【課題】半導体スイッチング素子の発熱による瞬間的な温度変化によらず、半導体スイッチング素子が形成されたチップの実際の緩やかな温度変化となる素子全体の温度に基づいてパワー素子を駆動できるようにする。
【解決手段】温度センサ６を制御ＩＣ３に内蔵し、スイッチＩＣ５には備えない構造とする。そして、スイッチＩＣ５と制御ＩＣ３とが金属もしくはセラミックスにて構成される基板８を介して機械的に接続された構造とする。このような構造の場合、温度センサ６は、スイッチＩＣ５の温度を直接検出することができないが、スイッチＩＣ５の温度が上昇すると、それが基板８を通じて制御ＩＣ３に伝わり、制御ＩＣ３の温度が上昇するため、制御ＩＣ３に内蔵された温度センサ６によって制御ＩＣ３の温度変化を間接的に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧低下時であっても、出力トランジスタの発熱による破壊を防ぐこと。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置（１）は、出力トランジスタ（Ｍ０）と、負荷制御回路（３）と、電源プルアップ回路（７）とを具備している。出力トランジスタ（Ｍ０）は、電源電圧が供給される電源端子（Ｖｃｃ）と、負荷（１２）に接続された出力端子（ＯＵＴ）との間に接続されている。負荷制御回路（３）は、制御信号に応じて、出力トランジスタ（Ｍ０）をオンするための負荷制御用ゲート電圧を出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）に出力する。電源プルアップ回路（７）は、電源端子（Ｖｃｃ）と、出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）との間に接続され、負荷（１２）が短絡し、電源端子（Ｖｃｃ）に供給される電圧が電源電圧よりも低いときに、出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）に蓄積された電荷を電源端子（Ｖｃｃ）に放電する。 （もっと読む）

【課題】電動モータの駆動装置において、電動モータを駆動するための素子の温度と保証上限温度の関係において電動モータの給電状態を最適に制御して電動モータの静粛性と駆動継続性を両立させる。
【解決手段】電動モータの駆動装置のマイクロプロセッサは、スイッチング素子の温度または該温度に相関のある温度を取得し（ステップ１０４）、電動モータへの給電を開始した時点以降であって温度取得手段によって取得された温度が第１判定温度より低温の状態から同第１判定温度に到達するまでは、デューティ比が１００％未満であるＰＷＭ制御による給電を要求する第１駆動要求をモータ制御部に対する駆動要求として決定し、前記取得された温度が第１判定温度以上であるときは、直流電源の電圧を１００％供給する給電を要求する第２駆動要求をモータ制御部に対する駆動要求として決定する（ステップ１０８，１１０，１１６〜１２０）。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタの電流リーク故障の故障判定について、その判定の精度を向上するための技術を提案するものであり、この技術により、例えば、自動車のブレーキ制御装置への適用においては、より確実な故障判定を実現可能とするものである。
【解決手段】スイッチングトランジスタＴｒ１のリーク電流を電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）にてモニタして前記スイッチングトランジスタの故障を検出する方法であって、前記電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）にて検出した前記スイッチングトランジスタＴｒ１のリーク電流に相当する電圧値から、前記電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）が有する検出誤差に相当する電圧値を差し引いた値を求めることとする。 （もっと読む）

【課題】基板抜け電流の低減と寄生ＮＰＮトランジスタ駆動による回路の破壊及び誤動作を防止できる誘導性負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】第１トランジスタ１１のドレインが第１電源１６に、ソースが第２トランジスタ１２のドレインと誘導性負荷１８に接続され、第２トランジスタ１２のソースが接地され、第１，第２トランジスタ１１，１２を制御する出力制御部１０Ａは、第５トランジスタ１５のソースが第２電源１７に接続され、ドレインが第１トランジスタ１１のゲートに接続され、第３トランジスタ１３のドレインが第１トランジスタ１１のゲートに接続され、ソースが第１トランジスタ１１のソースに接続され、第４トランジスタ１４のドレインが第１トランジスタ１１のゲートに接続され、ソースが接地され、第５トランジスタ１５のゲートに第１の駆動信号ＤＳ１が接続され、第２トランジスタ１２のゲートに第２の駆動信号ＤＳ２が接続される。 （もっと読む）

