能であってよい。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子を大型化せずに高温動作時におけるスイッチング素子の特性劣化や破壊を防止できるスイッチング素子保護回路を提供する。
【解決手段】 本発明によるスイッチング素子保護回路は、ＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の動作温度を検出する温度検出用サーミスタ(11)と、温度検出用サーミスタ(11)により検出した動作温度が所定のレベルを越えるときに保全信号を発生する比較回路(12)と、過電圧保護回路(10)の検出電圧を設定する２つのアバランシェダイオード(5,6)とＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の制御端子(G)との間に接続された切換手段(13)を構成するトランジスタ(14)とを備え、比較回路(12)の保全信号が発生したときにトランジスタ(14)をオン状態にして過電圧保護回路(10)の検出電圧を低下させる。これにより、高温動作時のＭＯＳ-ＦＥＴ(4)が低下した安全動作領域内での動作に切り換わるので、高温動作時におけるＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の特性劣化や破壊を防止できる。 （もっと読む）

突入電流制御システムのＭＯＳＦＥＴにおいて生成される突入電流を制御するための方法およびシステムを提供する。ＭＯＳＦＥＴはソース、ゲートおよびドレインを含む。ＭＯＳＦＥＴのドレインにおけるｄＶ／ｄｔは、ＭＯＳＦＥＴがより高速にオンやオフになり得るように、ＭＯＳＦＥＴのゲートとドレインとの間に接続された別個のキャパシタを必要とすることなく、電流制限とは無関係に、ｄＶ／ｄｔの関数として突入電流レベルを設定するように制御される。
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【課題】放電灯点灯装置とは別個にフィルタ回路を設けることなく、１５０ｋＨｚから３０ＭＨｚまでの周波数成分である伝導ノイズと３０ＭＨｚから３００ＭＨｚまでの周波数成分である放射ノイズを効果的に抑制することができるようにした放電灯点灯装置を提供すること。
【解決手段】コモンモードチョークコイル１２のインダクタンス値を３．３ｍＨ以上、ＰＦＣ回路２０のスイッチング素子２１のスイッチング時間を調整するインピーダンス素子２９の抵抗値を２０Ω以上２００Ω未満、ＰＦＣ回路２０の動作周波数を１５０ｋＨｚ以下に設定することで、１５０ｋＨｚから３０ＭＨｚまでの周波数範囲の伝導ノイズ及び３０ＭＨｚから３００ＭＨｚまでの周波数範囲の放射ノイズを効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子が電流を手段或いは導通する際に生じるサージ電圧を抑制する駆動装置並びにその制御方法を提供する。
【解決手段】主電流を通流或いは遮断するパワー半導体素子の駆動装置において、制御電圧に応じて第１の抵抗を変化させる第１の抵抗可変手段と、第１及び第２端子間の電圧に応じて第２の抵抗を変化させる第２の抵抗可変手段を備え、制御電源の電圧或いは第１及び第２端子間の電圧のいずれか一方を第１の抵抗と第２の抵抗で分圧すると共に、分圧された電圧を主電流の通流或いは遮断時に制御ゲート端子に印加する。
【効果】本発明によれば、それぞれ制御電圧と入出力端子間電圧に応じて変化する第１，第２の抵抗可変手段で分圧したゲート電圧をパワー半導体素子に印加することで電流下降期間に生じるサージ電圧を安定に抑制低減できる。 （もっと読む）

