【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子Ｑ１のゲートに正電圧を印加してオンさせ、ゲートに負電圧を印加してオフさせる駆動部２と、スイッチング素子Ｑ１に逆方向電流が流れる前にゲートへの負電圧の印加を解除する負電圧解除部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップダイオード（ＢＳＤ）を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部１０は、抵抗Ｒ１からなる回路である。抵抗Ｒ１の一方の端子は、Ｐ母線と接続している。抵抗Ｒ１の他方の端子は、コンデンサＣ１およびツェナーダイオードＤ１の並列回路の一端と接続している。コンデンサＣ１は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路（ＨＶＩＣ４）に印加する。抵抗Ｒ１は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサＣ１と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサＣ１に印加する。抵抗Ｒ１によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサＣ１を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】トランジスタＭＮ３とトランジスタＭＮ４とをオン／オフさせるパルス発生回路１０、第１抵抗Ｒ１の両端に第３抵抗Ｒ９と非線形特性を有し且つ一定以上のｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加された場合にオンするダイオードＤ３〜Ｄ６とが接続された直列回路、第２抵抗Ｒ２の両端に第３抵抗と同じ抵抗値を有する第４抵抗Ｒ１０とダイオードとが接続された直列回路、ＭＮ３がオンである場合にセット信号、ＭＮ４がオンである場合にリセット信号を生成し、ＭＮ３のドレインにおける電位とＭＮ４のドレインにおける電位との間において電圧差が生じていない場合にはいずれの信号も生成しない制御部、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ１２を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子を用いたセルを複数カスケード状に接続して構成される電力変換装置を制御する場合、複数のセルと中央制御装置間で通信を行う必要があるがセル数の増大により通信の情報量および情報処理の負荷が増大する。本発明の課題は、各セルと中央制御装置との間で通信する情報量を低減することである。
【解決手段】本発明の電力変換装置は、複数のセルをカスケード状に接続して構成されるアームを複数備え、前記セルを構成する中央制御装置と通信を行うセル制御装置への電力供給を主回路から供給する機能を備えるものである。
【効果】本発明の電力変換装置では、各セルのセル制御装置の電力を主回路から供給することにより、各セルの主要部品が故障した時に該当セルのセル制御装置と通信ができなくなることにより、該当セルが故障したことを中央制御装置が認識できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるＶＣＣ電位を該低圧側駆動回路に与えるＶＣＣ端子と、アノードが該ＶＣＣ端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるＶＢ電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該ＶＢ電位が該ＶＣＣ電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を駆動するためのドライバを低コストで得ることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、ノーマリーオン型の第５の電界効果トランジスタ１６，１７を含み、入力信号処理部６５から受けたスイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部６２と、ノーマリーオン型の第１の電界効果トランジスタ５１および第３の電界効果トランジスタ５３と、ノーマリーオフ型の第２の電界効果トランジスタ５２および第４の電界効果トランジスタ５４とを備え、レベルシフト部６２、第１の電界効果トランジスタ５１および第３の電界効果トランジスタ５３は第１の半導体チップ７１に含まれている。 （もっと読む）

