【課題】ゲートパルス発生回路用の制御電源が喪失したときであっても、上下アームが同時にオンすることがないような電力変換器のゲートパルス発生回路を提供する。
【解決手段】その両端に直流電圧が印加され、その中点が交流相に接続される上下対となるアーム４Ａ、４Ｂから成るスイッチングレグを有する電力変換器のゲートパルス発生回路１Ａ、１Ｂにおいて、上アーム用ゲートパルス発生回路１Ａへの供給と下アーム用ゲートパルス発生回路１Ｂへの供給とを実質的に分離するような制御電源供給手段６Ａ、６Ｂから制御電源を供給とすると共に、各アーム用ゲートパルス発生回路１Ａ、１Ｂは各々制御電源監視手段１２Ａ、１２Ｂを有し、この制御電源監視手段１２Ａ、１２Ｂが異常を検出したとき、対となるアーム用ゲートパルス発生回路４Ｂ、４Ａのゲートパルスの出力を夫々オフするようにする。 （もっと読む）

【課題】一群のパワー素子中の各パワー素子に流れる分流電流の電流値を正確に検出することができる電流検出装置を提供する。
【解決手段】負帰還回路３の作用により差動増幅器電１の反転入力端子が非反転入力端子と同電位となるため、対象パワートランジスタＱ_１のバイアス電圧は、その他の各パワートランジスタＱ_１〜Ｑ_ｎのバイアス電圧と略同レベルとなり、対象パワートランジスタＱ_１に流れる分流電流の電流値Ｉ_１は、その他の各パワートランジスタＱ_２〜Ｑ_ｎに流れる分流電流の電流値Ｉ_２〜Ｉ_ｎと略同等となる。そして、対象パワートランジスタＱ_１の出力側の分割エミッタＥ_１から流出する分流電流は、負帰還回路３中の検出用抵抗２を通過して差動増幅器１の出力端子側へ流れ、その際、電流検出素子４により分流電流値Ｉ_１が正確に検出される。 （もっと読む）

【課題】 二次回路から無用な逆電圧分が出力して誤動作を生じる不具合を回避し、動作の安定性及び信頼性を高めるとともに、二次回路の出力電圧を高くして、電力損失の低減，高効率化及び製作上のコストダウンを図る。
【解決手段】 パルス信号Ｐｓの立上がりＰｓａに同期し、かつパルス信号Ｐｓのパルス幅Ｔｐよりも短いパルス幅Ｔｓａを有する第一短パルス信号Ｓａ、及びパルス信号Ｐｓの立下がりＰｓｂに同期し、かつパルス信号Ｐｓのパルス幅Ｔｐよりも短いパルス幅Ｔｓｂを有する第二短パルス信号Ｓｂを生成して一次巻線２ｆに入力させる短パルス生成手段３と、第一短パルス信号Ｓａによるトランス２の蓄積エネルギの逆電圧分Ｖｐｗを放電させ、かつ第二短パルス信号Ｓｂによるトランス２の蓄積エネルギの逆電圧分Ｖｎｗを放電させる放電手段４を設けるとともに、二次巻線２ｒに流れる二次電流Ｉｏｐを充電する充電手段５を設ける。 （もっと読む）