１つまたは複数のシステム構成要素に供給される電源電圧のレベルを監視することによって電源の完全性を監視するシステムと方法が提供される。ここで説明する方法は、電源レベルがしきい値レベルに達した後、ステータス・レジスタ内のビットをセットするステップと、電源レベルがしきい値レベルより低下したかどうかを判断するために、ビットの状態を監視するステップとを含む。たとえば、方法は、ビットの状態がセットされたビットからクリアされたビットに変化する場合、電源レベルがしきい値レベルより低下したと判断する。さらに、ここで説明するシステムと方法は、電源関係の事象についての追加のリソース／情報をもたらすことによって、電源異常の発生を検出するために用いることができる。
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【課題】 取り扱う交流電力より小さな電力許容容量の半導体スイッチ及びリレースイッチを用い、負荷として接続される電子機器に対して交流電源の供給（導通）及び遮断を行う。
【解決手段】 ＦＥＴ素子とリレースイッチを直列に接続し、負荷として接続される電子機器に対する入力交流電源の供給及び遮断を行う交流電源スイッチ回路において、切り替えの制御信号を入力交流電源電圧に同期させて発生させ、入力交流電源電圧が所定の電圧以下の時にリレースイッチの機械的スイッチ接点が作動するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 さまざまな状態において、回路異常を検出可能な蛍光ランプの駆動回路を提供する。
【解決手段】 ＣＣＦＬ２０の駆動装置において、第１インバータ１０ａは、ＣＣＦＬ２０の一端２１ａに第１交流電圧Ｖａｃ１を出力する。第２インバータ１０ｂは、ＣＣＦＬ２０の他端２１ｂに第１交流電圧Ｖａｃ１と逆相の第２交流電圧Ｖａｃ２を出力する。第１電流電圧変換回路１５ａは、第１インバータ１０ａの第１トランス１４ａの２次側電流を電圧に変換し、第１検出電圧Ｖｄｅｔ１として出力する。第２電流電圧変換回路１５ｂは、第２インバータ１０ｂの第２トランス１４ｂの２次側電流を電圧に変換し、第２検出電圧Ｖｄｅｔ２として出力する。第１異常検出回路３４は、第１検出電圧Ｖｄｅｔ１と第２検出電圧Ｖｄｅｔ２の電位差ΔＶが所定の第１しきい値電圧Ｖｔｈ１を超えたときに回路異常と判定する。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧が高くなると、コントロール回路の規模が大きくなるため、降圧型ＤＣ／ＤＣコンバータの小型化に支障がでる。
【解決手段】 入力電圧ＶＩＮをＯＮ／ＯＦＦするスイッチング素子Ｑ１と、制御電圧をＯＮ／ＯＦＦするコントロール回路１２とを有し、スイッチング素子は、制御電圧のＯＮ／ＯＦＦに応じて入力電圧をＯＮ／ＯＦＦすることで同入力電圧を降圧する降圧型ＤＣ／ＤＣコンバータ１Ａであって、入力電圧を減圧し、同減圧した入力電圧をコントロール回路に供給する第１減圧手段１５を有し、コントロール回路は、第１減圧手段にて減圧した入力電圧で電源供給を受け、同減圧した入力電圧を制御電圧としてＯＮ又はＯＦＦし、降圧型ＤＣ／ＤＣコンバータは、スイッチング素子をＯＦＦする場合、スイッチング素子をＯＦＦさせるべく、コントロール回路にてＯＮした制御電圧を昇圧する第１昇圧手段１６を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】２次側の少なくとも１つのパワー半導体スイッチのスイッチング状態の１次側での認識を簡単で且つ集積可能な手段を用いて可能とする、ブリッジ装置内のパワー半導体スイッチ用の好ましくはモノリシック集積された回路装置、並びにそれに付属する方法を紹介する。
【解決手段】１次側（２０）でＴＯＰスイッチ（５０）のスイッチング状態を認識するために、本回路装置は、レベルシフタ（４４）を通じる電流の流れを検出及び評価するための回路部分（４６、４７、４８）を有する。この際、１次側で検出されたレベルシフタを通じるこの電流の第１の下閾値が、ブリッジ回路のスイッチオンされていないＴＯＰスイッチ（５０）に対応し、１次側で検出されたレベルシフタを通じるこの電流の第２の上閾値が、ブリッジ回路のスイッチオンされているＴＯＰスイッチ（５０）に対応する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子に半導体素子を用いてこれをパルス駆動する際に、良好なスイッチング特性を有するスイッチング回路を得る。
【解決手段】 スイッチング回路１をＯＮする際は、半導体スイッチング素子１１の制御端子としてのゲート端子Ｇのインピーダンスを、このスイッチング回路１の制御信号の立ち上がりを微分するように開放値から短絡値を経て抵抗１５に相当する値に安定させる。また、スイッチング回路をＯＦＦする際は、この抵抗１５に相当するインピーダンス値から開放値まで変化させている。これによって、制御信号入力端子に印加されるパルス状の制御信号に対する応答速度を速める。 （もっと読む）

