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Fターム[5H740KK03]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子への制御信号の伝達 (818) | パルストランスを用いるもの (102)

Fターム[5H740KK03]に分類される特許

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【課題】3相インバータを構成するスイッチング素子の操作信号の伝送と駆動回路への電力の供給とをトランス1つで行なうことが困難なこと。
【解決手段】マイクロプロセッサ50から出力される操作信号g¥#は、エンコーダ41にてマンチェスタ符号にて符号化され、1次側コイルW1の印加電圧信号となる。2次側コイルW2uには、電源回路60およびデコードユニット70が並列接続されている。電源回路60は、スイッチング素子Supの駆動部20の電源を生成する。これに対し、デコードユニット70は、2次側コイルW2uに伝送された電圧信号の復号処理をすることで、スイッチング素子Supの操作信号gupを抽出し、駆動部20に出力する。 (もっと読む)


【課題】IGBTのオン・オフ時に発生するスイッチングノイズや、コモンモードノイズによるゲート駆動信号への影響を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路は、パルストランスTにより一次側と二次側とに絶縁され、パルストランスTの一次側は第1の接地電位点GND1に接地され、パルストランスTの二次側は第1の接地電位点GND1とは絶縁された第2の接地電位点GND2に接地され、入力側にインピーダンス整合用抵抗R1〜R4を備えたレシーバCMPを介してパルストランスTの二次巻線N2に発生したゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、パルストランスの一次巻線N1と二次巻線N2との間に静電シールド板5を備え、静電シールド板5は第2の接地電位点GND2に接地されている。 (もっと読む)


【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 (もっと読む)


【課題】オンデューティが50%以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン/オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Q1のゲートとの間に接続され、コンデンサC1と抵抗R1とダイオードD1からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にPNP型トランジスタQ2が抵抗R2を介して接続され、トランジスタQ2のコレクタ・ベース間にダイオードD2が接続され、さらにトランジスタQ2のベースはダイオードD1のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードD2との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 (もっと読む)


【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、2つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置100は、第1回路110と第2回路120との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第1回路110は、第2回路120から伝達される異常パルス信号Sbを監視して第2回路120の異常有無を判定し、第2回路120は、第2回路120で異常が検出されてから少なくとも第1回路110で第2回路120の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Sbを異常状態に保持する。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源12と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス8と、第1のスイッチング素子21と、第2のスイッチング素子14と、整流素子15と、容量素子20と、を備え、第1のスイッチング素子21は、制御電源12と前記一次巻線の一端との間に接続され、第2のスイッチング素子14は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子15の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子20の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第1のスイッチング素子21及び第2のスイッチング素子14のうち一方の導通時に容量素子20が制御電源12により充電され、且つ、第1のスイッチング素子21及び第2のスイッチング素子14のうち他方の導通時に容量素子20が放電されるように構成される。 (もっと読む)


【課題】ワイドバンドギャップ半導体を用いたFETを使用した、非常に大きな電力を直流に変換する直流電源装置において、1つの駆動電源にて各FETに正と負の駆動電圧を与えることで、低価格で小型かつ高効率の直流電源装置を得る。
【解決手段】入力段に突入電流保護回路1を有し、各FET3〜6に対し独立した駆動回路D3〜D6を有する。高電圧側のFET3、5をドライブトランス14により駆動し、低電圧側のFET4、6においては、駆動電源17およびFET4、6に流れる電流で充電される負バイアス用コンデンサ24によりゲート電圧を供給可能に構成する。 (もっと読む)


【課題】 スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路構成で実現する。
【解決手段】 トランス15の1次側をローサイドゲート駆動回路2の出力端子に接続し、トランス15の2次側をハイサイドスイッチング素子5のゲート入力側に接続する。ローサイド駆動回路2から正極性のゲート駆動電圧が出力されるとハイサイドスイッチング素子5のゲート‐ソース間には負極性の電圧が印加されてゲート電圧は閾値以下に抑えられるため、ローサイドスイッチング素子がターンオンする際にハイサイドスイッチング素子はオフ状態を維持する。 (もっと読む)