【課題】過電圧の入力に対して電源供給ラインのスイッチの動作を追従させる。
【解決手段】電源と前記電圧変換器間に介在され、第１の信号レベルの制御信号が入力されるまでは電源を電圧変換器から遮断しておく第１のスイッチと、第１のスイッチの制御端子に接続され、第２の信号レベルの制御信号が入力されるまでは第１のスイッチに前記第２の信号レベルの制御信号を供給する第２のスイッチと、電源電圧を監視する電圧検出器と、第２のスイッチの制御端子に接続され、電圧検出器が異常電圧を検出するまでは第２のスイッチの制御信号を第２の信号レベルとしている第３のスイッチと備え、電圧検出器が電圧を検出して不安定期間は第１のスイッチを遮断状態、正常電圧検出時は接続状態、異常電圧検出時は遮断状態とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化がすすんだ低電圧電源回路の信号レベルでも，高電圧電源回路の信号レベルに適切にレベルシフトして信号を伝搬することができるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】第２の電源電圧側に接続された負荷回路と，負荷回路側にドレインが接続され，ゲートに所定の定電圧が印加される第１の高耐圧トランジスタと，基準電源と第１の高耐圧トランジスタのソースとの間に接続され，第１の信号レベルを有する入力信号に応じて第１の高耐圧トランジスタのソースの電圧レベルを制御し，第２の低耐圧トランジスタを有するソース電圧制御回路と，第１の高耐圧トランジスタのドレインと負荷回路との間に接続され，第２の信号レベルの出力信号を出力する出力端子とを有する。そして，低耐圧トランジスタのゲート絶縁膜は，前記高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜より耐圧が低い。 （もっと読む）

【課題】冷却体上に配置される半導体素子間の熱的な干渉を抑制しつつ、冷却体上に配置される半導体素子間の間隔を小さくする。
【解決手段】半導体素子１が配置された冷却体２には、半導体素子１間に配置された溝４を形成するとともに、溝４の位置には、半導体素子１間で干渉する熱を放散させる補助フィン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】実装密度の高い電力変換装置に組み込んだ場合でも、スイッチング素子の転流時における急峻な短絡電流を効果的に抑制でき、しかも低損失なスナバ回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ１のターンオフ時に、スナバコンデンサＣ１に電荷を蓄えて、スイッチング素子Ｓ１の両端間に発生するサージ電圧を抑制すると共に、スイッチング素子Ｓ１がターンオンした瞬間の急峻な短絡電流を、従来のような配線インダクタンスＬｓ１２を考慮することなく、インダクタンス素子Ｌｓ１により効果的に抑制することができる。また、スナバコンデンサＣ１，インダクタンス素子Ｌｓ１，およびスナバ抵抗Ｒ１からなる直流電圧の両端間電圧が、直流電源Ｅによって一定の値に保たれており、スナバコンデンサＣ１の両端間電圧が０Ｖになるまで放電せず、インダクタンス素子Ｌｓひいてはスナバ回路２２としての損失が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため本発明は、第１の放熱板８と、この第１の放熱板８と一体化された、トランス９および半導体素子１０、１１とを備え、トランス９は、コア部１２と、このコア部１２を軸として磁界を発生させるコイル部１３とを有し、このコイル部１３の一面と第１の放熱板８とが熱的に接合され、コイル部１３の他面には第２の放熱板１７が熱的に接合されているものである。
