【課題】軽負荷時においてもスイッチング素子を駆動する回路への電力供給を安定して行うことができる低廉なブートストラップ型スイッチング電源回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１と、スイッチング素子１のソースに一端が接続されるブートストラップ用コンデンサＣ１を有するブートストラップ回路と、前記ブートストラップ回路から出力されるブートストラップ電圧Ｖ_Bを利用してスイッチング素子のゲートに供給する駆動信号を生成するドライブ回路４と、スイッチング素子１のソースとグランドとの間に設けられる電圧制御用ＤＭＯＳ５と、電圧制御用ＤＭＯＳ５を流れる電流を制限する電流制限部（電圧検出用ＤＭＯＳ６、電圧検出用ＮＭＯＳ７、電圧検出用抵抗８、コンパレータ１１、ＤＭＯＳドライバ９）とを備えるスイッチング電源回路。 （もっと読む）

【課題】オーバーシュート電圧の低減および出力回路の貫通電流の低減を図る。
【解決手段】中間電圧生成回路６〜８、１６〜１８を設け、出力回路５のｐＭＯＳトランジスタＴｒ９のゲートに対し高い電位から低い電位にかけて段階的に変化させて印加すると同時に、出力回路５のｎＭＯＳトランジスタＴｒ１０のゲートに対しても高い電位から低い電位にかけて段階的に変化させて印加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力コンデンサの音鳴りを低減することが可能な平滑回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る平滑回路は、負荷と並列に接続される出力コンデンサＣ２を用いて交流信号を平滑化する平滑回路であって、出力コンデンサＣ２は、複数個のコンデンサＣ２ａ、Ｃ２ｂが並列接続されたものである構成とされている。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路でありながら電圧抑制効果が高く、電力損失が少ないだけでなくスナバエネルギーの回生先となる直流電圧源が存在しない回路部分にも適用可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】パワー素子とその制御ＩＣとを備えた半導体装置において、端子数を増加させることなく、パワー素子の電流によってワイヤー、フレーム、パターンの配線インダクタンスに発生するノイズの影響をなくすことができ、制御部の誤動作を防止することができるようにする。
【解決手段】制御ＩＣ２は、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１の駆動信号を出力する出力部のＯＵＴ端子とその出力部のＰＧＮＤ端子（接地端子）とを有するとともに、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１を制御する制御部のＳＧＮＤ端子（接地端子）を有し、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１のゲート端子（Ｇ）と上記ＯＵＴ端子とが接続され、上記出力部のＰＧＮＤ端子がＭＯＳＦＥＴチップＭ１のソース端子（Ｓ）と接続されて外部に導出されている。 （もっと読む）

【課題】インバータの設計においてシミュレーション時間を短縮すること。
【解決手段】電気回路モデルおよびデバイスモデルから入力データを生成する入力データ生成部１３０と、入力データを用いてシミュレーションを実行するソルバー部１４０と、シミュレーション結果を編集して出力する出力編集部１５０を備え、ソルバー部１４０の静特性折線近似回路計算部１４１がＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴおよびダイオードの静特性を折れ線で近似して回路計算を行う。 （もっと読む）

【課題】電気を発電しつつ発電時に発生する熱をも利用し、熱をお湯に変換しお湯として貯湯することにより、システム全体としての総合効率のアップを図る電力変換装置を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体整流器３と半導体スイッチング素子４を使って電力変換を行なう電力変換装置であって、半導体整流器３と半導体スイッチング素子４を放熱板６に取り付けた状態で実装基板２の側部に列状に配置し、放熱板６を、熱伝導シート７を介して実装基板２の側部に設けた冷却配管８に固定し、冷却配管８中には冷却水を流す。 （もっと読む）

【課題】 コストを抑制しつつ、高調波を充分に除去でき、任意の折線波形及びそれに近似の曲線波形を生成することができ、良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 パワートランジスタＭ１を駆動する制御パルスを生成する制御パルス生成部２と、規範電圧波形追従駆動部４へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部３を備え、規範電圧波形生成部３は、制御パルスから複数段で折った波形を生成する折線波形生成部３１と、折線波形生成部３１の出力波形のノイズ成分を除去するRCローパスフィルタ３２を備えた。 （もっと読む）