【課題】負荷への電力投入時における突入電流による素子の破壊又は劣化を防止しうる負荷制御装置を提供する。
【解決手段】操作スイッチ４から起動信号を受信したときに、制御部１３は、第１電源部１４への電力を供給する電源が第２電源部１５から第３電源部１６に切り替わる前に、主開閉部１１に対して主スイッチ素子１１ａを導通させるための初期駆動信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失低減のためにゲート抵抗を小さくすると、ゲート・ソース間電圧が振動しスイッチング素子が誤動作すること、ゲート駆動回路用電源が大型になることなどが問題となる。
【解決手段】トランス６ａとコンデンサ７の直列回路をスイッチング素子と並列に接続し、前記トランスと磁気結合した第１の巻線を第１のダイオード８を介して前記スイッチング素子の正極端子とゲート端子との間に、前記トランスと磁気結合した第２の巻線を第２のダイオード９を介して前記スイッチング素子の負側端子とゲート端子との間に、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】供給される電源電圧が変動する場合であっても、電力用の半導体スイッチング素子を安定に動作させることが可能な駆動制御回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２の駆動制御回路１は、分圧回路２０と、駆動部１０と、定電圧回路３０とを備える。分圧回路２０は、直流電源４０から供給された電源電圧ＶＳを分圧し、分圧された電源電圧ＶＳを取出すための分圧ノードＮＤを有する。分圧ノードＮＤは、ＩＧＢＴ２のエミッタＥと接続される。駆動部１０は、外部から入力された制御信号ＳＧに応じて、ゲート電極Ｇを、直流電源４０の正極側の電源ノードＮＰおよび分圧ノードＮＤのいずれかと電気的に接続することによってＩＧＢＴ２をオンまたはオフにする。定電圧回路３０は、正極側の電源ノードＮＰと分圧ノードＮＤとの間に接続され、これらのノードＮＰ，ＮＤ間の電圧を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】ＵＶＬＯ機能を内蔵したドライバ装置を提供する。
【解決手段】電源に接続された第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子と直列接続された第２と、第３と、前記第３のスイッチ素子と並列接続された第４のスイッチ素子と、一端が前記第３及び第４のスイッチ素子に接続され、他端が前記第１のスイッチ素子の制御電極に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗を介して前記第３のスイッチ素子の負荷となるカレントミラーと、前記カレントミラーに電流を流す放電回路と、外部から入力信号を受けて、前記第２と第３のスイッチ素子を介して前記第１のスイッチ素子と、を交互にオン、オフするように制御し、かつ、前記放電回路及び前記第４のスイッチ素子を、前記電源が立ち上がるときにオンさせて前記カレントミラーに電流を流すことにより、電源が立ち上がった後は前記第４のスイッチ素子をオフする制御回路を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング回路や電力変換回路について、単アーム構造の場合でも導通制御端子電源の自給化を可能とする。
【解決手段】スイッチ素子１７と制御端子電源用コンデンサ２１を備え、制御端子電源用コンデンサの放電によりスイッチ素子のゲート端子に電圧を印加するようにされているスイッチング回路について、制御端子電源用コンデンサの負側端子は、主電源５の基準電圧端子１８に接続するとともに、ハーフブリッジ回路２２を介してゲート端子に選択的に接続できるようにし、制御端子電源用コンデンサの正側端子は、ハーフブリッジ回路２４を介して主電源の正側端子１５とスイッチ素子のソース端子に対して選択的に接続できるようにする。そして制御端子電源用コンデンサは、正側端子が主電源に接続することで充電がなされる一方で、負側端子がゲート端子に接続し、正側端子がソース端子に接続することで放電する。 （もっと読む）

【課題】損失が少なく且つ適切なゲート電圧得ることが可能な電力用半導体素子のゲート回路を提供する。
【解決手段】電力用半導体素子１用のゲート駆動回路３と、ゲート駆動回路３の制御電源と並列に接続された入力コンデンサ４と、入力コンデンサ４と電力用半導体素子１の正極間に接続された可変抵抗器１０と、入力コンデンサ４と並列に接続された電圧安定化回路５と、入力コンデンサ４の電圧を検出する電圧検出器８と、可変抵抗器１０及び電圧安定化回路５を制御するための電圧制御手段２０とで構成する。電圧制御手段２０は、起動時には可変抵抗器１０が第１の抵抗値となるように制御し、定常運転時には、制御電源電圧が所定の電圧範囲となるように可変抵抗器１０を平均して前記第１の抵抗値より大きい第２の抵抗値となるように制御し、制御電源電圧が過電圧レベルを超えたとき、電圧安定化回路５を投入する。 （もっと読む）