これにより本発明は、トランス９と半導体素子１０、１１とが一体化された電源モジュール７において、第２の放熱板１７でコイル部１３の熱を効率よく放出することができ、コイル部１３の放熱性を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路の小形（集積）化，損失低減化を図り、低コストにする。
【解決手段】第一の変圧器６とスイッチング素子１の直列回路を直流電源５と並列に接続するとともに、電圧をクランプするクランプ素子１３とダイオード１１との直列回路を直流電源５と並列に接続し、クランプ素子１３と並列に第二の変圧器７を接続し、各変圧器の二次側を制御対象となるスイッチング素子９，１０にそれぞれ接続して駆動する構成とすることで、ゲート駆動回路２２のスイッチング素子数を4個から１個に低減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】主回路スイッチング素子に還流ダイオードが逆並列接続された電力変換回路において、損失を更に低減し回路構成の単純化を図った半導体スイッチを提供する。
【解決手段】半導体スイッチ１Ａは、逆導通性能を有し高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子２と、主素子２に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子３と、主素子２と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード４とを備え、主素子２の負極と補助素子３の負極とを接続して主素子２の正極を正極端子７とし、補助素子３の正極を負極端子８とし、正極端子７と負極端子８との間に負極端子８から正極端子７に向かう方向が順方向となるように高速還流ダイオード４を並列接続して構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を高速にオン／オフ動作させるパルストランス型スイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】パルストランスＴ１の２次側巻線Ｌ１ｏの端子間に、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１及び充電用コンデンサＣ４からなる第１充電閉ループ回路、及び充電用コンデンサＣ５、抵抗Ｒ２及びダイオードＤ２からなる第１充電閉ループ回路をそれぞれ接続し、スイッチング素子Ｑ１の駆動電源として用いる駆動電源用コンデンサＣ６及びＣ７は、コンデンサＣ４及びＣ５により充電される構成とした。スイッチング素子Ｑ１のゲートに印加される電圧は、２つの第１充電閉ループ回路と別に設けられた駆動制御手段としてのＰＭＯＳトランジスタＱ２及びＮＭＯＳトランジスタＱ３のオン／オフ制御により切り替える。即ち、ＰＭＯＳトランジスタＱ２或いはＮＭＯＳトランジスタＱ３を介して、コンデンサＣ６或いはＣ７に充電された電荷をスイッチング素子Ｑ１に供給する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン、又はターンオフ時に、ゲートに一時的に高い電圧を印加してスレッショルド電圧付近のミラー期間を高速で通過させ、高速でターンオン又はターンオフさせる。オン又はオフ保持中は適正なバイアス電圧を印加する。
【解決手段】定格ゲート電圧内の電圧のオン保持用電源１と、該オン保持用電源１から定格ゲート電圧を越える電圧を生成するターンオン用昇圧回路と、該ターンオン用昇圧回路により充電されるターンオン用コンデンサ６を有し、ターンオン直前までに前記ターンオン用昇圧回路により前記ターンオン用コンデンサ６を昇圧充電し、前記コンデンサの電荷を半導体スイッチング素子のゲートに印加して高速ターンオンし、ターンオン後は前記オン保持用電源１でオン状態を保持する。 （もっと読む）