【課題】回路素子数をより削減して適切な回路動作を行なうことができる逆流防止回路を提供する。
【解決手段】電源端子１２と入力端子２をプルアップする抵抗素子９との間に、寄生ダイオード１６Ｄの方向が入力端子２側から見て逆方向となるようにＦＥＴ１６を接続し、クランプ回路２２は、入力端子２に過電圧が印加されるとＦＥＴ１６をオンさせる。 （もっと読む）

【課題】外部ＦＥＴおよび外部ＦＥＴを駆動する回路の両方を保護することが可能な半導体集積回路および電源装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、外部のＦＥＴＭ１１に結合されるトランジスタＭ１およびトランジスタＭ２を含み、トランジスタＭ１がオン状態であり、かつトランジスタＭ２がオフ状態のときにＦＥＴＭ１１がオフ状態となるスイッチング制御回路１Ａと、トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２がオフ状態の場合、ＦＥＴＭ１１をオフ状態とするためのバイアス電圧をＦＥＴＭ１１に供給するバイアス回路２Ａと、異常が検出された場合には、トランジスタＭ１をオン状態とし、かつトランジスタＭ２をオフ状態とすることによりＦＥＴＭ１１をオフ状態とし、所定時間経過後、トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２をオフ状態とする保護制御回路３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｎチャネル型の出力トランジスタを駆動するに際して高速スイッチングと消費電力低減の両立を実現することが可能な駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る駆動回路は、昇圧電圧ＶＣＰの印加端と接地端との間に直列接続された一対のスイッチ素子（Ｐ１、Ｎ１）と、両スイッチ素子の接続ノードＡと出力端Ｔ２との間に接続されたクランプ素子ＺＤ１と、を有して成り、接続ノードＡから引き出される電圧信号に基づいて、電源電圧ＶＣＣの印加端と出力端Ｔ２との間に接続されたＮチャネル型の出力トランジスタＱ１を駆動する駆動回路であって、接続ノードＡと昇圧電圧ＶＣＰの印加端及び接地端とを結ぶ電流経路の少なくとも一方に、抵抗と容量を並列接続して成る電流制限部（ＩＬ１、ＩＬ２）を挿入して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ノーマルモードチョークコイルの自己共振周波数による特性変化と、他の主回路やフィルタ構成部品との共振により発生する雑音端子電圧の大幅な悪化を防止すること。
【解決手段】電源装置から流出するスイッチングリプルを低減するノーマルモードチョークコイルＬｎを少なくとも１つ以上有する半導体電力変換装置のノイズフィルタ回路において、そのノーマルモードチョークコイルＬｎに、並列にコンデンサＣｐａｒａを接続してノイズフィルタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動回路において、品質または信頼性の向上を実現する。
【解決手段】例えば、出力トランジスタＱ３のゲートとプリドライバ回路ＰＤの間に抵抗Ｒ４を設け、Ｒ４の一端とＱ３のソース端子Ｓとの間にＺＤ１，ＺＤ２からなる第１クランプ回路を設け、Ｒ４の他端とソース端子Ｓとの間にＺＤ３，ＺＤ２からなる第２クランプ回路を設ける。また、Ｑ３のゲートと接地端子ＰＧの間に抵抗Ｒ２を設け、ＳとＰＧは、パッケージ上で同一の外部ピン（接地電圧ＧＮＤ）に接続する。第２クランプ回路のクランプ電圧は第１クランプ回路よりも大きく設計される。Ｑ３のゲートに対して端子ＭＰよりストレス電圧を印加する際、第２クランプ回路のクランプ電圧まで印加可能となり、また、ＭＰ１とＳによってＲ２の影響を受けずにＱ３のゲートリーク電流を測定可能となる。 （もっと読む）