【課題】 効率を高めた高周波送信機用のスイッチング電源を提供すること。
【解決手段】 実施形態によれば、入力信号の波形に基づき送信増幅器をエンベロープトラッキング駆動するスイッチング電源は、入力信号が一時側に入力されるトランスと、このトランスの二次側に接続されるスイッチング部とを具備する。スイッチング部は、ゲートおよびソースが上記トランスの二次側に接続されるFETと、カソードが上記ゲートに接続されるショットキーダイオードと、ショットキーダイオードに逆極性で直列接続されカソードが上記ソースに接続されるツェナーダイオードと、このツェナーダイオードに並列接続されるコンデンサとを備える。 (もっと読む)


【課題】IGBTやFETなどの半導体スイッチング素子のゲートドライブ回路に駆動用電力を供給する電源装置の部品点数を減少させて基板サイズを小さくした電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子6、7と、これらの半導体スイッチング素子6,7をそれぞれ駆動する複数のゲートドライブ回路8、9と、これらのゲートドライブ回路8、9にそれぞれ駆動用電力を供給する電源装置10とを備えたパワーコンデショナ1において、電源装置10を高周波交流電源で構成すると共に、ゲートドライブ回路8、9の入力側に、電源装置10から出力される高周波交流を直流に変換するパルストランス13、14を備えた。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧の印加に制限があるスイッチング素子を、アイソレーションを図りつつ高速にスイッチングできる半導体スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路2を構成するトランスTrの二次巻線N2側のFET1を含む電流経路5に、互いに逆方向に挿入されるFET_Sg1,Sg2を備え、トランスの一次巻線にはHブリッジ回路4により発生させた交流電流を供給する。FET_Sg1は、交流電圧V_N2が一方の極性となり自身のゲートに印加される電圧が閾値を超えるとターンオンし、FET1のゲートに充電電流を流してターンオンさせる。また、FET_Sg2は、交流電圧V_N2が他方の極性となり自身のゲートに印加される電圧が閾値を超えるとターンオンし、FET1のゲートから放電電流を流してターンオフさせる。 (もっと読む)


【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、小型化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置Dは、半導体回路22と、電源9とを備えている。半導体回路22は、スイッチング素子1及び逆並列ダイオード2を有した主素子3と、高速還流ダイオード4と、コンデンサ6と、補助素子5とを有した逆電圧印加回路7と、主素子駆動回路13と、補助素子駆動回路14とを備えている。電源9は、コンデンサ6に並列に接続され、主素子駆動回路13及び補助素子駆動回路14に接続され、コンデンサ6、主素子駆動回路13及び補助素子駆動回路14に電力を供給し、主素子3の耐電圧より電圧値が低い。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の消費電力を小さく抑えることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】駆動回路20は、双方向スイッチ10にゲート電圧Vg1,Vg2を印加するゲート駆動部21と、ゲート駆動部21の動作を制御する制御部22とを有している。さらに駆動回路20は、双方向スイッチ10の両端に掛かる極間電圧Vsを検出する極間電圧検出部40を有しており、極間電圧検出部40の検出値が制御部22へ入力される。制御部22は、外部から入力されるオンオフ信号と、極間電圧検出部40から入力される検出値との両方に基づいて、ゲート駆動部21に与える駆動信号を決定する。ここで、制御部22は、オンオフ信号が「H」の期間において、極間電圧が大きくなるほどゲート電圧Vg1,Vg2が大きくなるように、ゲート駆動部21に与える駆動信号を調節する。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の消費電力を小さく抑えることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】駆動回路20は、双方向スイッチ10にゲート電圧Vg1,Vg2を印加するゲート駆動部21と、ゲート駆動部21の動作を制御する制御部22とを有している。さらに駆動回路20は、双方向スイッチ10にゲート端子から流れ込むゲート電流Ig1,Ig2を検出する電流検出部40を有しており、電流検出部40の検出値が制御部22へ入力される。制御部22は、外部から入力されるオンオフ信号と、電流検出部40から入力される検出値との両方に基づいて、ゲート駆動部21に与える駆動信号を決定する。ここで、制御部22は、オンオフ信号が「H」の期間において、低電位側のゲート電流Ig1,Ig2が小さくなるほどゲート電圧Vg1,Vg2が大きくなるように、ゲート駆動部21に与える駆動信号を調節する。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動信号を電源用トランスによって適切に伝達することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動信号を電源用トランス2により絶縁伝達するゲート駆動回路1であって、一次側電圧の駆動タイミングを生成するタイミング生成部4と、駆動タイミングに基づいて一次側電圧を出力するトランス駆動回路部3と、二次側電圧に含まれるパターン信号でゲート駆動信号を検出するパターン検出部6及びフリップフロップ回路部8とを備え、タイミング生成部4は、ゲート駆動信号を時間T1だけ遅延させ、ゲート駆動信号の極性反転タイミングから時間T1経過までの期間は一次側電圧VT1の極性反転を禁止し、時間T1経過直後にゲート駆動信号に応じて時間T1よりも短い時間幅T2,T3をもつパルス状極性反転を有するパターン信号が一次側電圧VT1に含まれるように駆動タイミングを生成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動信号の伝達遅延時間のばらつきを低減することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路1は、トランス2を駆動するトランス駆動回路部3と、トランス2の一次側の駆動タイミングを生成すると共に、入力ゲート駆動信号のON状態時とOFF状態時とでトランス2の一次側駆動電圧変化率を異なるように設定するタイミング生成部4と、トランス2の二次側電圧を微分することで、トランス2の二次側電圧変化率を検出する微分回路部5と、入力ゲート駆動信号のOFF状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部6と、入力ゲート駆動信号のON状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部7と、検出レベル検出回路部6,7と接続されたR端子及びS端子を有し、出力ゲート駆動信号を生成・保持するフリップフロップ回路部8とを有している。 (もっと読む)


