【課題】機械的特性、電気的特性に優れた電力モジュールを提供する。
【解決手段】半導体デバイスパッケージが、ＤＢＣから形成され、このＤＢＣでは、薄くされたＭＯＳｇａｔｅｄダイまたはダイオードダイ３１が、上側導電層内４３のエッチングされたくぼみ５０の最下部にはんだ付けされる。このＤＢＣの絶縁層内４１のビアに、導電材料を充てんして、抵抗性シャントを形成する。複数のパッケージを、１つのＤＢＣカード内で形成することができ、個別に、またはクラスタで分離することができる。個々のパッケージは、支持ＤＢＣ基板、およびヒートシンクにさまざまなアレイで取り付けられる。集積回路を、アセンブリに取り付け、ダイ導通の制御のためにダイに接続することができる。 （もっと読む）

【課題】他相のパワーＭＯＳＦＥＴのターンオフによるサージ電圧には反応せず、自相のターンオフによるサージ電圧にのみ動作する半導体スイッチのゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【構成】この発明は、第１及び第２の主端子と制御端子とを有するパワー半導体スイッチの直列接続体を複数段並列接続して構成されたブリッジ型電力変換装置において、上記パワー半導体スイッチの第１の主端子と制御端子との間に、前記パワー半導体スイッチがターンオフするときのみ前記パワー半導体スイッチの第１及び第２の主端子間の電圧を所定値に制限するゲート駆動回路を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度、及び周囲温度を考慮して半導体素子を保護することのできる半導体素子の保護装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン、ソース間電圧ＶDSと、所定の判定電圧Ｖ４とを比較するコンパレータＣＭＰ１と、該コンパレータＣＭＰ１にて、ドレイン、ソース間電圧ＶDSが電圧Ｖ４よりも大きいと判定された際に、ＦＥＴ（Ｔ１）を遮断する手段と、を有し、ＦＥＴ（Ｔ１）のチャンネル温度が許容温度上限のときの、オン抵抗Ｒonと、ジュール熱による自己発熱によりチャンネル温度が許容温度の上限値に到達する最小の電流値と、の積を臨界電圧とし、判定電圧を、臨界電圧以下に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増加することなく簡単な構成で配線インダクタンスに起因した誤動作を防止することができる駆動制御回路を提供する。
【解決手段】電圧変換部１６のグランドラインＲＥがドライブ回路１４のグランドラインＤＥに接続されると共にドライブ回路１４のグランドラインＤＥがパワー素子３のグランド端子ＰＥに接続され、内部電源発生部１５のグランドラインＧＮＤ１から電気的に切り離されている。このため、パワー素子３のスイッチング動作に伴ってパワー素子３のグランド端子ＰＥと内部電源発生部１５のグランドラインＧＮＤ１との間に配線インダクタンスＬｃに起因して電位差ΔＶが発生しても、ドライブ回路１４のグランドラインＤＥとパワー素子３のグランド端子ＰＥとの間に電位差が発生することが抑制され、ドライブ回路１４から出力された駆動信号Ｓｄに対し、パワー素子３が誤動作を生じることなく、正常に駆動制御される。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置において、並列接続される電気部品間の電流アンバランスを抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換装置においては、正極及び負極端子を有する第１及び第２の電気部品が、正極側電極と負極側電極によって並列接続されるが、正極側電極は、第１の電気部品の正極端子及び第２の電気部品の正極端子にそれぞれ接続される第１の導体領域及び第２の導体領域を有し、負極側電極は、第１の電気部品の負極端子及び第２の電気部品の負極端子にそれぞれ接続される第３の導体領域及び第４の導体領域を有する。そして、第１の導体領域と第４の導体領域は、電気的絶縁を確保しながら積層対向する第１の対向部分を有し、第２の導体領域と第３の導体領域は、電気的絶縁を確保しながら積層対向する第２の対向部分を有する。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の動作電圧をシリーズレギュレータで発生するように構成されている電源回路において、制御信号によりレギュレータの動作を許可した直後に、レベルシフト回路やドライブ回路などの動作が不安定となり、例えば出力トランジスタに貫通電流が流れるなどの不具合が起きる。
【解決手段】 入力直流電圧を受けて内部電源電圧を発生する内部電源回路（３０）と、前記内部電源回路により発生された内部電源電圧により動作する内部回路と、前記内部電源電圧と前記入力直流電圧を受けて前記内部回路（２２〜２４）より出力された信号をレベル変換して出力するレベルシフト回路（２５）とを備えた電源回路において、レベルシフト回路の後段に、前記内部電源電圧を監視して該内部電源電圧が所定の電位に達した後、所定時間が経過するまで前記レベルシフト回路の出力信号を出力させないようにする遅延回路（２６）を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 インバータ回路における貫通電流の発生を防止すること。
【解決手段】 本発明のインバータ回路は，ドライブトランス５０３と，ドライブトランス５０４と，電源回路１３と，ドライブトランス５０３の二次側によって駆動される高圧側ＦＥＴ５０５と，ドライブトランス５０４の二次側によって駆動される低圧側ＦＥＴ５０６と，駆動端子５３０によって駆動されるインバータトランス３２０とからなり，高圧側ＦＥＴ５０５のゲートと駆動端子との間には駆動端子からゲートへと向かう直流電流の経路が存在せず，第１のクロック信号の１サイクルの間に，駆動ノードと比較してゲートの電圧が負電圧となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子がオン、オフすることによりトランスを介して直流電源から得られる電力をさらにコイルを介して複数の負荷に分配する多出力絶縁コンバータにおいて、スイッチング素子にかかるサージ電圧を抑える。
【解決手段】１次側コイル３１の一方端が直流電源３２と接続されるトランス３３と、１次側コイル３１の他方端と接続されるスイッチング素子３５と、トランス３３の２次側コイル３６にダイオード３７及びコンデンサ３８を介して接続される出力端子３９と、トランス３３の２次側コイル４０に接続される絶縁型コンバータ５３のコイル５４と、２次側コイル４０とコイル５４との間に設けられコイル５４と共に微分回路を構成する電流抑制素子２とを備えて多出力絶縁コンバータ１を構成する。 （もっと読む）