【課題】 駆動用ＭＯＳトランジスタ及びセンス用ＭＯＳトランジスタによる電流検出機能が内蔵された半導体集積回路においても、その内部で駆動用ＭＯＳトランジスタのＯＮ故障を検出できるようにする。
【解決手段】 駆動用ＭＯＳトランジスタ１１のドレイン電圧をＯＮ状態検出コンパレータ２１に取り込むことで、駆動用ＭＯＳトランジスタ１１がＯＮ状態か否かを検出する。駆動用ＭＯＳトランジスタ１１がＯＮ状態の場合、ＯＮ状態検出コンパレータ２１からの出力はローレベルとなり、ＯＮ故障検出ＡＮＤゲート２７にはフィルタ２６を介してハイレベル信号が入力される。このとき、ゲート駆動信号がローレベル（各ＭＯＳをオフさせるレベル）であれば、ＮＯＴゲート２８を介してＯＮ故障検出ＡＮＤゲート２７にはハイレベル信号が入力される。そのため、ＯＮ故障検出ＡＮＤゲート２７の出力はハイレベルとなり、ＯＮ故障が検出される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳゲート構造を有する主スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路において、入力容量に起因する不要振動を防止し、高周波化に伴う駆動損失の低減を可能とするゲート駆動回路を絶縁型にて構成すること。
【解決手段】所定の直流電圧を出力する直流電源Ｖｃｃ１と、一次巻線と一次巻線に磁気結合される第１、第２の二次巻線とを有するトランスＴ１と、所定の制御信号に基づいてトランスＴ１の一次巻線に印加する直流電圧の極性を周期的に切り換える印加電圧極性切換回路と、第１の二次巻線に接続されるダイオードＤ５〜Ｄ７を有する共振防止用クランプ回路３０ａと、第２の二次巻線に接続されるダイオードＤ８〜Ｄ１０を有する共振防止用クランプ回路３０ｂと、共振防止用クランプ回路３０ａ、３０ｂから流入する回収電力をそれそれ受け入れる吸込型電源Ｖｃｃ２ａおよびＶｃｃ２ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】インバータを駆動する駆動信号の立ち上がり時または立ち下がり時の遅れ時間を調整することが可能な位相調整回路を提供する。
【解決手段】位相調整回路５４をドライバ回路５５の前段に設け、ヒステリシスコンパレータ５６からの出力は位相調整回路５４を介してドライバ回路５５に入力し、位相調整回路５４は、ドライバ回路５５に入力される信号の立ち上がりまたは立ち下がりのいずれか少なくとも一方を遅延させることにより、ドライバ回路５５に入力される入力信号のパルス幅と、ドライバ回路５５にて駆動されるインバータ１３のスイッチング素子Ｓ４から出力される信号のパルス幅とのずれを調整する。 （もっと読む）

【課題】対をなす回路構成毎に均等に熱分散を実現しつつ、各部をコンパクトに高密度で実装することが可能な電源装置を提供する。
【解決手段】負荷に電力を伝送する主回路として、回路的に対称な一方の回路素子（整流用ダイオード９Ａ，９Ｃと、スイッチ素子１２Ａと、コンデンサ１３Ａと、出力ダイオード１６と、出力コンデンサ１９）と他方の回路素子（整流用ダイオード９Ｂ，９Ｄと、スイッチ素子１２Ｂと、コンデンサ１３Ｂと、出力ダイオード１７と、出力コンデンサ２０）が存在する。一方の回路素子を含む第１の対称構造部としての対称構造部３４Ａ，３５Ａと、前記他方の回路素子を含む第２の対称構造部としての対称構造部３４Ｂ，３５Ｂを、空気の流れＦに対して直交に並べて配置する。 （もっと読む）

【課題】 ブリッジ接続のＦＥＴスイッチの誤動作を防止し、スイッチングスピードを向上させる。
【解決手段】 トランス１２，２２の二次側にそれぞれ二つの巻線（１２ｂ，１２ｃ，２２ｂ，２２ｃ）を設け、ドライブ信号Ｓ１がオンレベルのときは、巻線１２ｂよりＦＥＴ２０１のゲート電圧をプラス電位にしてＦＥＴ２０１をオンさせる。ドライブ信号Ｓ１がオフレベルのときは、巻線１２ｂによりＦＥＴ２０１のゲート電圧をマイナス電位にする。この状態で、ドライブ信号Ｓ２がオフレベルにあるとき、巻線２２ｃに電流が流れ、ＦＥＴ２０１のゲート電圧がさらにマイナス電位となってＦＥＴ２０１が確実にオフするように制御する。ＦＥＴ２０２についても同様に制御する。 （もっと読む）