【課題】 電源装置のインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路の逆バイアス電圧が低くなると、ターン・オフ損失が増加しスイッチング素子の劣化に繋がる。
【解決手段】 直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジのインバータ回路と、インバータ回路を制御すると共に変圧器の入力電流が基準電流以上になると所定時間インバータ回路を停止する出力制御回路と、出力制御信号に応じてスイッチング素子を駆動すると共に逆バイアスコンデンサに電流を供給するスイッチング素子駆動回路とを備え、インバータ回路が停止しているとき、第1のスイッチング素子及び第4のスイッチング素子が0から1/2周期の間で重ならないようにオンし、第2のスイッチング素及び第3のスイッチング素子が1/2から1周期の間で重ならないようにオンするスイッチング制御回路、を備えたことを特徴とするアーク加工用電源装置である。 (もっと読む)


【課題】電源部品を減らし、安価な構成の駆動回路。
【解決手段】一次巻線Npと第1の二次巻線S1と第1の二次巻線の極性とは逆極性を持つ第2の二次巻線を有する2以上の二次巻線とを有し一次巻線に駆動信号が印加されるトランスDT1、第1の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第1スイッチング素子Qh、第2の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第2スイッチング素子Ql、第1の二次巻線の一端と第1スイッチング素子の制御端子との間に接続され第1スイッチング素子を駆動する第1駆動部Q11,Q12、第2の二次巻線の一端と第2スイッチング素子の制御端子との間に接続され第2スイッチング素子を駆動する第2駆動部Q21,Q22、第1の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第1駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D11,D12,C11,C12、第2の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第2駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D21,D22,C21,C22を有する。 (もっと読む)


【課題】ゲートドライブ回路や半導体スイッチに製造ばらつきがあっても、各出力ゲート用電源のトランス出力電圧に大きなばらつきを発生させることなく、寿命および信頼性を改善した高周波交流電源装置を提供すること。
【解決手段】半導体スイッチと、半導体スイッチを駆動するゲート回路と、ゲート回路に電圧源を供給するトランスと、トランスの2次側の巻き線に並列に接続された抵抗とを備えるユニットを複数設け、ユニットの前記半導体スイッチ同士を直列に接続し、ユニットの各トランスの1次側の巻き線を直列に接続して駆動電力を供給することにより、ゲート用電源の出力電圧の安定性を改善した。 (もっと読む)


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