【課題】カレントトランスを用いることなく、高価なＩＣや規模の大きな回路構成を必要とすることなく、半導体素子の故障を検出できるようにする。
【解決手段】交流電源２とヒータ３との間の電力供給ラインに設けられてオンオフ制御されるスイッチング素子としてのサイリスタ４，５の故障を検出する回路１２であって、サイリスタ４，５の両端電圧を、波形整形し、閾値と比較してデジタル信号に変換する変換部としての波形整形・比較部１３と、変換されたデジタル信号を、電気的に絶縁して判定部としてのマイコン８に伝達する光結合部１４と、伝達されたデジタル信号およびサイリスタ４，５に対するオンオフの制御指令に基づいて、故障の有無を判定する前記判定部としてのマイコン８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを駆動するものであって、ゲート電圧ＶＧ（図１ではゲート電圧ＶＧの分圧電圧Ｖａ）と所定の閾値電圧Ｖｂとの高低関係を検出する電圧検出回路４１と、電圧検出回路４１の検出結果に基づいて出力トランジスタＴｒのゲートと電源電圧ＶＣＣの印加端との間を導通／遮断するスイッチ５１と、を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いて電力変換装置を構成する場合、ターンオフ時半導体素子に印加される過電圧を電圧値が一定値になるようにゲート電圧を制御すると損失が大きくなる課題がある。
【解決手段】ターンオフ信号が入力されてからの素子電流を検出してターンオフ時の電流値に応じて過電圧抑制値を可変にする。即ち電流が所定値に減少するまでは過電圧抑制値を低く制御し、その後は高く制御することにより、損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子と容量素子との並列回路が半導体スイッチング素子のコレクタ−ゲート間に設けられている構成において、容量素子が過充電されないように放電経路を確保することができる、スイッチング装置の提供を目的とする。
【解決手段】半導体スイッチング素子Ｑ１のスイッチング装置であって、半導体スイッチング素子Ｑ１のコレクタ−ゲート間に設けられ、並列接続された抵抗素子Ｒ１と容量素子Ｃ１とを有する並列回路と、前記並列回路と前記コレクタとの間に設けられ、前記コレクタ側の向きに自身に印加される電圧が第１の基準値を超えると前記並列回路側の向きに電流を流すツェナーダイオードＺ１，Ｚ２と、前記並列回路と前記コレクタとの間に設けられ、前記並列回路側の向きに自身に印加される電圧が第２の基準値を超えると前記コレクタ側の向きに電流を流すツェナーダイオードＺ３とを備えることを特徴とする、スイッチング装置。 （もっと読む）

【課題】 実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】 インダクタ負荷（Ｒ_Ｌ）を駆動するバイポーラトランジスタ（ＴＲ）のサージ吸収保護回路（１００）において、前記インダクタ負荷はバイポーラトランジスタのコレクタ（Ｃ）に接続され、前記バイポーラトランジスタに対して双方向ツェナーダイオード（ＺＤ）と第一抵抗（Ｒ_Ｂ）を導線（１０４）により並列に設け、前記バイポーラトランジスタのエミッタ（Ｅ）により導線（１０３）をアース（ＧＮＤ）し、前記第一抵抗（Ｒ_Ｂ）の他端側は導線（１０５）により導線（１０３）に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗間の導線（１０４）にバイポーラトランジスタのベース（Ｂ）に接続する導線（１０６）を分岐させ、この導線（１０６）の他端に第二抵抗（Ｒ_２）を設けた構造のインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路。 （もっと読む）

【課題】実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】インダクタ負荷Ｒ_Ｌは導線１０１に接続され、他端は導線１０２により電界効果トランジスタＦＥＴのドレインＤに接続され、電界効果トランジスタに対して双方向ツェナーダイオードＺＤと第一抵抗Ｒ_ＧＳを導線１０４により並列に設け、電界効果トランジスタのソースＳより導線１０３をアースし、第一抵抗Ｒ_ＧＳの他端側は導線１０５により前記導線１０３に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗Ｒ_ＧＳ間の導線１０４に電界効果トランジスタのゲートＧに接続する導線１０６を分岐させ、この導線１０６の他端に第二抵抗Ｒ_２を設けたインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路１００。 （もっと読む）