【課題】電子制御ユニットから発生する熱に対して伝導によって放熱するとともに、輻射熱として吸熱して放熱すること。
【解決手段】アルミニウム製ケース１２と、アルミニウム基板１４と、電子部品１６を備え、アルミニウム基板１４はアルミニウム製ヒートシンク１８に接合され、アルミニウム基板１４上にパワー系半導体素子２０などが実装され、ケース１２の内側には、アルミニウムよりも輻射熱Ｒに対する吸収率の高い物質を含む吸熱層２２がパワー系半導体素子２０を取り囲むように形成され、パワー系半導体素子２０から発生する熱は、アルミニウム基板１４とヒートシンク１８を伝導して外部に排熱され、輻射熱Ｒとして吸熱層２２に吸熱した後、ケース１２を伝導してケース１２外部に排熱される。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動用のスイッチング素子のゲート−ソース間にクランプ回路を設けることなく、負荷駆動用のスイッチング素子として、ゲート−ソース間耐圧の低いスイッチング素子を用いる。
【解決手段】ドライブ回路１１は、コンデンサ１３によって供給される電源電圧以下の振幅で信号を出力し、コンデンサ１３の端子間電圧がパワーＭＯＳＦＥＴ１０のゲート−ソース間耐圧以下となるようにコンデンサ１３の端子間電圧を固定する電位固定回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧を抑制する接続導体を提供する。
【解決手段】電圧が変化する電気回路に用いられる接続導体であって、一の極に接続されるための正極側バスバー１と、他の極に接続されるための負極側バスバー２とを備える。正極側バスバー１および負極側バスバー２は、それぞれが板状に形成されている。正極側バスバー１および負極側バスバー２のそれぞれは、断面形状がＵ字形に形成されているＵ字部１ｅ，２ｅを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等の電圧駆動型素子のターンオン動作時に、コレクタ電流の大小の判定を行うことなくコレクタ電圧の時間変化量を制御可能とする電圧駆動型素子のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート信号（ＶＧ）を抵抗（Ｒ２）を介してベース端子に入力するＮＰＮトランジスタ（Ｑ２）を、ＩＧＢＴ（Ｑ１）のゲート端子に抵抗（Ｒ１）を介して接続し、直列接続したコンデンサ(Ｃ１)とダイオード（Ｄ２）とをＩＧＢＴ（Ｑ１）のコレクタ端子とＮＰＮトランジスタ（Ｑ２）のベース端子との間に接続することにより、ＩＧＢＴ（Ｑ１）のターンオン動作時に、ＩＧＢＴ（Ｑ１）のコレクタ電圧の時間変化量（ｄＶｃｅ／ｄｔ）に基づいて、ゲート電流（Ｉｇ１）を制御し、ゲート電荷の充電速度を調整可能とする。また、コンデンサ（Ｃ１）に蓄積した電荷をターンオフ時に放電するダイオード（Ｄ１）をコンデンサ（Ｃ１）、ゲート信号（ＶＧ）間に接続する。 （もっと読む）

【課題】過大なサージ電圧による破壊とスイッチング損失をより低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが導通状態から非導通状態に遷移し始める際、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間には、スイッチング時のコイルＬ１に流れる電流Ｉ１を遮断する際の電流変化率ｄＩ／ｄｔの大きさとインバータ回路内部の電極配線インダクタンスに比例したサージ電圧が生じる。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１がオフする時間（オフ時間）内にＭＯＳトランジスタＦＥＴ１を一時的に導通させる。ＭＯＳトランジスタＦＥＴ１を一時的に導通させると電流Ｉ１の一部の電流をＭＯＳＦＥＴ１にバイパスさせることができる。そうすると、見かけ上の電流Ｉ１の電流変化率ｄＩ／ｄｔが緩和されるため絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１に発生するサージ電圧が抑制される。 （もっと読む）