【課題】正電圧の電源のみで、導通損失を増加させることなく、誤点弧を防止する電圧駆動型半導体素子のドライブ回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】半導体素子を駆動するドライブ回路において、直流電源の正側に接続された第１のスイッチと、第１のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第２のスイッチと、直流電源の正側に接続された第３のスイッチと、第３のスイッチの他端子に接続された第４のスイッチと、第４のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第５のスイッチと、第１のスイッチの他端子と第４のスイッチの他端子に接続されたコンデンサを備え、半導体素子のゲートは第３のスイッチの他端子に接続され、半導体素子のソースは直流電源の負側に接続する。
【効果】正電圧の電源のみで、半導体素子のゲートに負電圧を印加することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 コストを抑制しつつ、フィードバックにより波形生成を安定させ、良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 規範電圧波形追従駆動部４によりスイッチング素子４４を駆動して負荷を作動させるスイッチング回路１において、規範電圧波形追従駆動部４へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部３を備え、規範電圧波形追従駆動部４は、カレントミラーの回路構成によりフィードバックの差動処理を行う比較部４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】供給電圧の変更に柔軟に対応可能なドライバ回路を提供する
【解決手段】ドライバ回路（２５０）は、ブリッジ回路（２５１〜２５４）と、駆動信号の電圧値を調整することによって、ブリッジ回路に含まれる各トランジスタのゲートに供給するためのゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＬ２，ＤＨ２，ＤＬ１）を生成するレベルシフタ回路（３１１，３１３）とを備える。レベルシフタ回路（３１１，３１３）は、上アームトランジスタ（２５１）に供給される上アーム用ゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＨ２）のレベルを、可変供給電圧（ＶＳＵＰ）の電圧値に応じて調整する。 （もっと読む）

【課題】寄生回路パラメータの蓄積エネルギーの充放電による半導体素子の損失上昇を抑制することにより、高電力密度を実現した電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に直列に半導体素子のオン抵抗値と同程度の値を有する抵抗器を設置することにより、電力変換回路に存在する寄生回路パラメータの充放電エネルギーの消費を半導体素子と電力変換回路に設置した抵抗器で分担させ、半導体素子の損失上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
サージ電圧を抑えつつスイッチング時間を短くした電力変換装置を提供する。
【解決手段】
電力変換装置は、ゲート電極１３に印加された電圧に基づいてドレイン電極１２からソース電極１１に向かう方向に主電流が流れるＭＯＳＦＥＴ１と、ゲート電極１３に印加される電圧を制御する電圧切換回路４と、ドレイン電極１２とゲート電極１３との間に接続された導通切換回路８と、を有し、電圧切換回路４がＭＯＳＦＥＴ１をＯＦＦにするように動作した場合、導通切換回路８は、ドレイン電極１２とソース電極１１との間の第１電位差、及び、ゲート電極１３とソース電極１１との間の第２電位差に基づいて導通制御される。 （もっと読む）

【課題】ハイサイド側パワー素子を制御する制御部に発生する寄生電流による誤動作を防止する。
【解決手段】モータドライバ３０のハイサイド側の制御部１には、増幅部１１、ドライブ部１２、及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６が設けられる。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６は、増幅部１１とドライブ部１２の間に設けられ、ソースが高電位側電源Ｖｄｄに接続され、ゲートがノードＮ３に接続され、ドレインがノードＮ１及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ３のゲートに接続される。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６は、制御部１に入力される相補信号Ｓｉｎａ及びＳｉｎｂの信号レベルが変化するときに制御部１で発生する寄生電流を吸収する寄生電流吸収手段として機能する。 （もっと読む）

【課題】マイコンあるいは外部のＩＣに異常が発生したときに出力を停止できる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路およびその他の回路が統合されたＩＣと、ＩＣの電源回路から電圧を供給されて所定範囲内の電圧の制御信号を出力する制御部と、を備え、ＩＣとは別に設けられ、制御部からの制御信号に基づいて、オンまたはオフの状態となる半導体スイッチであって、半導体スイッチは、ＩＣの電源回路からの電圧および制御信号の電圧のうちの一方あるいは両方が、予め定められた範囲内にあるか否かを監視する供給電圧監視手段と、供給電圧監視手段が、これらの電圧が予め定められた範囲内にないと判定した場合に、半導体スイッチをオフの状態にする半導体スイッチ駆動回路と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