【課題】電位制御回路に製造ばらつきがあっても正常に電流の異常を検出することが可能な電流異常検出回路及びその異常検出時電流値調整方法を提供する。
【解決手段】分圧回路４０の下流側に配したバイアス抵抗４２のバイアス電圧Ｖｂを調整して、第１異常用閾値電圧Ｖocを第２異常用閾値電圧Ｖfcと同じ量だけ底上げするという１箇所に対する調整作業で「過電流異常」に検出精度の低下を抑制しつつ、高い検出精度が求められる「ヒューズ異常」についてオフセット電圧ΔＶ、第２異常用閾値電圧Ｖfc及び比較回路３２のばらつきによる影響を一度に排除できる。 （もっと読む）

本発明は、デバイス（１２、１４）の作動を制御するのにトランジスタスイッチ（４４、５４）を使用する、特に回路装置に対する電気デバイスの直列接続部内の制御スイッチおよびそれらスイッチを作動させる方法に関する。トランジスタスイッチはゲート−ソース間の電圧差を必要とするが、他方で、それらのソース（ｓ）およびドレイン（ｄ）がメイン回路の分岐路に接続されているので、この電圧差は、例えば抵抗器（４２、５２）を通して制御電流（Ｉ₁、Ｉ₂）を供給することによって発生する。この制御電流（Ｉ₁、Ｉ₂）はメイン電流（Ｉ）に加算されるので、これによってデバイス、例えばＬＥＤ（１２、１４）の作動に影響が及ぶ。これを補正するために例えばパルス幅変調におけるパルス幅を適応化することにより、上流側の１つ以上の制御電流（Ｉ₁）の値に対して制御電流（Ｉ₂）を補正する。 （もっと読む）