【課題】吸入調量弁を駆動する電磁コイルのローサイドの＋Ｂ異常を検出することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】電磁コイルに流れる実電流を取得し（ステップ１００）、取得した実電流が異常電流値を超え（ステップ１１０）、実電流と目標電流との電流偏差ΔＩを取得し（ステップ１２０）、取得した電流偏差ΔＩが異常電流偏差値以上となり（ステップ１３０）、さらに、実電流の値が０である場合（ステップ１５０）、電磁コイルのローサイドの＋Ｂ異常であると確定する（ステップ１６０）。 （もっと読む）

【課題】不要電磁波を低減する。
【解決手段】インバータは、ブリッジダイオードＤ１及びコンデンサＣ５からなる整流平滑回路と、インダクタンス素子Ｌ５、トランジスタＱ１、ダイオードＤ２、コンデンサＣ６及び制御回路ＣＴＬからなるレギュレータと、制御回路ＣＴＬ及びトランジスタＱ２，Ｑ３からなるスイッチング回路とを有する。２個のラインバイパスコンデンサＣ３，Ｃ４の各々に対して直列にインダクタンス素子Ｌ３，Ｌ４を接続することにより、インバータから放射される不要電磁波を低減する。 （もっと読む）

【課題】タンデム構造を構成する各トランジスタの各ゲートに接続された平滑コンデンサ、分圧抵抗をそれぞれ正しく検査する。
【解決手段】タンデム構造を構成する各ＬＤＭＯＳトランジスタ１０のゲートに検査パッド２０を接続し、さらに各ゲート間に接続される分圧抵抗５０に当該分圧抵抗５０に電流が流れる向きダイオード６０を直列接続する。分圧抵抗５０の抵抗値を検査する際、ダイオード６０に順方向バイアスを与えるように検査パッド２０に一定電圧を印加することで、検査パッド２０間に分圧抵抗５０およびダイオード６０を経由する経路を形成する。また、平滑コンデンサ７０のリークを検査する際、ダイオード６０に逆方向バイアスを与えるように検査パッド２０に一定電圧を印加することで、検査パッド２０間に平滑コンデンサ７０を経由する経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオンタイプのＪＦＥＴ電力用電子スイッチのゲート制御装置を提供する。
【解決手段】制御装置はＪＦＥＴスイッチ１５のゲートを制御するために、主電源によって給電されるゲート制御の主回路３０と、二つの状態の間で切替可能な保護用スイッチング装置４１と、スイッチング装置を制御する補助制御回路４０と、スイッチング装置の二つの状態のうち一つの状態では、プラス端子がＪＦＥＴスイッチ１５のソースに接続され、マイナス端子がゲート制御の主回路３０を介さずにＪＦＥＴスイッチ１５のゲートＧに接続される補助電源２５とを備える。スイッチング装置４１は電磁または電子のスイッチである。 （もっと読む）

【課題】低耐圧プロセスにおいても半導体集積回路に組込み可能な過電圧保護回路を提供すること。
【解決手段】外部電源端子１から供給された電圧を外部抵抗２、抵抗１０と１１および１２とによる分圧と基準電圧端子９から供給される電圧との比較によりスイッチ３をオンオフし、外部電源端子１からの過電圧の被保護対象である半導体集積回路６への供給を遮断する過電圧保護回路１３に、外部電源端子１から過電圧が印加されると抵抗２と抵抗素子１０と、抵抗素子１１と抵抗素子１２とによる分圧を入力して過電圧保護回路の電源電圧端子５を定電圧にクランプさせるクランプ回路７を導入することにより、低耐圧プロセスにおいても半導体集積回路に組込み可能な過電圧保護回路を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体素子のスイッチング時のサージ電圧を抑制し、スイッチング損失を低減する。
【解決手段】ＩＧＢＴ等の素子１０と対の素子２０を接続し、素子１０をドライバ２２で駆動するとともに制御回路２４でゲート電圧を制御する。ターンオフ時には素子２０の電圧Ｖａｋが所定の電圧になったことを比較器２６で検出し、制御回路２４がゲート抵抗を小さな抵抗から大きな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。ターンオン時にはＶａｋの立ち上がりを検出して一定時間後に制御回路２４がゲート抵抗を大きな抵抗から小さな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】電流制限動作時におけるパワーＭＯＳトランジスタの消費電力を低減させることにより、パワーＭＯＳトランジスタの発熱、すなわちパワーＭＯＳ回路の発熱を抑制することが可能なパワーＭＯＳ回路を実現する。
【解決手段】本発明に係るパワーＭＯＳ回路１は、電流制限回路１２が負荷２０に流れる電流を制限する場合に、パワーＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲート端子に印加されるゲート電圧の変化を示すゲート電圧波形を、負荷２０に流れる電流が制限電流値を超えて流れている間の時間に比べて短い周期を有するパルス波形にするために、電流制限回路１２に静電容量Ｃ１を備え、電流制限回路１２の有する発振周波数によって、パワーＭＯＳトランジスタＴｒ１のオン・オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の発熱による瞬間的な温度変化によらず、半導体スイッチング素子が形成されたチップの実際の緩やかな温度変化となる素子全体の温度に基づいてパワー素子を駆動できるようにする。
【解決手段】温度センサ６を制御ＩＣ３に内蔵し、スイッチＩＣ５には備えない構造とする。そして、スイッチＩＣ５と制御ＩＣ３とが金属もしくはセラミックスにて構成される基板８を介して機械的に接続された構造とする。このような構造の場合、温度センサ６は、スイッチＩＣ５の温度を直接検出することができないが、スイッチＩＣ５の温度が上昇すると、それが基板８を通じて制御ＩＣ３に伝わり、制御ＩＣ３の温度が上昇するため、制御ＩＣ３に内蔵された温度センサ６によって制御ＩＣ３の温度変化を間接的に検出することが可能となる。 （もっと読む）