【課題】寸法的またはコスト的に有利な電圧駆動型トランジスタのゲート回路を提供する。
【解決手段】ゲート回路１は、充電回路１０と駆動回路２０とを別回路として備える。ＩＧＢＴ２をオンする際、充電回路１０がＩＧＢＴ２のゲート容量２ａを充電し、ゲート容量２ａが充電された後に、駆動回路２０がＩＧＢＴ２のゲートに駆動電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】
電源電圧変動が大きい電源において、特に低電圧時でも負荷を安定して駆動する駆動装置を提供する。
【解決手段】
上流スイッチング素子２５を駆動するための上流駆動回路２３と、下流スイッチング素子２６を駆動するための下流駆動回路２４とを有する駆動装置であって、バッテリ電圧
４ａに基づいて上流駆動回路２３へ供給される昇圧電源出力電圧２１ａを生成する昇圧電源回路２１と、昇圧電源出力電圧２１ａに基づいて下流駆動回路２４へ供給される降圧電源出力電圧２２ａを生成する降圧電源回路２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
高出力・高品位用途のデジタルアンプやスイッチング電源に要求されるノイズレベルの実現に有効なデジタルアンプおよびスイッチング電源を提供する。
【解決手段】
Ｄ級ドライバ１３０の出力段にノイズ成分抽出回路１０を接続し、このノイズ成分抽出回路１０によって、Ｄ級ドライバ１３０の出力に含まれたノイズ成分を抽出し、この抽出したノイズ成分を該ノイズ成分の位相およびゲインを調整した後にローパスフィルタ１４０の出力に加算する。その結果、ローパスフィルタ１４０を通過した後の音声信号に残存したノイズ成分がキャンセルされる。 （もっと読む）

【課題】負荷が目標値を出力するように駆動するための電流を、夫々の製品に応じて適切に設定するように調整が可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】スマートアクチュエータ１を、ＤＣモータ２とゲート駆動回路５とが一体となるように構成し、電流制限回路６において、ＤＣモータ２に流れる駆動電流を検出し、ＤＣモータ２が目標駆動力を出力するように駆動した場合に、演算回路８は、検出される駆動電流を制御回路４が実際の制御上で想定している電流値に補正して、制御回路４は、補正された駆動電流に応じてゲート駆動回路５に駆動指令を出力する。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が低い場合でも、安定して所定値以上の電圧を出力することのできるハイサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路を提供する。
【解決手段】ハイサイドチャージポンプ１００は、トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）、コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）、ダイオード（Ｄ１〜Ｄ３）を備える。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭに接続される。コンデンサＣ１の低圧側は、トランジスタＭ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭ、又は、トランジスタＭ１に同期して駆動されるトランジスタＭ２を介して接地される。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ３を介して、ローサイドチャージポンプ６０の出力電圧としてのローサイド側駆動電圧ＶＬが供給される。このコンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ２を介して、ハイサイドプリドライバ回路に接続されるハイサイド側駆動電圧ＶＨを出力する端子となっている。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の端子と接続されている内部のトランジスタの過電圧に対する負担を軽減する。
【解決手段】 端子保護回路１１は、内部のトランジスタＭ２が接続されている端子Ｔ１を接地電圧まで短絡するように、過電圧発生時にオンするＮＭＯＳの高耐圧のトランジスタＭ１と、トランジスタＭ１と並列に接続された直列接続された６段のツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ６と、トランジスタＭ１のゲート電位を接地電位にプルダウンする所定の抵抗値をもつ抵抗Ｒ１とから構成されている。これにより、端子Ｔ１に過電圧が入力されると、ツェナーダイオードＺＤ１〜ＺＤ６によりトランジスタＭ１がオンし、端子Ｔ１を接地電位まで短絡する。 （もっと読む）

【課題】 発電時に主ＭＯＳ回路のスイッチング速度を上げ、力行時にスイッチング速度を落とすことにより、主ＭＯＳ回路のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの跳ね上がりを抑制できる回転電機制御装置を提供する。
【解決手段】 回転電機２の複数の固定子巻線端子とバッテリの高電位との間に接続された複数の上アームスイッチング素子６と、複数の固定子巻線端子とバッテリＶＢ３の低電位との間に接続された複数の下アームスイッチング素子７と、複数の上アームスイッチング素子６及び下アームスイッチング素子７をそれぞれＯＮ／ＯＦＦすることにより、力行または発電を制御する制御部１３とを備え、制御部１３は、複数の上アームスイッチング素子６及び複数の下アームスイッチング素子７のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御パルス信号を出力し、力行時における制御パルス信号のスルーレートは、発電時における制御パルス信号のスルーレートより小さくなるように制御する。 （もっと読む）

サイリスタ（２５）及びＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２６）が第１の電流伝導端子（Ａ）と第２の電流導電端子（Ｓ）との間で直列接続されることによって形成される電源装置（１）。電源装置は更に、ＭＯＳＦＥＴトランジスタの絶縁ゲート電極（２０）に接続され、装置をオン及びオフにするための制御電圧を受信する制御端子（Ｇ）と、オフ時の電荷の高速抽出のためにサイリスタに接続される第３の電流導電端子（Ｂ）を有する。これにより、オフにするときに、電流テイルがなく、また、オフにすることは非常に高速である。電源装置は、寄生コンポーネントを有さないので、非常に高い逆バイアス安全動作領域（ＲＢＳＯＡ）を有する。
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