ここで提案されているのは、半導体スイッチ（４００）をガルバニック絶縁で駆動制御する回路装置（１００）ならびに方法である。この回路装置（１００）は、制御回路（１０１）と、ドライバ回路（１０２）と、スイッチ信号としての前記制御回路（１０１）からの駆動制御信号を前記ドライバ回路（１０２）にガルバニック絶縁に伝送する変換器（２００）と、スイッチ信号を整流する手段（３０１，３０２）とを有しており、上記のドライバ回路（１０２）には、ゲート電極（４０１）と、ソース電極（４０２）と、ドレイン電極（４０３）とを有する半導体スイッチ（４００）が含まれており、この半導体スイッチ（４００）は、前記のゲート電極（４０１）とソース電極（４０３）との間の所定の第１電圧によってスイッチング可能であり、これによって前記のドレイン電極（４０３）とソース電極（４０１）との間に所定の電流が流れ、上記のスイッチ信号は前記ゲート電極（４０１）に加えられて、前記半導体スイッチ（４００）がスイッチングされ、上記のドライバ回路（１０２）には、ベース電極（３２１）と、エミッタ電極（３２２）と、コレクタ電極（３２３）とを有する制御トランジスタ（３２０）が含まれており、この制御トランジスタ（３２０）は、前記のベース電極（３２１）とエミッタ電極（３２２）との間の所定の第２電圧によってスイッチング可能であり、これによって前記のエミッタ電極（３２２）およびコレクタ電極（３２３）を介して、上記の半導体スイッチ（４００）のゲート電極（４０１）と、半導体スイッチ（４００）のソース電極（４０２）とを接続してこの半導体スイッチをスイッチングする。ここでは上記の第２電圧を整流した第３電圧を形成する電圧形成手段（３５０）が、前記の制御トランジスタ（３２０）のベース電極（３２１）とコレクタ電極（３２３）との間に設けられている。これによって半導体スイッチの動作を簡単に改善することが可能である。
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【課題】 電界効果トランジスタのＯＮ抵抗に基づき電流供給線路のソース側とドレイン側とに発生する電圧を利用して、より正確に過電流を検出することが可能な過電流検出回路を提供する。
【解決手段】 電流供給線路Ｓに介在し、電流供給回路Ｓにソース及びドレインが接続された電界効果トランジスタ１と、電界効果トランジスタ１のソース側の接続点Ｐ４とドレイン側の接続点Ｐ３とで電流供給線路Ｓの電圧を検出し、検出した電圧の差が所定の基準値以上になったときに過電流検出信号を出力するコンパレータ３とを有する過電流検出回路１００であって、ドレイン側の電流供給線路Ｓを分割して間に抵抗器Ｒ３を実装し、抵抗器Ｒ３に対してさらに並列にＮＴＣサーミスタ７を実装するとともに、並列に実装された抵抗器Ｒ３とＮＴＣサーミスタ７とにより発生する電圧をコンパレータ３に印加し、電界効果トランジスタ１とＮＴＣサーミスタ７とを熱的に結合する。 （もっと読む）

【課題】直列接続されたパワートランジスタの導通・遮断の電流を抑制し、同時導通防止を施したゲートドライバおよびこれを含むモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】パワートランジスタ１を導通させる電流源１１と遮断させる電流源１２とを備え、電流源１１はパワートランジスタ１を遮断から導通に切替える際、第１電流値を出力し、導通に切替った後はその状態を保持する第２電流値を出力するものであり、電流源１２はパワートランジスタ１を導通から遮断に切替える際、第３電流値を出力し、遮断に切替った後はその状態を保持する第４電流値を出力するものであり、第２，第４電流値は第１，第３電流値に比べて小さな値の電流値であり、パワートランジスタ２を遮断から導通に切替える際、電流源１２に第３電流値を出力させることで、パワートランジスタ１のゲート電極の電位上昇を防止するように構成したゲートドライバおよびこれを含むモータ駆動装置。 （もっと読む）

【課題】効率の優れた電力変換装置を提供する。
【解決手段】全波整流回路を構成するダイオードのうち、少なくとも１つのダイオードをＭＯＳＦＥＴ３にて置き換えた整流回路と、各々のＭＯＳＦＥＴ３毎に備えられたＭＯＳＦＥＴ駆動手段６と、各々のＭＯＳＦＥＴ３のドレイン電位とソース電位とを比較する電圧比較手段７とを備えた電力変換装置において、各々のＭＯＳＦＥＴ駆動手段６は、通常ＭＯＳＦＥＴ３がオンとなるように駆動し、電圧比較手段７においてドレイン電位がソース電位よりも高い場合にのみＭＯＳＦＥＴ３をオフする。 （もっと読む）

【課題】電流異常検出を正常に行えるかどうかについて自己診断が可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】過電流検知回路１３が正常に電流異常を検出できる状態では、診断用電流ＩｘがＲＣ並列回路１２に流れて端子電圧Ｖｏが閾値電圧Ｖｒに達し、過電流検知回路１３はローレベルの異常信号Ｓ２を出力し、カウンタ回路８０がカウンタ値「ｎ」までカウントしたときに、保護用論理回路４０は、過電流検知回路１３が「電流異常正常検出可能」であると判定し、ハイレベルの制御信号Ｓ５を出力するようになり、ＦＥＴ７２がオフ動作（遮断動作）し、直流電流源７１からの診断用電流Ｉｘがカレントミラー回路に流れなくなる。 （もっと読む）