たとえばＤＣ／ＤＣコンバータにおける、電力用ＭＯＳＦＥＴに対するゲートドライバは、ＭＯＳＦＥＴを完全オン状態と完全オフ状態との切換えに代えて、完全オン状態と低電流状態とを切換える。それによって、ＭＯＳＦＥＴのゲートを充電および放電するために伝達されるべき電荷量は減少され、かつＭＯＳＦＥＴの効率が改善される。フィードバック電流は、ＭＯＳＦＥＴの電流の大きさがその低電流状態において正しいことを保障するために用いられてもよい。あるいは、トリミングプロセス（微調整過程）は、低電流状態において、ゲートドライバによって電力用ＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される電圧の大きさを修正するために用いられてもよい。
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【課題】単相インバータや直流コンデンサの構成部品に、各相において個体差が存在しても、三相電圧の平衡化が可能となる電力変換装置を得ることを目的とする。
【解決手段】単相インバータ直流電圧バランス制御回路４１は、各相の電圧センサ２８で検出した電圧と電流センサ２５で検出した電流とを入力し、三相の単相インバータを一つの三相電源と考えた場合に零相電圧成分に相当する電圧指令を平衡化電圧指令として演算する。そして、電圧指令演算回路４７でこの零相電圧成分を各相の単相インバータ２６の電圧指令に重畳する。零相電圧は各相で同じであるが、電流は各相で位相が異なるため、零相電圧成分により各相の単相インバータ２６に生じる有効電力は異なり、各相の直流コンデンサ２７の電圧を個別に変化させることができ各相の電圧が平衡する。 （もっと読む）

【課題】低コストで実現できると同時にスイッチング動作中、ハイサイド半導体スイッチの中で逆電流が流れていたとしても電流損失が可能な限り少ない、供給電圧のオン／オフを目的とするハイサイド半導体スイッチのスイッチ制御回路を提供する。
【解決手段】アースに関連付けられた制御信号を駆動部のためのフローティング電圧レベルに変換する目的で配設されたレベルシフト回路が、電流がフィードバックされた制御スイッチによって実現されつつフィードバック回路に連結され、且つ該フィードバック回路が、該ハイサイド半導体スイッチの動作状態に応じて、一方のみ又は両方が該制御スイッチの電流フィードバック機構として動作するよう構成された第1のフィードバック素子及び第2のフィードバック素子を備える供給電圧のオン／オフを目的とするハイサイド半導体スイッチのスイッチ制御回路。 （もっと読む）

【課題】２点間の電位差を解消でき、しかも、２点間に過大な電流が流れるのを防止することができる電位差解消回路を提供する。
【解決手段】スイッチＳ１がオンすると、直流電源Ｅ１、スイッチＳ１、抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ１の直列回路に電流が流れる。トランジスタＱ１のバイアス電圧を生成する抵抗Ｒ１の両端に電位差が生じようとするが、抵抗Ｒ１に並列接続されたコンデンサＣ１は未充電状態にあるのでその両端の電位差は、スイッチＳ１がオンしてから徐々に大きくなる。こうしてトランジスタＱ１のバイアス電圧を徐々に増加させることで、トランジスタＱ１が流せる電流の値も徐々に増加する。 （もっと読む）

【課題】電力ロスを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、直列接続され、第１のモードおよび第２のモードにおいて各々に対してオン指令およびオフ指令が排他的に出力され、かつ誘導性負荷に結合される第１パワー半導体素子ＴＵＰおよび第２パワー半導体素子ＴＵＮを備え、第１のモードにおいて第１パワー半導体素子ＴＵＰがオン状態の場合には、第１パワー半導体素子ＴＵＰと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が形成され、第２のモードにおいて第１パワー半導体素子ＴＵＰがオン状態の場合には、第１パワー半導体素子ＴＵＰと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が遮断され、さらに、第２のモードにおいては、第１パワー半導体素子ＴＵＰに対するオン指令に関わらず第１パワー半導体素子ＴＵＰをオフ状態とする制御を行なう駆動制御回路ＧＵＰを備える。 （もっと読む）