【課題】低損失で高効率のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】昇圧を目的とする第１の半導体スイッチ５を駆動するゲート駆動回路１１の内部回路定数を、前記第１の半導体スイッチに対して直列に接続され電源回生を目的とする第２の半導体スイッチ４を駆動するゲート駆動回路１０の内部回路定数に比べて、スイッチング時間が短くなるように設定（選択）することにより、サージ電圧は高くなるが、その代わりにスイッチング損失を低減できるようにし、高効率，低コスト化を実現する。 （もっと読む）

【課題】
高出力・高品位用途のデジタルアンプに要求されるノイズレベルの実現に有効なデジタルアンプを提供する。
【解決手段】
Ｄ級ドライブ回路１３０の後段に、該ドライブ回路に含まれるリップル成分の逆相波形を生成するリップル抽出回路１０を接続し、このリップル抽出回路が生成した逆相波形をローパスフィルタ１４０を構成するコイルＬ１の後段に負荷する。この構成において、主経路と副経路の電源電圧Ｖ１およびＶ２と、コイルＬ１およびＬ２のインダクタンス値Ｌ１およびＬ２を「Ｖ１／Ｌ１＝Ｖ２／Ｌ２」の条件に設定することで、主経路に含まれたリップル成分を相殺する。 （もっと読む）

【課題】 ハイサイド側のスイッチング素子及びローサイド側のスイッチング素子が同時にオフするデッドタイムを短縮し、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率を向上させる。
【解決手段】 降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータ１には、第１のＯＦＦ検出回路２ａ、第２のＯＦＦ検出回路２ｂ、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２、ダイオードＤ１、インバータＩＮＶ１乃至４、インバータＩＮＶ６、インバータＩＮＶ７、インダクタＬ１、第１のレベルシフト回路ＬＳ１、第２のレベルシフト回路ＬＳ２、第３のレベルシフト回路ＬＳ３、２入力ＮＡＮＤ回路ＮＡＮＤ１、２入力ＮＡＮＤ回路ＮＡＮＤ２、ハイサイド側のＮｃｈ パワーＭＯＳトランジスタＮＴ１、及びローサイド側のＮｃｈ パワーＭＯＳトランジスタＮＴ２が設けられている。第１のＯＦＦ検出回路２ａ及び第２のＯＦＦ検出回路２ｂは、Ｎｃｈ パワーＭＯＳトランジスタのゲートの立ち下り時間を短縮し、デッドタイムを短縮する。 （もっと読む）

【課題】 負側電源の故障が発生しても、絶縁ゲート型半導体素子が誤オン動作しないような安全な絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を得る。
【解決手段】 正側電源２Ａと負側電源２Ｂで動作し、絶縁ゲート型半導体素子３のゲート駆動を行うＦＥＴ１２Ａ及びＦＥＴ１２Ｂから成るトーテムポール回路と、ゲート制御ＩＣ１１と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ａのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ａ及び抵抗１４Ａから成る直列回路と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ｂのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ｂ及び抵抗１４Ｂから成る直列回路とで構成し、ツェナーダイオード１５Ａの降伏電圧は、正側電源の電圧からＦＥＴ１２Ａのゲートしきい値電圧を減算した値より大きく、ツェナーダイオード１５Ｂの降伏電圧は、負側電源の電圧からＦＥＴ１２Ｂのゲートしきい値電圧を減算した値より小さく選定する。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧抑制及び短絡保護のためのより信頼性の高い並列接続された電力用スイッチング素子の電圧検出方法及びこれを用いた電力変換装置を提供する
【解決手段】 高圧側端子４と低圧側端子５を有する複数個の電力用スイッチング素子１を並列接続して成る電力変換器と、前記電力用スイッチング素子の制御極を制御する制御手段と、各々の前記電力用スイッチング素子１の高圧側端子４と低圧側端子５の間に設けられた複数個の抵抗６、７を直列接続して成る電圧検出回路とで構成し、各々の前記電圧検出回路により検出された電圧検出値のうち最大値となる電圧検出値を、並列接続された複数個の電力用スイッチング素子１の検出電圧値とし、前記制御手段は、前記検出電圧値に応じて電力用スイッチング素子１の制御極を制御するようにする。 （もっと読む）